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八位來自荷蘭代爾夫特理工大學的學者聯合在Nature Nanotechnology發表了一篇論文，介紹了他們的原子級硬盤。通過在金屬銅上操縱氯原子，可以實現1平方英寸下500Tb的存儲，約合1平方厘米10TB。

細胞對周邊電路（以下簡稱上圍Cell）的構造由美光美光（Micron）與英特爾（英特爾）陣營開發，採用將三維NAND閃存晶胞（Cell）的陣列堆疊在周邊電路的CMOS邏輯IC上的方式，以縮減採3D NAND閃存解決方案的晶片面積.DIGITIMES研究觀察，三星電子（三星電子）已提出類似此一構造的COP（細胞在圍）方案，將有利整合元件廠（集成設備製造商; IDM）三星，東芝（東芝）提升其3D NAND Flash的競爭力。

然而，在圍細胞構造將原先在不同制程製作的3D NAND NAND閃存經高溫制程後，恐因高溫而破壞下方CMOS電路，將影響良率。

目前，越來越多的智能手機廠商，開始大幅度提高手機閃存的容量，市場對於閃存的需求和技術要求越來越高。據悉，日本東芝和韓國三星電子在閃存技術上存在激烈競爭，而東芝領先了一局，該公司即將大規模生產3D閃存。

據日本經濟新聞周六報導，本財年內（明年三月底之前），東芝公司將會投產最新一代的3D閃存，這將領先於閃存老對手三星電子。

集微網消息，據海外媒體報導，東芝(Toshiba)計劃領先三星電子(Samsung Electronics)於2016財年開始量產64層3D NAND Flash存儲器芯片。日經亞洲評論(Nikkei Asian Review)報導，東芝於7月15日舉辦日本三重縣四日市(Yokkaichi)半導體二廠啟用儀式，未來將在此工廠生產64層NAND Flash。

64層NAND Flash較東芝和三星目前生產的48層NAND Flash容量高30%，雖然價格較高，但每單位容量會比48層版的便宜。若應用於智能型手機，這種芯片不僅能擴充數據儲存容量，還能提高處理速度。東芝更鎖定持續大增的數據中心數據儲存需求。

在全快閃儲存陣列這類型產品誕生初期，唯一的賣點便是高效能，應用面向也局限於線上交易處理等高IO需求領域。為了擴展應用環境，後來的全快閃儲存陣列發展也有了不同的發展。

是我們繼之後，第2次的全快閃儲存陣列採購特輯。全快閃儲存陣列不愧是當前最熱門、發展最活躍的企業儲存產品領域，僅僅一年之間，從廠商生態到產品技術發展，都出現了很大的變化。

支撐儲存市場的生力軍

　　Techinsights討論三星的32層與48層3D V-NAND在結構上的不同

　　三星己經開始量產它的48層3DVNAND芯片(48層單元柵在一個NAND中串接在一起，稱作第三代)應用在SSD中，如SSDT3(mSATA及850EVOV2)，NVMeSSD(PM971-NVMe )以及企業級SSD(PM1633a)

搶攻物聯網（IoT）和汽車應用程式，美光（Micron）宣布推出新一代嵌入式SLC NAND快閃存儲器。美光第二代序列式（SPI）NAND和第五代並行SLC NAND支援各種設計的不同介面，具備業界最頂級可靠性、讀取和編程性能、簡化設計和先進的安全等功能。

國際市調公司顧能（Gartner）預測，物聯網終端的硬體和服務市場到2020年時將成長至350萬兆美元。當系統設計師為互聯家庭、可穿戴式裝置和汽車互聯的性能動力找尋嵌入式解決方案時，半導體原料供應商也提高了安全和無縫的技術要求。Micron最新的SLC NAND滿足了這些高性能儲存技術的要求，以推動市場向前發展。

由於記憶體原廠端供貨吃緊，一線PC-OEM客戶於六月提前與DRAM廠洽談第三季合約價格，集邦科技旗下DRAMeXchange預估第三季DRAM合約價上漲趨勢確立，漲幅約4～ 8%。

DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，經過近兩年的續跌，6月合約價已呈現持平，普遍用12.5美元價格議定完成。

企業級SSD儲存容量正式超越傳統硬碟，10TB以上超大容量SSD時代已將到來，將給企業儲存應用帶來新的局面

集微網消息，據海外媒體報導，東芝與美國合作夥伴西部數據Western Digital，將於未來3年合共投資1.5萬億日圓(981億人民幣)，為目前位於日本的快閃存儲器廠房增產。

目標2017 財年將3D 存儲器的生產提升至佔市場份額一半，並於2018財年增至逾80%。日後，兩家公司合營的日本三重縣四日市廠房的產能，將為韓國三星電子旗艦工廠的約兩倍。

因今年扭轉營運的希望破滅，存儲器芯片廠美光科技宣布將進行裁員或減少項目等措施，以降低成本。
美光發言人表示，公司現在計劃將營運焦點放在關鍵項目，並裁員約7.5%，相當於2400人，其中三分之一為招聘職位。

2016年下半存儲器業者別3D NAND Flash量產規劃

東芝(Toshiba)2015日本會計年度(2015年4月至2016年3月，以下簡稱年度)半導體事業營收不僅較2014年度衰退6.9%，為1.11兆日圓(約100億美元)，且營業利益由盈轉虧，營損率為6.4%。

DIGITIMES Research觀察，東芝為求2016年度轉虧為盈，在2016年3月開始量產48層堆疊3D NAND Flash，更計劃供應價格低於15奈米平面型的64層堆疊產品，同時成立系統LSI新公司Japan Semiconductor Corp.(JSC)，尋求承接以類比IC為主的晶圓代工機會，但短期仍以製造東芝系統LSI產品為主。

用戶端固態硬碟(SSD)版圖急速擴張。慧榮科技日前祭出全球首款搭載靭體並支援SATA 6Gbit/s介面的SSD控制器解決方案，可支援所有主流NAND供應商最新的3D TLC NAND產品。該控制器與配套的韌體將可加快SSD製造商推出3D TLC SSD的速度，進一步推動SSD走向大眾市場。
慧榮科技總經理苟嘉章表示，NAND供應商已經做好3D TLC NAND時代來臨的準備，這會大大改善巿場供給並加快推進SSD的應用。慧榮科技新的SM2258可製定SSD控制器解決方案，幫助該公司的合作夥伴採用最新一代低成本3D TLC SSD產品迅速進入市場，而無需犧牲性能和容量，加快SSD取代傳統硬碟的趨勢發展。