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近來東芝（Toshiba）、美光（Micron）布局 3D 架構 NAND 型快閃記憶體（Flash Memory）的動作頻頻，讓身為 NAND Flash 龍頭廠、且是全球第一家量產 3D NAND 的南韓三星電子倍感威脅，不過三星也不是省油的燈，宣布第 4 代 3D NAND 產品將在 Q4 開賣。
南韓媒體朝鮮日報日文版 12 日報導，三星 11 日宣布，第 4 代 V-NAND Flash（3D NAND）產品將在 2016 年 Q4（10-12 月）開賣，該款產品將採 64 層堆疊。三星指出，藉由採用 64 層堆疊技術，每片晶圓的儲存容量可較現行技術提高 30%，能有效改善成本競爭力。
三星為全球第一家量產 3D NAND 的廠商，於 2013 年研發出堆疊 24 層的 3D NAND 之後，就逐步將技術升級至 32 層、48 層，此次則進一步提升至 64 層。
據報導，統籌三星半導體部門的金奇南社長表示，「預估在不久的將來將能夠開賣採用 100 層以上積層結構的 1TB 等級 NAND Flash 產品」，該款產品的儲存容量將達現行主流產品的 4 倍。