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這個禮拜有一則大新聞，是 HP 將和 Hynix 合作，在 2013 年前讓使用憶阻器（Memristor）的記憶裝置上市，和快閃記憶體一較高下。這在業界被認為是一個重要的里程碑，但是憶阻器究竟是什麼？它有什麼神奇的特性，讓它這麼受重視？在這篇裡小薑試著用最簡單的方式，介紹憶阻器這有趣的「新」電子零件給大家，並且探討為什麼它可能是電晶體以來，最重要的電子進展。

什麼是憶阻器？

憶阻器的英文 Memristor 來自「Memory（記憶）」和「Resistor（電阻）」兩個字的合併，從這兩個字可以大致推敲出它的功用來。最早提出憶阻器概念的人，是華裔的科學家蔡少棠，當時任教於美國的柏克萊大學。時間是 1971 年，在研究電荷、電流、電壓和磁通量之間的關系時，蔡教授推斷在電阻、電容和電感器之外，應該還有一種元件，代表著電荷與磁通量之間的關系。這種元件的效果，就是它的電阻會隨著通過的電流量而改變，而且就算電流停止了，它的電阻仍然會停留在之前的值，直到接受到反向的電流它才會被推回去。用常見的水管來比喻，電流是通過的水量，而電阻是水管的粗細時，當水從一個方向流過去，水管會隨著水流量而愈來愈粗，這時如果把水流關掉的話，水管的粗細會維持不變；反之當水從相反方向流動時，水管就會愈來愈細。因為這樣的元件會「記住」之前的電流量，因此被稱為憶阻器。

科學家最近發現了將量子位元(quantum-bits，qubits)由所糾纏的光子(photons)轉移到固態結晶記憶體元件的方法，讓寬頻量子網路的實現又前進了一小步。透過採用過冷晶體(super-cooledcrystal)，科學家證實了量子網路波導(quantum network waveguide)的糾纏態量子位元，能轉移到固態記憶體，而且此過程是可逆轉的。

以上是加拿大卡爾加里大學(University of Calgary)以及德國帕德柏恩大學(University of Paderborn)的合作研究成果；他們發現了光子-光子糾纏與光子還有固態原子激發(excitation of atoms)之間的可逆性轉移。以稀土元素(thulium)摻雜鈮酸鋰(lithium niobate)製成的波導，則用以做為該種光子迴波量子記憶體的通訊協定。

技術名稱(中文)：雙向光纖三功器次組件

9奈米電阻式記憶體技術 / 相關新聞連結

勁永國際(PQI)推出SDXC Class10大容量、高傳輸速度記憶卡，針對目前市場上追求高畫質的需求，提供能支援大量高解析度視訊、相片與音樂檔案等儲存裝置。PQI SDXC Class10記憶卡突破原有SDHC最高容量32GB的限制，將容量一舉推升到64GB，介面也從SD2.0提升到SD3.0的Class10高速規格，使得傳輸速度表現更優越，並採用exFAT 檔案系統格式，可輕易地複製桌上型電腦或攜帶型媒體裝置與其他作業系統之間的檔案互通性，此款新品兼具容量、速度與相容性的完美結合，絕對滿足追求高Full HD數位攝錄影機、超高畫質的頂級單眼相機、HDTV、藍光錄放影機、行動電話、車用導航系統等專業級玩家的需求。

在新一代記憶體技術開發競賽中，飛思卡爾半導體(Freescale)已實現了磁性隨機存取記憶體(MRAM)的商業化。該公司在今年中發佈了8年來的研究成果：4MB MR2A16A元件；其MRAM記憶體技術使用磁矩來保存位元狀態，符合商業應用需求。由於MR2A16A擁有多種獨特功能，預計將在新興記憶體應用市場中創造更大商機。

MR2A16A採用256K x 16位元配置。它是一種非同步設計，使用標準的晶片啟動、寫入啟用和輸出啟用的接腳，實現了系統的靈活性，防止匯流排衝突。獨立的位元組支援接腳實現了靈活的資料匯流排控制，能以8位元或16位元為單位讀取和寫入資料。