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東芝(Toshiba)2015日本會計年度(2015年4月至2016年3月，以下簡稱年度)半導體事業營收不僅較2014年度衰退6.9%，為1.11兆日圓(約100億美元)，且營業利益由盈轉虧，營損率為6.4%。

DIGITIMES Research觀察，東芝為求2016年度轉虧為盈，在2016年3月開始量產48層堆疊3D NAND Flash，更計劃供應價格低於15奈米平面型的64層堆疊產品，同時成立系統LSI新公司Japan Semiconductor Corp.(JSC)，尋求承接以類比IC為主的晶圓代工機會，但短期仍以製造東芝系統LSI產品為主。

2015年度東芝以NAND Flash為主的記憶體營收較2014年度衰退1.8%，為8,456億日圓，已連續2年呈現下滑，對照2013~2015年全球NAND Flash龍頭廠三星電子(Samsung Electronics)營收持續成長，東芝在三星進駐大陸西安設廠、且三星于3D NAND Flash發展腳步較快的情況下，面臨相當大的競爭壓力。

展望2016年度，東芝預測其來自記憶體營收將年減11%，僅7,466億日圓，記憶體營益率亦將自13%下滑至3.3%。為改善營運，東芝將加速發展垂直堆疊架構BiCS(Bit Cost Scalable) NAND Flash，不僅已量產的48層堆疊3D NAND Flash成本將接近15奈米平面型產品，更計劃以低於15奈米平面型的價格，量產64層堆疊3D NAND Flash。