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正如同其前一代規格，下一代行動記憶體標準(Low Power Memory Device Standard，低功耗記憶體元件標準) LPDDR4 的目標是將資料速率提高一倍的同時也將功耗減半；但記憶體介面標準組織 JEDEC 恐怕要到 2014年才會公布其第一版規格內容；至於 LPDDR3 目前仍在努力擴大市場，目前大多數行動裝置(包括智慧型手機與平板電腦)，仍僅支援LPDDR2。
JEDEC 的JC-42.6低功耗記憶體標準小組委員會主席Hung Vuong表示，該組織正在進行LPDDR4標準擬定的最後階段，目標是在明年正式公佈。而JEDEC也在 8月公佈了更新版的LPDDR3規格(2012年第一季首度發表)，可支援2,133 Mbit/s的資料速率。

英特爾(Intel)與工研院攜手開發的三維(3D)動態隨機存取記憶體(DRAM)，已進入晶片試產(Tape Out)階段，未來將可望挾超高性價比優勢，橫掃行動裝置與雲端資料中心等應用。

王文漢進一步指出，這項合作計畫已開發出多款低功耗實驗性陣列記憶體(Experimental Memory Array)，以及一款原型陣列記憶體產品。原型陣列記憶體運用矽穿孔(Through Silicon Via, TSV)技術堆疊成3D的立體結構，不僅提升3D堆疊與系統最佳化的成效，且可以讓高密度記憶體大幅改善記憶體的電源使用效益並提高成本效益。英特爾實驗室副總裁暨執行總監王文漢表示，現在是DRAM產業世代交替的一個時間點，各種創新技術發展的機會也相對蓬勃。英特爾實驗室和工研院從2011年開始合作進行研究，針對未來的超輕薄筆電(Ultrabook)、平板電腦、智慧型手機等行動裝置，以及未來的百萬兆級(Exascale)與超大型雲端資料中心(Cloud Mega Datacenter)成功開發高效能且超省電的陣列記憶體架構。

據《日經》Asian Review報導，日美超過20家芯片業公司正聯手開發名為MRAM的下一代"磁阻隨機存取存儲器"的芯片技術。這些企業包括東京電子、信越化學、瑞薩電子、日立、以及美國內存巨頭鎂光科技。它們將向位於日本北部的東北大學"抽調出數十名研究人員"，團隊領導人為遠藤哲夫(Tetsuo Endoh)教授，開始時間為明年2月。

與DRAM不同，MRAM採用的是磁存儲的手段(DRAM為電荷或電流)。

市場研調機構集邦(TrendForce)旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange調查顯示，時序進入傳統出貨淡季，加上全球需求面不佳，11月上旬DRAM合約價議定意願普遍不高，加以市場上供貨緊俏的狀況正逐漸緩解，合約價格再度以持平開出，4GB均價約在32美元價位，2GB均價則維持在17.75美元。
DRAMeXchange指出，從市場面來觀察，SK Hynix無錫廠正在恢復產能當中，10月份投片已經來到3萬片，11月投片雖在確認當中，但也應有4至6萬片以上水準，雖然該廠區仍受設備商出貨遞延影響產能恢復進度，但原則上無錫廠的產能供應將有機會於明年Q1全面恢復。

根據在美國 IBM Almaden 研究中心舉行的一場感知運算研討會上發表之技術簡報，巨量資料(big data)分析學不但能模仿人腦，甚至有可能取而代之。
在該場研討會上，風險投資業界資深人士、也是Sun Microsystems 共同創辦人的Vinod Khosla呼籲，科技演進應該朝向藉由把更多醫療決策交由智慧型系統進行，以減少人為疏失。他認為，目前的醫療都仰賴醫學專家的意見，因此往往是：「根據一連串通常正確比錯誤來得多的偏見(bias)；我懷疑我們是不是需要讓人類跳出該種循環。」

市調機構集邦科技旗下存儲器儲存事業處DRAMeXchange調查顯示，第4季各項NAND Flash終端需求確立旺季不旺，加上廠商庫存水位依舊偏高，採購意願薄弱，因此11月上旬合約價較10月下旬下跌5~7％，NAND Flash合約價至今年年底前將維持下跌走勢。

從供給面來看，SK海力士無錫廠9月份火災後，SK海力士與三星分別將30％與5％不等的NAND Flash產能轉往DRAM，讓整體第3季與第4季的NAND Flash產出下降，因此2013年的產出位元年增率（bit growth），從40.8％再度下修至40.3％。

資料中心(Data Center)將成驅動記憶體業成長的新動能。隨著雲端服務崛起，全球資料中心逐漸往大型(Large)及超大型(Very-Large)發展；目前這兩類資料中心佔整體資料中心的資本支出比重已達六成，且未來仍將節節攀升，可望帶動龐大儲存需求，並推助記憶體業創造另一波成長高峰。

東芝(Toshiba)集團前資深執行副總裁暨現任常任顧問齊藤升三(Shozo Saito)表示，企業界近年來開始仰賴巨量類比資料(Big Analog Data)運算及分析，以提供客戶差異化的服務價值，而在分析巨量資料的過程中還會再衍伸、創造出新的資料，如此龐大的資料流量將使企業界面臨資訊爆炸(Info-plosion)的處境。

SK海力士火災移轉產能效應失靈，NAND Flash本季仍供過於求、價格也將恢復走跌情勢！受到大陸十一長假銷售情況疲軟，研究機構TrendForce（集邦）公佈最新10月上旬NAND Flash合約價以持平開出，並預期NAND Flash合約價將開始轉為下跌。

集邦根據旗下全球存儲器儲存事業處DRAMeXchange最新調查指出，雖然SK海力士9月無錫廠火災後將部分NAND Flash產能移往DRAM，但受到大陸十一長假銷售情況疲軟、加上廠商對後續歐美感恩節與聖誕節需求轉趨保守，使得10月上旬主流NAND Flash合約價僅持平開出。

隨著傳統的半導體製造技術在NAND flash領域即將達到極限，存儲器芯片廠商紛紛開始採用3D生產技術以提高產能。

根據IHS的報告顯示，到2017年，全球近三分之二（65.2%）的快閃存儲器芯片將採用3D技術，而在2013年這一比例僅為1%。 2014年採用3D技術的快閃存儲器芯片比例將增至5.2%，2015年則將飆升至30.2%。到了2016年這一比例將擴大至49.8%，幾乎佔整個快閃存儲器市場的一半。

瑞薩電子(Renesas Electronics)將推出十二款RMLV0416E、RMLV0414E及RMLV0408E系列先進低功率靜態隨機存取記憶體(Advanced Lower-power(LP) SRAM)新產品。新款記憶體裝置具有4Mb密度，並採用電路線寬僅110奈米(nm)的精密製程技術。

全新先進低功率SRAM系列，提供與瑞薩現有採用150奈米製程SRAM產品相同的高可靠性，包括無軟體錯誤及無閂鎖。這些產品可在標準電流2微安培(µA)、25°C下達到低功率運作，適用於以電池備份裝置中的資料儲存。瑞薩低功率SRAM已在多種領域獲得廣泛採用，包括工業、辦公室、通訊、汽車及消費性產品，該公司此類產品在2012年擁有全球第一的市佔率。近年來，由於製造商系統已達到更高效能與更先進功能，SRAM已成為提升整體系統可靠性的重要因素。特別是儲存重要資訊如係統程式與帳單資料的SRAM，必須提供高水準的可靠性，因此焦點也特別放在降低因α輻射與宇宙中子輻射造成軟體錯誤的方法。瑞薩先進低功率SRAM架構中，記憶體單元里每個記憶體節點皆附加實體電容器，因此對於軟體錯誤具有極高耐受性。在發生軟體錯誤後，一般處理方法是在SRAM或製造商系統中納入內部錯誤修正碼(ECC)電路，但此方法有其限制，在一些情況 ​​下，ECC效能可能無法處理影響多個位元的錯誤。

中國科學技術大學郭光燦院士領導的中科院量子信息重點實驗室在高維量子信息存儲方面取得重要進展：該實驗室史保森教授領導的研究小組在國際上首次實現了攜帶軌道角動量、具有空間結構的單光子脈沖在冷原子係綜中的存儲與釋放，證明了建立高維量子存儲單元的可行性，邁出了基於高維量子中繼器實現遠距離大信息量量子信息傳輸的關鍵一步。這項研究成果在線發表在《自然·通訊》上。

量子通信系統中作為載體的單光子所攜帶的信息量的大小與所處編碼的空間維數有關。目前光子主要編碼在一個二維空間，因而一個光子攜帶的信息量是一個比特。如果能將光子編碼在一個高維空間（如軌道角動量空間），則單個光子所能攜帶的信息量將大幅度增加，極大地提高量子通信的效率。此外，利用光子的高維編碼態還可以提高量子密鑰傳輸的安全性，並且在量子力學的一些基本問題的研究方面也有非常重要的應用。遠距離量子通信的實現和量子網絡的構成必須藉助於量子中繼器，而量子存儲單元是構成量子中繼器的核心，實現光子攜帶信息在存儲單元中的存儲與釋放是實現中繼功能的關鍵。雖然這方面的研究已取得重大進展，但到目前為止實驗存儲的單光子均為高斯脈衝，且被編碼於二維空間，只能實現一個比特的存儲。因而，能否實現編碼於高維空間光子的量子存儲是提高量子通信效率、構建基於高維中繼器的遠距離量子通信系統和量子網絡的關鍵。儘管人們已成功實現攜帶高維空間信息的光脈沖在不同存儲體系中的存儲，但到目前為止，所有光脈衝均為經典強光或衰減的弱相干光，能否實現和如何實現在單光子條件下高維量子態的存儲仍然是量子信息領域中一個急待解決的熱點問題。

美光總裁Mark Adams在財報電話會議上表示，整體而言DRAM市場處於吃緊狀態、庫存水準仍相當低，主要是受到特殊應用市場需求持續上揚、PC DRAM供 ​​不應求以及競爭對手Hynix供給受阻的影響。他指出，美光預期本季(9-11月)DRAM均價將較上一季上揚5-7%，但NAND均價將下滑8-9%。

來源：精實新聞發布者

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Seagate 用於輕薄筆電的 5mm 硬碟已經讓我們眼前一亮，此番他們更進一步，帶著全新的 Ultra Mobile HDD 來到了 Android 平板的市場。在現有 5mm 硬碟的基礎上，Seagate 為新品加入了高速 8GB 快閃快取，同時整體結構更緊湊，而且其韌體也針對功耗和防震性進行了加強。

DDR4 記憶體終於進入量產階段了！Samsung 今天正式宣佈他們已經開始大規模量產 20nm 製程的 4Gb 記憶體顆粒，以供 16GB 和 32GB 兩種規格的產品使用。據悉他們接下來會將 32GB 的記憶體推向伺服器市場，其產品的最高速度據稱可達 2,667 Mb/s，效能更強，同時功耗在 DDR3 產品的基礎上可降低 30%。按照 Samsung 的說法，他們即將打造的是全球最小最強勁的 4Gb DRAM 晶片，但顯然其目標不止於此，早在 2011 年時他們就定下過 4Gbps 的目標啦。

根據市調機構集邦科技旗下存儲器儲存事業處DRAMeXchange調查及預估，由於低價智能型手機搭載的NAND Flash容量低，加上雲端運算使用率提升，導致記憶卡及優盤等銷售量低於預期，行動裝置NAND Flash儲存容量的成長受阻，中低階行動裝置需求提升將無助於平均儲存容量的增加。

隨著手機零組件與硬件規格逐漸標準化的影響，各品牌智能型手機的產品區隔性已逐漸降低，加上高階市場也面臨飽和，主要國際手機品牌紛紛將中低階機種列為經營重點，大基品牌對市場影響力也隨著出貨量暢旺，能見度逐漸提高。

日經新聞報導，全球第2大NAND型快閃記憶體(Flash Memory)廠商東芝(Toshiba)於23日舉行了動工儀式，正式著手興建NAND Flash新廠。該座NAND Flash新廠為東芝位於三重縣四日市第三座12寸NAND Flash廠「Fab 5(見附圖)」的擴建工程(第2期工程)，預計將在2014年度內開始量產採用最先端細微化技術的高效能NAND Flash產品、且之後併計劃於2015年度生產採用3D結構的NAND Flash。

全球市場研究機構 TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 表示，自從 Apple iPad 問世後，平板電腦輕薄外觀與高度可攜式特性嚴重衝擊傳統筆電出貨量，筆電業者為了與平板電腦競爭，推出Ultrabook/Ultralike產品，並嚴格控制產品厚度、重量以及電池續航力，至今大部分廠商仍在縮小體積與減輕重量等硬體規格上競爭。

IBM預計將在明年利用新創公司Diablo Technologies的技術，為伺服器雙列直插式記憶體模組(DIMM)插槽加入 NAND 快閃記憶體(flash)。該公司並計劃在 DIMM 埠中採用自行設計的控制器晶片。
此外，IBM並加倍擴增去年從Texas Memory Systems公司收購而來的 flash 控制器設計團隊規模。預計在今年年底前，該團隊將為其最佳化的儲存陣列推出增強版控制器，並搭配東芝 NAND 晶片共同使用。該公司期望未來版本的控制器能與任何供應商的 flash 晶片搭配使用。