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TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange表示，隨著DRAM原廠持續調整產出比重，標準型記憶體在供貨持續吃緊下，九月合約價維持強勁上漲走勢，均價已來到14.5美元，月漲幅達7.4%，在全球筆電需求出乎意料大增的情況下，預估第四季的合約價季漲幅將直逼三成，創下兩年來的新高點。

DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，DRAM現貨顆粒價格漲幅更為劇烈，如DDR3／4 4Gb價格分別來到2.1／2.0美元，較上月同期已各上漲19%與15%，顯見市場供不應求的態勢持續擴大。

據外媒報導，東芝今天將截至9月份的上半財年營業利潤預期上調一倍以上至700億日元（約合6.95億美元），此前預期為300億日元。

SSD（固態硬碟）需求，研究機構Research and Markets預估，SSD市場從2016至2020年的年均複合成長率將達33.24%，SSD的普及原因，其實來自於各記憶體廠大廠正在積極研發3D NAND Flash，預測未來4年投入生產金額將超過高達5400億元。

近年來SSD需求大幅增加，原因不外乎使用成本逐漸降低，且相較於傳統硬碟有著更為輕薄、較耐摔的特性，效能也更加迅速，SSD與傳統硬碟的售價差正在收斂，使近來掀起NAND Flash需求銳升的趨勢。

三星主導調漲DRAM報價策略奏效，全球市場研究機構TrendForce集邦科技最新DRAM現貨報價連四天緩步上揚，主流DDR4 4Gb DRAM有機會向2美元叩關，也是近2個月來漲勢最明確的半導體重要元件。

存儲器渠道商表示，三星和SK海力士近期主導價格漲勢態度積極，除8月調漲DRAM報價，第4季合約價也再漲一成，連同第3季合約價調漲15%，等於下半年漲幅約25%。

2大韓系DRAM大廠的市佔逾八成，主導DRAM漲價策略奏效，已激勵現貨報價連四天上揚，集邦最新DRAM報價，主導DDR4 4Gb DRAM單日最高價已達每顆2.2美元，雖然均價在1.86美元，但業者預期隨買盤升溫，很快會站穩2美元之上。

至於應用於其他工控和網通及消費產品的DDR3 2Gb及4Gb DRAM，漲勢雖未DDR4強勢，但也呈現緩漲態勢。

渠道商分析，兩大韓系業者漲價，三星希望能穩住獲利，彌補Note 7回收的損失，各品牌手機為因應高解析影響處理和儲存需求，新機搭載DRAM和NAND容量都大幅提升，也是“漲價有理”的關鍵。

例如蘋果iPhone 7的DRAM搭載量由2GB推升至3GB，部分非蘋機種更至6GB，都以驚人的幅度成長，筆電廠和資料中心所需的伺服器存儲器需求成長性更為驚人。

第4季是歐美及亞洲零售旺季，包括感恩節、耶誕節及雙十一光棍節等，各家廠商競相備貨搶食商機，韓系大廠在蘋果等主要大廠已包下大部分產能，調升售價是希望藉此要渠道端和委託製造代工大廠備貨。

韓系大廠將產能轉向行動時記憶體和NAND，造成標準型DRAM缺貨，近期標準型DRAM現貨價回升，估計第4季漲勢會以標準型DRAM最明顯，漲幅恐逾一成、甚至可達15%；移動DRAM漲幅估計也會不小。

集邦同時看好儲存型快閃記憶體（NAND Flash）第4季漲勢，主因3D NAND芯片製程推進不如預期，而各項終端產品已進入需求旺季。

為因應全球市場對3D NAND Flash存儲器需求增加，三星電子(Samsung Electronics)投資2.5兆韓元(約22.53億美元)進行韓國華城廠區的產線架設，並與設備業者簽訂供應合約，目標2016年底讓17產線稼動。

據韓國經濟報導，三星電子日前決定購買蒸鍍設備，將用於華城17-2產線生產3D NAND Flash。相關業者表示，已與三星做了口頭約定，將供應17產線設備，設備製造約需1個月左右的時間。

受惠於中國智慧型手機品牌的高容量eMMC/eMCP及iPhone 7備貨需求，第二季整體NAND Flash供貨逐漸吃緊；TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新報告顯示，2016年第二季eMMC、用戶級固態硬碟與企業級固態硬碟的合約價跌幅開始收斂，通路端wafer價格更從四月起逐月走揚，第二季NAND Flash品牌商營收逆勢季成長3.4%，結束前兩季連續衰退的頹勢。

紫光集團旗下紫光股份和西部數據聯合宣布，注資1.58億美元(約合10.5億元人民幣)成立的紫光西部數據有限公司(以下簡稱“紫光西數”)在南京市秦淮高新技術園區正式揭牌。這意味著紫光收購西部數據股份中止之後，雙方的資本動作最終以成立合資公司的形式落地。

　　據了解，紫光西數公司已於2016年3月28日註冊，總部位於南京市秦淮高新技術園區內，市場及銷售總部位於北京，總投資額為3億美元，註冊資金為1.58億美元。其中，紫光股份出資8058萬美元(約合5.13億人民幣)持股51%，西部數據出資7742萬美元，持股比例49%。

受到第三季進入旺季需求帶動，存儲器、面板等關鍵零組件皆終止長期價格頹勢。TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange（全球半導體觀察）表示，存儲器在筆電需求回溫、智能手機延續強勁成長態勢與服務器需求增溫帶動下，DRAM與NAND Flash第四季價格預計將同步上揚，特別是DRAM合約價第四季估將再漲逾一成。

供應持續吃緊，DRAM市場至2017年維持健康供需狀態

美光科技(Micron Technology)在今年初於德州奧斯汀成立美光儲存解決方案中心(Micron Storage Solutions Center：MSSC)，一部份的原因就來自於這種新合作模式的帶動。美光科技儲存軟體工程副總裁Steve Moyer指出，其引爆點就是業界開始轉型至非揮發性記憶體技術以及快閃記憶體成為新興的儲存技術。

「我們從兩年半以前就開始嚴正以待了！」他說，「如今這一變化就發生在企業儲存應用上。」

存儲器作為四大通用芯片之一，發展存儲芯片產業的意義不言而喻。對電子產品而言，存儲芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數據相伴而生，哪裡有數據，哪裡就會需要存儲芯片。而且隨著大數據、物聯網等新興產業的發展，存儲產業與信息安全等亦息息相關。

當前，我國筆記本、智能手機出貨量均居全球首位。華為、聯想等廠商崛起，以及阿里巴巴、騰訊、百度等互聯網廠商帶動數據中心爆發，使得國產廠商對存儲需求量巨大。

在全球持續突破存儲器運行速度的努力進程中，全球各研究人員均對於“相變化存儲器”(Phase Change Memory；PCM)領域的研究感興趣，並投入大量時間從事研發，最新則是美國史丹佛大學(Stanford University)的研究做出了新突破，據稱可讓PCM的運行速度較傳統DRAM快上逾1,000倍以上。

據Techspot網站報導，所謂的相變化存儲器運作原理，是指在低阻抗的結晶態及高阻抗的非結晶態兩種物理狀態下進行移動，雖然此技術在現今全球儲存技術領域中已展現出許多優勢，不過仍存有技術缺陷，即所謂的“延遲”(latency)問題。

DIGITIMES Research觀察2016年第2季南韓記憶體產業發展，由於DRAM價格逐漸觸底、NAND Flash價格攀升、智慧型手機等主要終端裝置出貨增加，南韓記憶體產值再度攻上12兆韓元，達12.25兆韓元(約107億美元)，較前季成長6.6%，但較2015年同期衰退6.0%；DRAM與NAND Flash產值分別為7.8兆及4.45兆韓元，比重分別為63.7%及36.3%，相較第1季的65.6%與34.4%，NAND Flash比重提升2個百分點。

三星(Samsung)已於2016年第1季量產18奈米製程DRAM，2016年第2季生產比重持續提升，並開始將18奈米製程導入伺服器用DRAM及行動(Mobile)DRAM生產。2016年第2季，三星行動DRAM全球市佔表現更上層樓，達61.5%的歷史新高水準。

TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange調查顯示，2016年第三季主流容量PC-Client OEM SSD合約均價，MLC-SSD季漲幅約0~0.5%，TLC-SSD則小跌0~1%，一年來首次出現價格持平。雖然下半年傳出SSD供應鏈供貨吃緊的雜音，今年筆記型電腦SSD搭載率仍將一舉突破30%水準，2017年至2018年則有望挑戰50%大關。

自2013年8月三星率先宣布成功推出3D NAND之後，在技術上每年都會前進一步，由24層、32層、48層，到今年的第四代64層。有消息稱2017年三星將可能推出80層3D NAND。除技術進步之外，有分析師預測在2018年中期，全球NAND閃存市場在3D堆疊技術的影響下，價格有可能低到每Gb約3美分。目前，中國正在下大力度推進存儲產業的發展，3D NAND被認為是一個有利的突破口。在此之際，有必要了解3D NADN的產業競爭形勢。

全球3D NAND競爭形勢加劇

想要了解3D NAND，首先應當了解其關鍵製造工藝。3D NAND的製造工藝十分複雜，主要包括高深寬比的溝開挖(High aspect ratio trenches)、在源與漏中不摻雜(No doping on source or drain)、完全平行的側壁(Perfectly parallel walls )、眾多級的台階(Tens of stairsteps)、在整個矽片面上均勻的澱積層(Uniform layer across wafer)、一步光刻樓梯成形(Single-Lithostairstep)、硬掩模刻蝕(Hard mask etching )、通孔工藝(Processing inside of hole)、孔內壁澱積工藝(Deposition on hole sides)、多晶矽溝道(Polysilicon channels)、電荷俘獲型存儲(Charge trap storage)、各種不同材料的刻蝕( Etch through varying materials)、澱積眾多層材料(Deposition of tens of layers)等。這些還只是主要關鍵部驟，可見其複雜性。

然而，2D NAND在進入1xnm節點之後，器件耐久性和數據保持特性持續退化，單元之間的耦合效應難以克服，很難解決集成度提高和成本控制的矛盾，進一步發展面臨瓶頸。發展3D NAND已經是大勢所趨。近期全球3D NAND的發展迎來少見的紅火，之前認為僅三星獨家領先的態勢，可能需要重新思考，至少各方之間的差距正逐步縮小。因為誰都不願在未來落後。

從3D NAND的技術與產能方面尋求突破，近期幾大廠商都在加大力度。日前，英特爾大連廠傳出消息，經過僅8個多月的努力，英特爾大連廠非易失性存儲製造新項目於今年7月初實現提前投產。去年10月，英特爾公司宣布投資55億美元將大連工廠建設為世界上最先進的非易失性存儲器製造工廠。

東芝方面，在2016年春季開始量產48層3D NAND，緊接著7月15日在日本三重縣四日市的半導體二廠中舉行啟動儀式，未來該廠將量產64層3D NAND閃存。此舉表示東芝可能領先於三星。因為三星原先的計劃是2017年下半年在韓國京畿道平澤市廠量產它的64層3D NAND閃存。

東芝在3D NAND閃存方面的決心很大，計劃2017年3D NAND佔其全部NAND出貨量的50%，至2018財年增加到80%。

另外，由於2016年5月西部數據併購閃迪並沒有影響閃迪與東芝間的合作關係。東芝與西部數據雙方各自出資50%，在未來2016年到2018年的三年內將總投資1.5兆日圓(約147億美元)在存儲方面。

美光(Micron)在新加坡與英特爾合資的12英寸厂於2016年第一季度開始量產3D NAND，月產3000片，併計劃於今年年底擴充產能至4萬片/月。8月9日美光正式推出了首款面向中高端智能手機市場的32GB 3D NAND存儲產品。

該款3D NAND芯片是業內首款基於浮柵技術的移動產品，也是業內最小的3D NAND存儲芯片，面積只有60.217 mm2，同時採用UFS 2.1標準的存儲設備，讓移動設備實現一流的順序讀取性能;基於3D NAND的多芯片封裝(MCP)技術和低功耗LPDDR4X，使得該閃存芯片比標準的LPDDR4存儲的能效更優。此外，與相同容量的平面NAND芯片相比，美光3D NAND芯片的尺寸可以縮小30%。

海力士也不甘示弱，它的利川M14廠近期改造完畢。SK海力士進一步表示，2016年年底將建立2萬～3萬片的3D NAND Flash產能，以應市場需求。第三季度之前的3D NAND Flash投資與生產重心會放在36層產品，預計今年的第四季度將擴大48層產品的投資與生產能力。另外海力士也計劃投資15.5兆韓元，約134億美元，新建一座存儲器製造廠。

雖然其他廠商你爭我奪，但是顯然目前三星的優勢尚在。據JP摩根發表的研究報告，三星應該會在2016年年底將3D NAND的月產能拉高至接近16萬片晶圓(西安廠12萬片及Line 16廠接近4萬片)。三星的西安廠目前已接近(10萬片/月片)產能全開，且該公司還計劃把Line 16廠的部分2D NAND產能轉換為3D。

另外，三星也將調用Line 17廠在二樓的空間，於明年投產3D NAND。依據上述消息，JP摩根估計三星明年年底的3D NAND月產能將攀升至22萬片(西安廠12萬片、Line 16廠近6萬片、Line17廠近4萬片)，等於是比今年年底的月產能(16萬片)再擴充37.5%。

以技術突破獲取成本降低

根據上述分析，近四個月以來，變化最大的是東芝及英特爾。因為現階段三星在NAND方面領先，估計平均領先兩年左右，而目前它的3D NAND產出已經佔它NAND的比重達40%。但是東芝正後來居上，因為它的64層提前量產，或者與三星同步，但是它的目標更為宏大，3D NAND在2017年目標要佔它的NAND產出50%，2018年達以80%，而目前僅5.4%。

另外，英特爾大連廠僅用8個月時間便完成NAND閃存生產線的改造。目前尚不清楚英特爾大連廠將在今年下半年量產的是3D NAND，還是其Xpoint新型存儲器。非常有可能的是，2017年東芝和英特爾的3D NAND產能將是三星西安廠的2~3倍。這將直接威脅到三星的霸主地位。

由於平面NAND閃存的量產已經達15納米，幾乎接近物理極限，因此為了提高存儲器的容量及帶寬，向3D NAND技術邁進是必然趨勢。

但是3D NAND技術很複雜，由於成品率低，導致成本高。依三星的技術水平，估計它的48層3D NAND的成本已經接近2D NAND，未來64層時可能會佔優勢。而其他的各廠家現階段仍然需要克服成本這一難題。這可以給中國存儲廠商一些時間。

但是，不管如何，到2018年長江存儲實現諾言量產3D NAND時，它的32層與三星可能已經達100層相比絕不佔優勢。技術只是一個方面，更為嚴峻的是製造成本方面的差距。

因此，長江存儲的產能擴充不可能盲目地馬上擴大到月產10萬片規模。但是歷來存儲產業就是像一場賭局，對於中國半導體業是沒有退路，只有迎頭努力往前趕。長江存儲上馬的意義，不能完全用市場經濟的概念來註釋，其中技術方面的突破是首位，其次是降低製造成本，逐漸縮小差距。爭取在未來全球半導體業處於上升週期時，存儲器價格有所回升，那時長江存儲才有希望實現成功突圍。