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GlobalFoundries 打算在2014年開始量產 14XM FinFET 製程，該製程旨在降低功耗，但就尺寸來看，與 20nm 平面塊狀矽CMOS製程相比，新製程所能減小的晶片尺寸非常少，甚至根本沒有減少。
Globalfoundries下一代製程名為 XM ，意指極高的遷移性，也表示該公司將能提供更先進的性能和功耗。其功耗優勢在於有功功率消耗可減少40%~60%，Chian表示。

僅僅在啟動20nm CMOS製程後一年，Globalfoundries 就積極導入 14XM 節點，這也是該公司首次部署鰭狀電晶體。然而，要做到這一點，該公司要使用與其20LPM製程相同的中間和後端金屬，而且用 FinFET來取代平面電晶體。為了緩解客戶的上市壓力，Globalfoundries也使用了可移植的IP模組，而用於14XM製程的這些模組往往與用在20LPM製程中的有著相同的面積。

Globalfoundries 設計開發副總裁Mojy Chian表示，這將讓開發人員盡可能地在早期設計就開始使用。這種策略將使晶片製造領域跳脫過去僅依循晶片尺寸微縮和節省成本的發展路線，進而驅動整個產業轉型。“價值主張在於功耗及性能，而非尺寸，”Chian說。他接著表示，“快速地轉移，是新製程最重要的一個部份。”

但他也指出，與20nm平面電晶體相比，由於FinFET的電流驅動強度將會增加，因此設計師或許可以選擇重新合成設計，並針對某些特定設計從設計庫中選用較小尺寸的單元。他表示，使用尺寸不同的單元某種程度上也有助於減小尺寸。

Chian對於導入14XM製程深具信心，並表示該製程不必等待超紫外光(EUV)微影技術。他表示，“其後端與20LPM相同。它們都能用雙重圖案來完成。”

英特爾是率先推出使用FinFET的22nm 商業化製程公司。然而，該製程一直被批評為僅提供單一電晶體的閾值電壓，這將限制設計人員，而且也並非真的尋求降低功耗的方法。但英特爾已宣佈，2013年該公司將量產採用第二代22nm FinFET製程的元件。

Chian 則表示，14XM將讓設計人員更容易使用。“我們計劃提供多閾值電壓。我們不希望有任何設計限制。不過，VT會被量化，設計人員必須體認到這一點。”

其競爭對手台積電(TSMC)也預計在16nm節點採用FinFET。

編譯： Joy Teng

(參考原文：Globalfoundries' 14-nm is 'low-shrink' node，by Peter Clarke)