真乄科技業的頂尖投資團隊

TrendForce旗下光電事業處WitsView最新研究顯示，2016年LTPS新增產能受到數條新產線延至第四季後量產影響，全年整體產能增幅將放緩，遞延的產能進而將使2017年LTPS產能年成長率高達31.6%，加上中高階智慧型手機逐漸採用AMOLED面板衝擊，LTPS供過於求壓力將浮現。

在全球持續突破存儲器運行速度的努力進程中，全球各研究人員均對於“相變化存儲器”(Phase Change Memory；PCM)領域的研究感興趣，並投入大量時間從事研發，最新則是美國史丹佛大學(Stanford University)的研究做出了新突破，據稱可讓PCM的運行速度較傳統DRAM快上逾1,000倍以上。

據Techspot網站報導，所謂的相變化存儲器運作原理，是指在低阻抗的結晶態及高阻抗的非結晶態兩種物理狀態下進行移動，雖然此技術在現今全球儲存技術領域中已展現出許多優勢，不過仍存有技術缺陷，即所謂的“延遲”(latency)問題。

半導體生產技術可能將發生重大變革，印刷相關技術有望大舉汰換舊有技術，應用在NAND Flash或OLED面板生產上，甚至被視為是日本面板業重建的契機；但面對國外大廠的大舉投資，日廠的資金並不充足，能否獲得國家大筆資金援助，可能將成為成敗關鍵。

在存儲器或系統芯片等半導體製造工程上，為求微縮線材寬度日窄，使得40年來半導體線路蝕刻技術主流的光刻技術，面臨光源的光線波長及寬度問題，工具機研發與購置價格日增，能生產高精度半導體的廠商也越來越少，並帶來半導體業界的購併問題。

DIGITIMES Research觀察2016年第2季南韓記憶體產業發展，由於DRAM價格逐漸觸底、NAND Flash價格攀升、智慧型手機等主要終端裝置出貨增加，南韓記憶體產值再度攻上12兆韓元，達12.25兆韓元(約107億美元)，較前季成長6.6%，但較2015年同期衰退6.0%；DRAM與NAND Flash產值分別為7.8兆及4.45兆韓元，比重分別為63.7%及36.3%，相較第1季的65.6%與34.4%，NAND Flash比重提升2個百分點。

三星(Samsung)已於2016年第1季量產18奈米製程DRAM，2016年第2季生產比重持續提升，並開始將18奈米製程導入伺服器用DRAM及行動(Mobile)DRAM生產。2016年第2季，三星行動DRAM全球市佔表現更上層樓，達61.5%的歷史新高水準。

TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange調查顯示，2016年第三季主流容量PC-Client OEM SSD合約均價，MLC-SSD季漲幅約0~0.5%，TLC-SSD則小跌0~1%，一年來首次出現價格持平。雖然下半年傳出SSD供應鏈供貨吃緊的雜音，今年筆記型電腦SSD搭載率仍將一舉突破30%水準，2017年至2018年則有望挑戰50%大關。

在MIT的光子微系統組（Photonic Microsystems Group），本文作者正在開發一種片上激光雷達（ lidar-on-a-chip ）系統，它比一角硬幣還小，沒有活動式零件，而且能以低成本進行大規模生產，可用於自動駕駛汽車、無人機和機器人。

英特爾(Intel)近期一口氣發布多款新固態硬碟(SSD)產品，將其3D NAND晶片進一步推向消費型與企業級固態硬碟市場。值得注意的是，這些新款SSD一律採用PCIe Gen3介面並支援NVMe協定，讀 ​​寫效能遠優於採用SATA介面的現有產品，同時也打破了NVMe以往僅見於企業或高階消費市場產品的局面。
英特爾表示，這些新款SSD採用3D TLC NAND記憶體，針對消費型市場的600p系列最低價格從69美元起跳(128GB版本)，1TB儲存容量的版本則為359美元。至於鎖定企業市場的Pro 6000p系列價格則從79美元起跳(128GB版本)，最高階產品定價則為364美元。

除了 ​​以價格攻勢吸引用戶外，英特爾這兩個系列的SSD硬碟全面採用PCIe Gen3介面並支援NVMe協定，因此其讀寫性能雖距離頂級產品仍有一段差距，但跟採用SATA介面的SSD相比，仍有高達3倍的優勢。其連續讀取性能為1,800MB/s、寫入性能為560MB/s；隨機讀取性能為15.5萬IOPS、隨機寫入則為12.8萬IOPS。

據了解，600p系列所採用的控制器由慧榮提供，3D TLC NAND顆粒則由美光(Micron)供應。

由目前英特爾的SSD產品線佈局來看，600p定位在中階，以與SATA介面接近的價格，卻具備PCIe介面的高性能做為主要訴求；540s則鎖定入門用戶族群，主打最佳的容量/價格比，但仍採用傳統SATA介面；高階部分仍為750系列，主要是設計給對性能有極高要求的企業跟玩家。
 

先進數字圖像處理方案商豪威科技（OmniVision Technologies）推出首款應用於醫學領域的晶圓級攝像頭模組：OVM6946。這塊結構緊湊且高性價比的攝像頭模組將為一次性內窺鏡提供高質量的圖像。

市場傳出，受到AMOLED面板大缺貨影響，中國大陸手機品牌廠OPPO已開始下修8、9月原本熱賣的R9出貨量，下修幅度約兩成。由於OPPO是今年成長幅度最高的手機廠，法人認為，可能干擾聯發科等手機供應鏈本季旺季表現。

今年智能手機市場步入高原期，但在升級潮帶動下仍有黑馬竄出，以OPPO最受矚目，原本今年初希望今年銷售目標能夠達到6,000萬支，比去年成長兩成。

晶圓龍頭台積電先進製程技術再次向前大步躍進，看好快充電源管理IC市場潛力，協同合作夥伴戴樂格半導體（Dialog Semiconductor），將於明年第1季推出首顆氮化鎵（GaN）手機快充晶片，挑戰快充晶片龍頭德儀（TI）及恩智浦（NXP）霸主地位。

喧騰已久氮化鎵製程，台積電終於宣布跨入氮化鎵先進製程，為 ​​合作客戶德商戴樂格量身打造，採用6寸、0.5微米、650V矽上氮化鎵（GaN-On-Silicon ）製程技術，生產首顆氮化鎵手機快充晶片，預計在明年第1季產出，該晶片具備體積縮小、效能提高、充 ​​電時間減半等優勢，適用於手機及平板等行動快充，將挑戰業界霸主德儀、恩智浦龍頭地位。

GMEMS（吉微思）近期推出全新的壓電MEMS技術平台，通過過公司創新的PZT材料應用，以8英寸晶圓所量產的單結晶PZT，將可望領先全球量產壓電式MEMS麥克風解決方案，突破原有電容式MEMS麥克風的信噪比（S/N）限制。
壓電式MEMS麥克風可從既有的最高65dB，一口氣再拉上至68dB層級，協助終端產品效能躍升1倍以上。在全球一線手機品牌大廠正計劃快速從現有的電容式MEMS麥克風，升級為壓電式MEMS麥克風的過程中，GMEMS領先量產的解決方案，已大舉吸引國內、外品牌大廠的目光焦點。

巴斯大學和聖保羅大學共同研發的生物傳感器

7月北美半導體設備製造商訂單出貨（B∕B）值止跌回升，達1.05，連續8個月站上1。

國際半導體設備材料產業協會（SEMI）指出，北美半導體設備廠商7月份的3個月平均訂單金額為17.9億美元，較6月的17.1億美元增加4.7%，較去年同期的15.9億美元增加13.1%。

2016 is a turning point for the Fan-Out market since both leaders, Apple and TSMC changed the game and may create a trend of acceptance of Fan-Out packages.

Uber無人駕駛出租車都開始載客了，Google等各大科技公司當然也不會放過無人車的重大時機。無人車領域的競爭不斷增加，各大公司和汽車廠商都想從無人車領域分一杯羹。談及無人車，不得不提及最重要的一個零部件——LiDAR （激光雷達傳感器）。LiDAR供應商Quanergy生產的小型固態廉價LiDAR傳感器有望加速無人駕駛行業的發展。

8月22日，固態LiDAR傳感器和智能傳感解決方案供應商Quanergy獲得9000萬美元B輪融資。Sensata Technologies、Delphi Automotive、Samsung Ventures、Motus Ventures和GP C​​apital參與本輪投資。Quanergy計劃利用該項投資和所擁有的大量知識產權，與合作商一道，加大LiDAR傳感器的生產。

Development of low-cost WLCSP for large die with high I/O count is desired for broadening its applications. Reliability issues including solder cracking and high chip warpage are known to be the main challenges for extending the die size of conventional WLCSP to more than 5x5 mm2 with ball pitch smaller than 350 um.

At the ECT conference in Las Vegas TSMC discussed UFI (UBM-Free Integration) Fan-In WLCSP technology which they claim enables such large die fine pitch packages. 

At the IEEE ECTC Conference in Las Vegas Mike Ma of Siliconware gave the presentation “The development and technological comparison of various die stacking and integration options with TSV Si interposers”. i-Micronews thought it as worth... A Closer Look.

There are four main stacking platforms for 2.5D IC in advanced packaging.

近日，多家美國媒體爆料：賽默飛世爾科技（Thermo Fisher Scientific）擬以300億美元收購全球基因測序儀龍頭企業illumina。
棄了羅氏，illumina會否接納賽默飛？

在《國家集成電路產業發展綱要》發布之後，我國加快了產業佈局。除晶圓製造之外，作為集成電路產業鏈後段關鍵環節的封裝測試也獲到快速發展。2015年在國家集成電路產業投資基金(簡稱“大基金”)的支持下，長電科技收購了原全球排名第四的封測廠星科金朋，通富微電也收購了AMD的兩座封測廠。近日又有消息稱，通富微電將收購全球排名第二大的封裝廠艾克爾(Amkor)。無論這個傳聞確實與否，中國大陸封測產業正在迅速壯大，已經成為全球封測業的三強之一。

兼併重組，進入全球封測三強

集成電路封測產業作為半導體全產業鏈中不可或缺的環節，在半導體產業中的地位日益重要。尤其是隨著半導體技術按照特徵尺寸等比例縮小的進一步發展，矽CMOS技術在速度、功耗、集成度、成本等多個方面都受到一系列基本物理特性、投資規模等的限制。封裝成為解決這些技術瓶頸的重要途徑之一。因此，兼併重組，提高產業集中度，成為做大做強中國封裝產業，進而推進集成電路產業整個發展的關鍵一環。

正是在這一思路的指導下，從去年開始，在大基金的支持下，長電科技以7.8億美元的價格收購星科金朋公司。根據集邦科技的資料，長電科技+星科金朋，在全球市場份額為9.8%。通富微電出資約3.7億美元收購AMD旗下的蘇州廠和馬來西亞檳城廠。集邦科技的統計資料顯示，2015年通富微電市佔率為1.4%。

近日又有消息稱，通富微電將收購全球排名第二大的封裝公司艾克爾(Amkor)。如果這個消息準確，通富微電將超越江蘇長電，成為中國大陸封測業的龍頭，全球排名也將竄升至第二，進逼龍頭廠日月光;即使消息並不確實，兼併重組，提高產業集中度，發展封測產業的總體趨勢也不會改變。

對此，中國半導體行業協會集成電路分會副理事長兼秘書長、國家集成電路封測產業鏈技術創新戰略聯盟秘書長於燮康表示：“進一步推動封測業發展，兼併重組是重要手段之一。通過加大行業整合力度，培育一至兩家具有國際競爭力的大企業，是盡快復興集成電路封測產業途徑之一。對於集成電路封測產業來說，通過推進企業兼併重組，將可延伸完善產業鏈，提高產業集中度，促進規模化、集約化經營，形成一至兩家在行業中發揮引領作用的大企業、大集團，有利於調整優化產業結構，促進產業持續健康發展。” 

根據我國台灣地區經濟研究院的資料，在去年開啟的一系列封測業國際兼併後，目前全球前十大封測廠正呈現三大陣營，中國大陸企業闖入其中，包括日 ​​月光與矽品(今年5月，排名第一的日月光宣布與排名第三的矽品合組產業控股公司)、艾克爾與J-Devices(今年年初Amkor宣布完成對原全球排名第六的封測廠J-Devices的收購) 、長電科技與星科金朋。從各陣營佔全球半導體封裝及測試市場的佔有率來看，日月光與矽品的市佔率最高，比重約在28.9%，其次是艾克爾，市佔率約為11.3%，長電科技(加星科金朋)市佔率為9.8%。中國大陸封測產業已經成為全球封測版圖的三強之一。

發展SiP，推動產業走向高端

當前，全球集成電路產業正進入重大調整變革期，整個產業鏈技術突飛猛進，向高端領域發展勢在必行。根據於燮康的介紹：“3C電子市場作為我國封裝測試市場的主要支撐力量，將在未來十年內推動高密度、高性能芯片、超小型化、多引腳的各類BGA、CSP、WLP、 MCM和SiP先進封裝產品和封測技術的快速發展;汽車電子、功率電子、智能電網、工業過程控制和新能源電子等市場及國家大飛機、航空航天項目，也需要更為可靠、更高性能、更為多樣化的BGA、PGA、CSP、QFN封測產品和封測技術;新興的物聯網和醫療電子也需要集成度更高、靈活性更強、封裝形式更豐富的封測技術和新型RF射頻封裝、MEMS與生物電子產品封裝、系統級封裝(SiP)產品形式。” 

總體來看，在芯片封裝領域，電子系統或電子整機正在朝多功能、高性能、小型化、輕型化、便攜化、高速度、低功耗和高可靠方向發展。也就是說，上述的兼併重組只是手段，目的是推動我國封裝產業和技術走向高端領域。

此前，通富微電總經理石磊在接受《中國電子報》記者採訪時表示，半導體技術發展到今天，28nm的SOC產品是個節點，成本驅動的因素已經基本消失，半導體的高速發展正在失去成本這一引擎。而SiP可以彌補缺失的動力，這對中國半導體、對整個封測產業是一個太重要的時間窗口。電子產品如何做得更薄，SiP是趨勢。目前的電子組裝技術已無法實現，微組裝將成為主流，通富微電發展的先進封裝的WLP、FC、BGA工藝，為公司下一步全面量產SiP打下良好的基礎。

星科金朋、原AMD封測廠等企業的產品結構以智能手機、PC機和服務器CPU等的封裝為主，中國大陸企業通過兼併、消化、吸收、創新，將提昇在高端封測領域的服務能力和競爭力。
 

自2013年8月三星率先宣布成功推出3D NAND之後，在技術上每年都會前進一步，由24層、32層、48層，到今年的第四代64層。有消息稱2017年三星將可能推出80層3D NAND。除技術進步之外，有分析師預測在2018年中期，全球NAND閃存市場在3D堆疊技術的影響下，價格有可能低到每Gb約3美分。目前，中國正在下大力度推進存儲產業的發展，3D NAND被認為是一個有利的突破口。在此之際，有必要了解3D NADN的產業競爭形勢。

全球3D NAND競爭形勢加劇

想要了解3D NAND，首先應當了解其關鍵製造工藝。3D NAND的製造工藝十分複雜，主要包括高深寬比的溝開挖(High aspect ratio trenches)、在源與漏中不摻雜(No doping on source or drain)、完全平行的側壁(Perfectly parallel walls )、眾多級的台階(Tens of stairsteps)、在整個矽片面上均勻的澱積層(Uniform layer across wafer)、一步光刻樓梯成形(Single-Lithostairstep)、硬掩模刻蝕(Hard mask etching )、通孔工藝(Processing inside of hole)、孔內壁澱積工藝(Deposition on hole sides)、多晶矽溝道(Polysilicon channels)、電荷俘獲型存儲(Charge trap storage)、各種不同材料的刻蝕( Etch through varying materials)、澱積眾多層材料(Deposition of tens of layers)等。這些還只是主要關鍵部驟，可見其複雜性。

然而，2D NAND在進入1xnm節點之後，器件耐久性和數據保持特性持續退化，單元之間的耦合效應難以克服，很難解決集成度提高和成本控制的矛盾，進一步發展面臨瓶頸。發展3D NAND已經是大勢所趨。近期全球3D NAND的發展迎來少見的紅火，之前認為僅三星獨家領先的態勢，可能需要重新思考，至少各方之間的差距正逐步縮小。因為誰都不願在未來落後。

從3D NAND的技術與產能方面尋求突破，近期幾大廠商都在加大力度。日前，英特爾大連廠傳出消息，經過僅8個多月的努力，英特爾大連廠非易失性存儲製造新項目於今年7月初實現提前投產。去年10月，英特爾公司宣布投資55億美元將大連工廠建設為世界上最先進的非易失性存儲器製造工廠。

東芝方面，在2016年春季開始量產48層3D NAND，緊接著7月15日在日本三重縣四日市的半導體二廠中舉行啟動儀式，未來該廠將量產64層3D NAND閃存。此舉表示東芝可能領先於三星。因為三星原先的計劃是2017年下半年在韓國京畿道平澤市廠量產它的64層3D NAND閃存。

東芝在3D NAND閃存方面的決心很大，計劃2017年3D NAND佔其全部NAND出貨量的50%，至2018財年增加到80%。

另外，由於2016年5月西部數據併購閃迪並沒有影響閃迪與東芝間的合作關係。東芝與西部數據雙方各自出資50%，在未來2016年到2018年的三年內將總投資1.5兆日圓(約147億美元)在存儲方面。

美光(Micron)在新加坡與英特爾合資的12英寸厂於2016年第一季度開始量產3D NAND，月產3000片，併計劃於今年年底擴充產能至4萬片/月。8月9日美光正式推出了首款面向中高端智能手機市場的32GB 3D NAND存儲產品。

該款3D NAND芯片是業內首款基於浮柵技術的移動產品，也是業內最小的3D NAND存儲芯片，面積只有60.217 mm2，同時採用UFS 2.1標準的存儲設備，讓移動設備實現一流的順序讀取性能;基於3D NAND的多芯片封裝(MCP)技術和低功耗LPDDR4X，使得該閃存芯片比標準的LPDDR4存儲的能效更優。此外，與相同容量的平面NAND芯片相比，美光3D NAND芯片的尺寸可以縮小30%。

海力士也不甘示弱，它的利川M14廠近期改造完畢。SK海力士進一步表示，2016年年底將建立2萬～3萬片的3D NAND Flash產能，以應市場需求。第三季度之前的3D NAND Flash投資與生產重心會放在36層產品，預計今年的第四季度將擴大48層產品的投資與生產能力。另外海力士也計劃投資15.5兆韓元，約134億美元，新建一座存儲器製造廠。

雖然其他廠商你爭我奪，但是顯然目前三星的優勢尚在。據JP摩根發表的研究報告，三星應該會在2016年年底將3D NAND的月產能拉高至接近16萬片晶圓(西安廠12萬片及Line 16廠接近4萬片)。三星的西安廠目前已接近(10萬片/月片)產能全開，且該公司還計劃把Line 16廠的部分2D NAND產能轉換為3D。

另外，三星也將調用Line 17廠在二樓的空間，於明年投產3D NAND。依據上述消息，JP摩根估計三星明年年底的3D NAND月產能將攀升至22萬片(西安廠12萬片、Line 16廠近6萬片、Line17廠近4萬片)，等於是比今年年底的月產能(16萬片)再擴充37.5%。

以技術突破獲取成本降低

根據上述分析，近四個月以來，變化最大的是東芝及英特爾。因為現階段三星在NAND方面領先，估計平均領先兩年左右，而目前它的3D NAND產出已經佔它NAND的比重達40%。但是東芝正後來居上，因為它的64層提前量產，或者與三星同步，但是它的目標更為宏大，3D NAND在2017年目標要佔它的NAND產出50%，2018年達以80%，而目前僅5.4%。

另外，英特爾大連廠僅用8個月時間便完成NAND閃存生產線的改造。目前尚不清楚英特爾大連廠將在今年下半年量產的是3D NAND，還是其Xpoint新型存儲器。非常有可能的是，2017年東芝和英特爾的3D NAND產能將是三星西安廠的2~3倍。這將直接威脅到三星的霸主地位。

由於平面NAND閃存的量產已經達15納米，幾乎接近物理極限，因此為了提高存儲器的容量及帶寬，向3D NAND技術邁進是必然趨勢。

但是3D NAND技術很複雜，由於成品率低，導致成本高。依三星的技術水平，估計它的48層3D NAND的成本已經接近2D NAND，未來64層時可能會佔優勢。而其他的各廠家現階段仍然需要克服成本這一難題。這可以給中國存儲廠商一些時間。

但是，不管如何，到2018年長江存儲實現諾言量產3D NAND時，它的32層與三星可能已經達100層相比絕不佔優勢。技術只是一個方面，更為嚴峻的是製造成本方面的差距。

因此，長江存儲的產能擴充不可能盲目地馬上擴大到月產10萬片規模。但是歷來存儲產業就是像一場賭局，對於中國半導體業是沒有退路，只有迎頭努力往前趕。長江存儲上馬的意義，不能完全用市場經濟的概念來註釋，其中技術方面的突破是首位，其次是降低製造成本，逐漸縮小差距。爭取在未來全球半導體業處於上升週期時，存儲器價格有所回升，那時長江存儲才有希望實現成功突圍。

長久以來，研究人員經常針對矽和錫進行深入的研究，期望找到可用於取代鋰離子電池中石墨烯陽極的高性能替代方案。然而，由加州大學河濱分校機械工程與材料科學暨工程系助理教授Lorenzo Mangolini所主導的研究小組，首度展示結合矽與錫的複合材料，從而可大幅提升電池的性能。

當激光轟擊分子時，根據分子的結構和組成不同，分子會以各種波長的光子將激光的能量反射回來，這種現象稱為“拉曼散射”。

大陸正挾著高通、三星等外國兵團，大舉壓境台灣IC設計產業；業者指出，全球第二大晶圓代工廠格羅方德（GLOBALFOUNDRIES）12吋廠已宣布在重慶落腳，預計2017年啟動。學者警告，隨著美、韓等全球IC巨頭到大陸投資布局，大陸打造的本土IC產業鏈，不再侷限紅色，而是結合美、韓技術、大陸市場變身而成的彩色供應鏈，台積電的競爭優勢將急速流失。

Global Sales of Smartphones Grew 4.3 Percent Year on Year

Apple Had Three Consecutive Quarters of Slowing Demand as Sales Declined 7.7 Percent

【大紀元訊】台灣中研院院士許靖華表示，他發現癌症基因並非人類基因，是細菌基因長成，這種細菌又會因吃亞硝酸變壯大。因此，若人類飲水不含亞硝酸，人類就能藉此預防乃至治癒癌症，他和研究團隊已透過此方法治癒數名癌末患者案例。

許靖華是著名地質學大師，身兼美國國家科學院院士、地中海科學院院士、中國科學院院士，曾任瑞士蘇黎世聯邦理工學院地球科學院院長、國際沉積學會主席、國際海洋地質學委員會主席、歐洲地球物理協會首任會長，獲獎無數。

三星晶圓代工業務(Samsung Foundry)準備開始以28奈米FD-SOI製程，提供SST-MRAM (spin torque transfer magnetic RAM)以及快閃記憶體，做為嵌入式非揮發性記憶體(eNVM)選項。

近來東芝（Toshiba）、美光（Micron）布局 3D 架構 NAND 型快閃記憶體（Flash Memory）的動作頻頻，讓身為 NAND Flash 龍頭廠、且是全球第一家量產 3D NAND 的南韓三星電子倍感威脅，不過三星也不是省油的燈，宣布第 4 代 3D NAND 產品將在 Q4 開賣。
南韓媒體朝鮮日報日文版 12 日報導，三星 11 日宣布，第 4 代 V-NAND Flash（3D NAND）產品將在 2016 年 Q4（10-12 月）開賣，該款產品將採 64 層堆疊。三星指出，藉由採用 64 層堆疊技術，每片晶圓的儲存容量可較現行技術提高 30%，能有效改善成本競爭力。

一輛開啟自動駕駛功能的Tesla電動車在5月發生死亡事故，目前美國國家高速公路交通安全局(NHTSA)以及國家交通安全委員會(NTSB)仍在針對導致這樁意外的原因進行調查。

但以色列車用處理器晶片供應商Mobileye共同創辦人暨技術長Amnon Shashua在近日該公司第二季財報發布會上所發表的評論，不只透露兩家自尊心都很強的科技公司之間「感情破裂」，也讓人看到了科技業者為了在即將來臨的自動駕駛車輛時代追求安全性所需的一切。

近日，汽車零部件供應巨頭採埃孚（ZF）收購了位於德國漢堡的Ibeo公司40%的股權。採埃孚的此次股權收購旨在獲取Ibeo公司在激光雷達（Lidar）技術和環境感知算法領域的深厚專業技術。這兩項技術都是實現汽車自動駕駛的重要基礎模塊。

Ibeo公司是世界知名的無人駕駛激光雷達供應商，成立於1998年，2000年被傳感器製造商Sick AG收購。2009年公司脫離Sick AG獨立，2010年和法雷奧合作開始量產可用於汽車的產品ScaLa。全球目前研發激光雷達的代表企業主要有：Velodyne、Ibeo和Quanergy。

2016年下半除東芝(Toshiba)就64層3D NAND Flash展開送樣出貨外，三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等記憶體業者亦將陸續量產，將促使3D NAND Flash垂直堆疊最高層數自64層朝2017年的80層邁進。DIGITIMES Research觀察，由於乾蝕刻使用在64層以上更高堆疊層數的3D NAND Flash，其蝕刻速度與正確性可望優於濕蝕刻，將使三星於64層以上3D NAND Flash轉向乾蝕刻發展的可能性提升。

垂直通道(Vertical Channel)構造3D NAND Flash係指字元線(Word Line；WL)與位元線(Bit Line；BL)相互垂直，堆疊層數往BL方向增加。相較於WL與BL皆處同一平面、往上層層堆疊的簡單堆疊(Simple Stack)構造，垂直通道具備成本優勢，成為記憶體業者發展3D NAND Flash所採主流構造。

     Figure 1

無鎘量子點製造商Nanoco和化工廠商默克(Merck)簽訂全球材料供應以及授權的協議。

這項授權讓默克能夠立即銷售Nanoco的無鎘量子點(CFQD)並且最終以建立自己的生產線為目標。

希捷(Seagate)於8月9日在加州聖塔克拉拉的快閃存儲器峰會(Flash Memory Summit)上展示60TB的固態硬碟(SSD)，為目前世界上容量最大的SSD。

這顆超高容量的SSD足以儲存4億張相片或1.2萬部DVD電影。

Zoetis, the world’s largest global animal health company, has today acquired Scandinavian Micro Biodevices (SMB), a pioneer in developing and manufacturing microfluidic-based point-of-care diagnostic products for the veterinary market. Zoetis expects to invest in SMB’s operation in Farum in the coming years, thereby realizing the growth potential of SMB and creating new jobs within product development, production and support functions.

Scandinavian Micro Biodevices ApS has today been acquired by US Company Zoetis Inc. for a sum of US $80 million with the view to strengthening Zoetis’ diagnostics capabilities and portfolio.

無鎘量子點製造商Nanoco和化工廠商默克(Merck)簽訂全球材料供應以及授權的協議。

這項授權讓默克能夠立即銷售Nanoco的無鎘量子點(CFQD)並且最終以建立自己的生產線為目標。

國際期刊《電子設計技術》（EDN）即將迎來60週年慶，過去60年裡電子行業發展日新月異。那麼，展望未來60年，模擬電子行業將帶來哪些創新呢？下面是作者Steve Taranovich的預測。

微機電系統（MEMS）

受到中國新能源政策影響，中國動力電池需求持續成長，在排擠效應影響下，使IT用圓柱型鋰電池的供給呈現短缺。隨著供給與需求端彼此的策略調整，目前IT應用端鋰電池供給吃緊狀況逐步得到緩解。TrendForce旗下綠能事業處EnergyTrend最新鋰電池報價顯示，第二季圓柱型鋰電池價格漲幅約在1~4%，高分子電池則隨著產能的擴充，價格降幅約1~2%，整體鋰電池市場保持在健康的供需情況。

據韓國經濟報導，大陸半導體產業在政府的強力支援下，清華紫光與武漢新芯採行攻擊性投資策略，迫使南韓、日本、美國等主要半導體業者也紛紛強化投資。

市調業者DRAM eXchange表示，全球半導體市場中，NAND Flash事業從2011~2016年以年均複合成長率(CARG)47%的速度成長；清華紫光以新成立的長江存儲進行武漢新芯的股權收購，成立長江存儲科技有限責任公司，未來可能引發NAND Flash市場版圖變化。

動態隨機存取記憶體（DRAM）市場的“貧富差距”愈形明顯，產業結構可能掀起巨變。上半年陷入虧損的全球第三大DRAM製造商美光（Micron）將面臨艱難的生存戰。

過去三、四年來，DRAM市場主要由三星電子、SK海力士與美光所壟斷，三巨頭在全球的合併市佔率達90%，但情勢可能改變。在DRAM市場景氣不佳的局面下，市場龍頭三星電子的營業利益仍達數十兆韓元，排行第三的美光則開始虧損。隨著另外幾家中國業者準備加入戰場，DRAM產業結構可能迎來巨變。

日本廠商TDK Corp.透過旗下的德國子公司EPCOS，出價4,865萬歐元(約5,500萬美元)求購法國MEMS製造商Tronics Microsystems；前者是以每股13.20歐元的價格收購Tronic股票，該價格是Tronic股票在2016年7月7日收盤價的78.4%溢價。Tronics成立於1997年，在歐洲與美國都擁有晶圓廠。

EPCOS是TDK在2008年收購；而Tronics的大股東Thales Avionics已經向EPCOS表示，希望繼續維持Tronics的策略股東角色。根據EPCOS對Tronics的成功出價，接下來Thales Avionics與EPCOS將會針對雙方在Tronics的持股比例進一步協商。Tronics的監事會已經在初步基礎上建議接受EPCOS對股東的收購出價。

 紫光集團與武漢新芯攜手的傳聞終於落地。根據近日雙方發布的消息，由紫光集團和武漢新芯聯手組建的長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）已於7月26日註冊成立。這意味著中國最大的存儲產業基地初見雛形。對此事件業界反響普遍持正面態度。清華大學微電子學研究所所長魏少軍認為，從目前的股權安排來看，可以說既照顧了武漢新芯的現有狀況，也兼顧了未來發展需要，既有利於發揮“國家集成電路產業投資基金”的政策主導性作用，也可以充分發揮紫光集團的市場化作用。

　　然而，長江存儲未來將要面臨的挑戰仍然嚴峻，包括國際競爭環境，國內的市場接受度等，特別是在存儲器產品的開發生產、專利技術的獲得以及市場競爭等關乎企業未來成敗的幾個方面，新公司將會如何應對呢？

　　3D NAND +DRAM，產業鏈整合值得觀察

　　“長江存儲”成立的消息近來已在業內持續發酵，業界關注的重點首先仍在存儲產品的開發與生產上。畢竟這是一家企業生存發展的基礎。

　　對此，研究機構DRAMeXchanGE研究協理楊文得指出，中國廠商近一年來通過佈局閃存產業所展現的規劃力、執行力與彈性均不容小覷，武漢新芯原為NOR閃存生產廠，在生產經驗、廠房與產能建置等基礎建設領域有所擅長，而紫光集團則在資金募集及國際合作等方面有過人之處。通過兩強攜手整合資源，能使中國閃存產業投資的整體資源分配更加集中，有助於中國建立產業自主性。

　　如果進一步分析可以發現，武漢新芯在3D NAND上已表現出一定技術實力。武漢新芯執行副總裁、商務長陳少民此前接受記者採訪時表示，2015年武漢新芯已經在3D NAND開發上取得進展，具有9層結構的三維存儲器芯片下線。他們有信心在2018年存儲器基地項目量產時，推出具有市場競爭力的產品。

　　而根據武漢新芯今年3月啟動“國家存儲器項目”時發布的發展規劃，2020年產能目標為30萬片/月，其中3D NAND 20萬片/月、DRAM 10萬片/月。

　　對此，Gartner研究總監盛陵海表示，如果武漢新芯在3D NAND上有一定基礎的話，紫光進入有可能使新公司在DRAM上取得一定進展。紫光集團2015年收購了國內唯一一家DRAM設計公司西安華芯，同時我國台灣地區存儲器生產廠華亞科前董事長高啟全亦加入了紫光集團。

　　此外，有關存儲器產業鏈的整合也將是一個看點。紫光集團此前已經在存儲產業鏈方面進行了一定佈局，2015年斥資71億元人民幣成為紫光國芯的控股股東。紫光國芯除擁有FPGA、智能卡和安全芯片等傳統市場外，也是紫光集團進入存儲芯片領域的平台。下一步紫光集團如何將此前的產業鏈佈局與武漢新芯的晶圓製造整合，值得觀察。

　　與美光合作，“華亞科模式”並非最優選擇

　　對於中國發展存儲器產業，業界目前最為關注的仍是專利技術的獲取。此前，武漢新芯在NAND Flash上有所佈局，包括與Spansionw合作開發及專利交叉授權3D-NAND Flash技術。業界傳出的消息為，正在開發32層堆疊的3D NAND，計劃2018年上半年實現量產。此外也有消息稱，與美光洽談技術授權，甚至稱有可能採取類似美光與華亞科合作的模式（美光技術授權，並包下華亞科所有產能）。相信，在紫光集團與武漢新芯攜手之後，將加大新公司與技術授權來源美光的談判優勢，一定程度上有望加速獲得如美光的第三方技術授權。

　　但是，盛陵海卻表示，對中國企業來說，其實“華亞科模式”並不是最優選擇。中國發展存儲器產業，強調的是自主可控。而華亞科模式在短期內雖然有助於企業在市場上較快立足，但是從長遠來看，也會限制企業的成長。半導體專家莫大康在接受記者採訪時也表示，不傾向於採用“華亞科模式”。中國發展存儲器產業，應當更加強調自主創新。

產能擴張，市場因素為成敗關鍵

　　如果資金與技術能夠跟上，存儲器產品的開發與生產其實並沒有太大懸念，最關鍵仍是未來生產出的產品與價格能否為市場所接受。根據陳少民的估算：“每個晶圓片可切割芯片700顆～800顆。如果按月產能20萬片計算，屆時武漢新芯的產能約佔全球市場的11%～13%。”如果不計算紫光加入帶來的變化因素，僅按這個市場目標，是頗具雄心的。

　　值得注意的是，近幾個月以來，國際半導體巨頭已經紛紛加碼投資先進存儲芯片項目。在NAND Flash方面，三星除西安廠的投資外，韓國平澤廠區也規劃新的3D NAND Flash產能。東芝電子與閃迪（SanDISk）在日本Fab2廠的產能持續增加，新廠可望在2018年下半年投產最新製程的3D NAND。SK海力士則除現階段M11與M12廠外，M14廠第二階段3D NAND的生產也將從明年第一季度開始進行。如果加上武漢新芯2017年年底至2018年量產的3D NAND，未來，全球在3DNAND的大戰看似己不可避免。

　　魏少軍在接受媒體採訪時曾談到“在長江存儲啟動投資後三年左右的時間，將是大家最難受的時候”，其中所指的正是這個產品生產出來並推向市場的關鍵時期。屆時，必然會有一場激烈的市場爭奪。

　　“在這種情況下，紫光集團與武漢新芯兩強攜手，有利於渡過這個難關。這包括紫光集團在資金募集方面的能力。同時，國家集成電路產業投資基金應當發揮政策主導性的作用。”莫大康指出。

　　此外，根據DRAMeXchanGE數據，在NAND Flash產業方面，2011年至2016年NAND Flash需求的年復合增長率高達47%。而受益於3D NAND Flash的製程升級加速，SSD的價格開始滑落到廠商的甜蜜點，SSD在筆記本電腦的滲透率在2018年全年度將超過50%，而服務器/數據中心等級的固態硬盤也將以每年20%的增長率快速增長。在SSD的帶動下，NAND Flash的需求量可望在未來10年內維持強勁的增長態勢。市場增長也利於產能的消化，有助於中國存儲企業的立足與發展。

Bigfoot Biomedical為其智能循環自動化胰島素給藥系統招募了首位臨床試驗志願患者。該試驗研究了應用於Bigfoot公司雲互聯胰島素給藥系統的專有閉環算法（closed Loop algorithms）。

人類可能還沒有做好“未來主義”人體植入（transhumanist body implant）的準備，但是，最近在加州大學伯克利分校（UC Berkeley）展開的一項研究表明，他們的研究成果離未來又更近了一步。

治愈任何疾病的最好方法是什麼？當然是把它扼殺在搖籃裡。“早發現早治療”已經是老生常談，但要準確監測疾病又談何容易？不過現在，IBM這枚小小的芯片就能夠幫我們檢測出癌症。

7月22日，TCL在浙江盛大舉辦“科學家面對面——量子點顯示科技科普大講壇”活動，浙江大學教授、量子點資深專家彭笑剛，與來自全國各地100多位媒體代表，面對面探討了量子點顯示技術現狀以及未來前景。

　　彭笑剛對話百大媒體，

　　未來的世界將被大量的數據洪流所淹沒。信息從四面八方席捲而來，被全天候保存在數據中心的存儲盤中。人們正在把各種各樣的設備接入到互聯網上，並將他們的原始數據保存在磁盤中。

　　物聯網設備每年將增加大約550萬個設備，2020年將有近210億個設備將連接無線互聯網上。

令三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士坐立難安，英特爾(Intel)與美光(Micron)攜手開發號稱速度比NAND Flash快1,000倍的3D XPoint存儲器技術，雙方合作效益即將顯現。據英特爾規劃，採用3D Xpoint技術的固態硬碟(SSD)Optane系列，工程樣本已交予客戶，預計年底正式上市，而2017年3月起也會搭配下一代Kaby Lake平台系統全面放量，市場預期，3D Xpoint SSD效能與耐用性令人驚艷，為高階服務器與PC帶來革命性應用，2017年下半起可望為英特爾帶來全新成長動能。

隨著PC、服務器等儲存裝置逐漸由傳統硬碟轉換到SSD，三星、英特爾、東芝與SK海力士等多家業者也全面加速SSD事業佈局腳步。然而，英特爾於2015年7月底和美光所共同發表的3D XPoint技術，帶來全新技術應用，市場預期將撼動SSD戰局。

近日，TrendForce集邦科技旗下LED行業研究品牌LEDinside得知micro LED 將於2018年量產的消息。為了更全面的瞭解micro LED的技術發展與市場潛力，對micro LED的歷史、現況、原理、製程及參與企業等多方面做了全面的梳理。

歷史

TDK子公司EPCOS（愛普科斯）欲出價4865萬歐元收購MEMS傳感器專業公司Tronics。

從CMOS影像傳感器大廠Sony發表的中期營運計劃發現，2016~2017會計年度相關事業部營收介於9,600億日圓(約90.6億美元)至1兆日圓間，與2015年相較並無明顯成長，且2016會計年度影像傳感器設備投資額將降至700億日圓，該年度月產能將維持7萬片(約當12吋晶圓，以下同)。此顯示Sony在面對手機應用市場趨緩之際，需強化更多領域的開發，而該公司早先透過購併所取得技術，著手佈局汽車、機器人、醫療等專業領域。

從Sony預測全球影像傳感器市場規模來看，至2020年比重最大的前三名應用依序為手機、安控、汽車，然從2014~2020年復合成長率來看，成長率最高者依序為醫療、安控、汽車，皆將達27%以上，而Sony出貨量最高、市佔最大的手機應用全球成長率將僅4%。值得注意的是，前三大成長率最高的應用產品中，Sony目前於車用影像傳感器市佔率尚偏低。

近日，TrendForce集邦科技旗下LED行業研究品牌LEDinside得知micro LED 將於2018年量產的消息。為了更全面的瞭解micro LED的技術發展與市場潛力，對micro LED的歷史、現況、原理、製程及參與企業等多方面做了全面的梳理。

歷史

中國科學院合肥物質科學研究院安徽光學精密機械研究所激光技術中心研究員方曉東課題組在量子點敏化太陽能電池（QDSCs）研究方面取得進展，相關研究結果以A new probe into thin copper sulfide counter electrode with thickness below 100 nm for quantum dot-sensitized solar cells為題發表在《電化學學報》雜誌 ​​上（Electrochimica Acta 205 (2016) 45–52）。

液晶面板技術發展前景有限，為了不讓AMOLED面板技術不斷超前，越來越多業者選擇在高階產品導入量子點技術方案，透過量子點技術進而擴增液晶面板的特性表現，甚至在Apple公司已針對量子點技術領域取得多項專利，更讓量子點面板技術方案未來發展備受市場期待。

檢視液晶螢幕的技術架構，背光設計一直是LCD的關鍵設計，優秀的背光與背光源頻譜效果大體上就左右一片液晶屏幕的成像品質水準！而目前常見具成本優勢的液晶螢幕大多采用高亮度藍光LED、搭配封裝材料添加螢光粉的方式獲得接近白光的背光效果，實際上這種作法雖具備低成本效益，但也因為缺乏真實紅光/綠光混合光源讓面板的顯色能力因此受限，至於新穎的量子點(Quantum Dot)面板科技目前最大的效益在於以藍光背光為基礎精準轉換取得紅光/綠光背光需求，進而擴展LCD面板的顯色能力。