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國際電機電子工程師學會(IEEE)旗下的全球標準制定機構——IEEE標準協會(IEEE-SA),率先為量子運算(quantum computing)建立標準定義。

IEEE-SA的「量子運算定義標準」(Standard for Quantum Computing Definitions)計劃也稱為IEEE P7130,目標在於追求使量子運算更易於被更大的族群利用,包括軟硬體開發人員、材料科學家、數學家、物理學家、工程師、氣候科學家、生物學家和遺傳學家。

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20170817_SQUID_NT02P1

超導量子干涉裝置(SQUID)是以包含超冷「約瑟芬接面」(Josephson junction)的超導迴路為基礎,可用於實現當今最靈敏的磁力計。如今,美國國家標準技術研究所(NIST)和科羅拉多大學波德分校(University of Colorado, Boulder)的研究人員重新利用SQUID產生微波超級多工器,將來自多達1,000個低溫微熱量計的訊號放在單個同軸電纜上。

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Imuzak,一家處理光學設計的日本公司,開發了一種減少光反射的塑料。

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約翰•霍普金斯大學(John Hopkins University)開發出一種鎳合金,具有高導電性和高溫耐受性,或將成為矽材料傳感器的替代材料。

工業物聯網將科技推向了前所未有的新高度,不過,目前的微型傳感器技術還有一些局限性。隨著越來越多的器件實現互聯,研究人員開始尋求新的選擇。

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20170718_AR_NT01P3

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相信大多數人對紅外光,激光和微波等技術都有所了解,而知道太赫茲技術的人卻寥寥無幾。對此,人民網採訪了國中著名激光與非線性光學專家,中國科學院院士姚建銓及從事太赫茲技術相關領域的研究人員。

早在2004年,美國首次提出了太赫茲(THz,10Hz)技術,並將其列為“改變未來世界的十大技術”之一。那麼,太赫茲技術到底是什麼?它有怎樣的魅力,能夠吸引全球科學家的關注呢?它會給人們的生活帶來哪些影響?帶著這一系列問題,人民網採訪了中國著名激光與非線性光學專家,中國科學院院士姚建銓及從事太赫茲技術相關領域的研究人員,揭開太赫茲技術的神秘面紗。

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Scanning Electron Microscope Images of architectured carbon nanotube (CNT) textile made at Illinois. Colored schematic shows the architecture of self-weaved CNTs, and the inset shows a high resolution SEM of the inter-diffusion of CNT among the different patches due to capillary splicing. Credit: University of Illinois

Reflecting the structure of composites found in nature and the ancient world, researchers at the University of Illinois at Urbana-Champaign have synthesized thin carbon nanotube (CNT) textiles that exhibit both high electrical conductivity and a level of toughness that is about fifty times higher than copper films, currently used in electronics.

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Intel、台積電及三星三大半導體工廠今年將量產10nm工藝,他們中進度快的甚至準備在明年上馬7nm工藝,2020年前後則要推出5nm工藝。但是隨著製程工藝的升級,半導體工藝也越來越逼近極限了,製造難度越來越大。

5nm之後的工藝到現在為止都沒有明確的結論,晶體管材料、工藝都需要更新。在這一點上,美國又走在了前列,美國布魯克海文國家實驗室的科研人員日前宣布實現了1nm工藝製造。

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20170503_3D-Graphene_NT01

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20170426_AMBER_NT01P1

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A nickel film peel-off from a silicon wafer demonstrates the concept of using a 2D material-based transfer process for wafers.(Source: Jose-Luis Olivares/MIT)

A nickel film peel-off from a silicon wafer demonstrates the concept of using a 2D material-based transfer process for wafers. 

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