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3D XPoint技術是Intel，美光聯合研發的新型非易失性存儲架構，Intel方面將其命名為Optane傲騰，已經先後發布了企業級固態硬盤，消費級緩存盤兩種樣式，明年還會有DIMM內存條，可以說它將模糊傳統存儲，內存的界限，稱之為黑科技毫不為過。一直以來，英特爾對3D XPoint的內部架構設計和規格諱莫如深，但現在產品有了，就好辦了。

隨著伺服器與雲端運算的快速成長，Google、臉書、亞馬遜、微軟等美系業者對企業級固態硬碟需求快速增加，加上來自百度、騰訊、阿里巴巴等中國資料中心業者維持強勁需求的帶動，TrendForce記憶體儲存研究（DRAMeXchange）指出，第一季企業級固態硬碟不受傳統淡季的影響，出貨量達6百萬台，較2016年第四季逆勢成長3-4%，佔全球SSD市場出貨量比重也超過10%。

TrendForce記憶體儲存研究（DRAMeXchange）最新研究顯示，為優化智慧型手機的作業系統流暢度，廠商不斷升級行動式記憶體版本。在三星、SK海力士及美光集團三大原廠的奈米製程轉進及智慧型手機主流AP（應用處理器）的搭載需求下，LPDDR4X的產出比重持續增加，出貨數量在第二季開始將超越LPDDR4，且由於LPDDR4及LPDDR4X已呈同價趨勢，兩者和LPDDR3的價差都小於5%，也加速LPDDR4系列（含LPDDR4X）的導入速度，預估全年度LPDDR4系列將達到5成以上的市占率，正式取代LPDDR3成為2017年行動式記憶體的搭載主流。

由突觸連接的前神經元和後神經元；神經突觸的傳遞由神經元突波的因果關係(Δt)進行調節 （來源：University of Arkansas）

ST-MRAM (spin-transfer magnetic RAM) is an extremely promising new technology with the potential to replace major segments of the market for flash, SRAM, and DRAM semiconductors in applications such as mobile products, automotive, IoT, and data storage. With ST MRAM technology, data is stored in minute magnetic nodes—a physical mechanism different from traditional non-volatile memory (NVM). MRAM technology fundamentally requires less energy to use, and features like byte-addressability that further contributes to energy efficiency.

Embedded MRAM primarily fills the role that is currently handled by embedded NOR flash: storage of code and data that must survive when the power is removed. Indeed, MRAM is challenging NOR flash due to overall lower power and byte-addressability.

隨著 DRAM 及 NAND Flash 的製程壓縮已接近極限，各大廠商已開始研發各種新一代記憶體，比如 IBM 現主力發展 PRAM 型記憶體，而 Samsung 則主攻 MRAM（磁阻式隨機存取）記憶體，據報 Samsung 已準備在 5 月 24 日一個活動上公開最新成果。

TrendForce記憶體儲存研究（DRAMeXchange）最新研究顯示，隨著下半年各家原廠最新64層堆疊的3D-NAND Flash產能開出，在三星及美光等領頭羊帶領下，預估第三季3D-NAND Flash產出比重將正式超越50%，成為 NAND Flash市場的主流製程，此外，由於新一代iPhone的備貨需求將至，SSD應用需求也穩健成長，預估下半年整體NAND Flash市場仍維持供需較為吃緊的態勢。

DRAMeXchange指出，從供給面來看，各家原廠3D-NAND Flash新增的產能逐漸增加，後續觀察的重點將在良率提升的速度及導入eMMC與SSD等各項OEM的產品的速度，同時，整體NAND Flash供貨吃緊的態勢，也取決於下半年新一代iPhone需求的強弱而定。

全球NAND Flash生產主要由南韓、日本及美國三大記憶體陣營廠商包括三星(Samsung)/海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)、美光(Micron)/英特爾(Intel)掌握。隨著1Y奈米(nm)以下2D NAND Flash製程難度加劇，後續發展已見瓶頸，近年廠商多透過3D NAND Flash技術發展，突破傳統2D NAND Flash在儲存容量提升及Cell儲存單元電荷幹擾等限制。

Trendforce記憶體儲存研究（DRAMeXchange）最新研究顯示，由於原廠先進製程品質問題頻傳，第二季標準型記憶體供貨吃緊情況未見舒緩，價格漲幅超乎預期。就目前的成交價格看來，第二季4GB DDR4模組合約均價來到27美元，相較第一季的24美元，上漲幅度約12.5%。

DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，進入第二季，全球記憶體市場仍呈現供貨吃緊的狀態，各PC OEM大廠正陸續與主要DRAM原廠議定新季度的合約價格。原先市場期待供給即將增加，但由於三星、美光等先進大廠在18或17奈米上都出現品質異常的狀況，使得供貨吃緊的態勢仍未得到紓解，第二季整體DRAM確定維持上漲走勢。

FOLSOM, Calif. — Intel Corp. announced its first solid-state drives using its 3D XPoint memory chips. The Optane SSDs are expected to establish a small, but significant, beachhead for the technology, which is one of several alternatives pioneering a new market between flash and DRAM chips.

LAKE WALES, Fla—The inventor of 3D monolithic chip technology back in 2010, BeSang Inc. (Beaverton, Ore.), claims to have since created a superior three-dimensional (3D) architecture for NAND flash. Frustrated with licensee Hynix's slow implementation of its monolithic 3D technology, BeSang is opening the door to partnerships with other memory houses, as well as offering to contract-fab the chips for resale by others, at a price that reduces the cost-per-bit of 3D NAND from over 20¢ to about 2¢ per gigabyte.

Problems with conventional 3D NAND are discussed including cell size, vertical scaling limitation, inefficiency of product architecture, and how BeSang aims to remedy them. 

3D架構的NAND型快閃記憶體(Flash Memory)競爭越來越激烈，東芝(Toshiba)於去年7月宣布領先全球同業開始提供堆疊64層的256Gb(32GB)3D Flash的樣品出貨，之後三星於去年8月宣布，堆疊64層的3D Flash產品將在2016年Q4(10-12月)開賣。

而現在又換東芝出手，宣布容量提高1倍的64層512Gb(64GB)3D Flash已進行送樣、且將在今年下半年量產。東芝22日發布新聞稿宣布，採用堆疊64層製程技術的512Gb(64GB)3D Flash已於2月上旬進行樣品出貨，且預計將在2017年下半年進行量產，主要用於搶攻數據中心/PC用SSD等市場。

Crossbar ReRAM技術易於配置，以實現低成本製造