細胞對周邊電路（以下簡稱上圍Cell）的構造由美光美光（Micron）與英特爾（英特爾）陣營開發，採用將三維NAND閃存晶胞（Cell）的陣列堆疊在周邊電路的CMOS邏輯IC上的方式，以縮減採3D NAND閃存解決方案的晶片面積.DIGITIMES研究觀察，三星電子（三星電子）已提出類似此一構造的COP（細胞在圍）方案，將有利整合元件廠（集成設備製造商; IDM）三星，東芝（東芝）提升其3D NAND Flash的競爭力。
然而，在圍細胞構造將原先在不同制程製作的3D NAND NAND閃存經高溫制程後，恐因高溫而破壞下方CMOS電路，將影響良率。
由於三星同時生產三維NAND閃存與邏輯電路，如對細胞 處理器; AP）訂單的優勢，而東芝半導體事業涵蓋3D NAND閃存與系統LSI，美光與英特爾陣營亦可結合雙方的三維NAND閃存與CPU，運用上圍構造細胞，有助其提升3D NAND Flash的競爭力。
另外，3D NAND閃存若引進上圍構造單元，由於在形成周邊區域後，需經過化學機械研磨（化學機械拋光; CMP）制程使之平坦化，才能於其上形成三維NAND閃存晶胞陣列，將使得CMP制程的重要性提高。
| 美光與英特爾陣營於3D NAND閃存所開發的上圍細胞構造 |
| 資料來源：美光，英特爾，南韓NH投資證券，DIGITIMES整理，六分之二千○十六 |
原文網址: Research - Cell on Peri構造有利IDM提升3D NAND Flash競爭力 然良率與成本問題待解決 http://www.digitimes.com.tw/tw/rpt/rpt_show.asp?cnlid=3&v=20160704-164&n=1&wpidx=8#ixzz4ElbHEKeW
全站熱搜
留言列表
生技醫療產業 (1)