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集微網消息，據海外媒體報導，東芝(Toshiba)計劃領先三星電子(Samsung Electronics)於2016財年開始量產64層3D NAND Flash存儲器芯片。日經亞洲評論(Nikkei Asian Review)報導，東芝於7月15日舉辦日本三重縣四日市(Yokkaichi)半導體二廠啟用儀式，未來將在此工廠生產64層NAND Flash。

64層NAND Flash較東芝和三星目前生產的48層NAND Flash容量高30%，雖然價格較高，但每單位容量會比48層版的便宜。若應用於智能型手機，這種芯片不僅能擴充數據儲存容量，還能提高處理速度。東芝更鎖定持續大增的數據中心數據儲存需求。

東芝和西部數據(WD)計劃未來3年將在四日市工廠投資1.4兆日圓(132億美元)。東芝已於2016年春開始生產48層NAND Flash，並規劃2017財年3D NAND Flash將佔Nand Flash芯片總產量的50%，到2018財年將佔逾80%。

而三星可能會在2017年下旬於韓國京畿道平澤市啟用半導體工廠，開始生產64層3D NAND Flash芯片。

堆疊更多層會增加各層未對準的風險，而且常會降低產量。東芝已改進定位技術，因此能堆疊64層。隨著研發取得進展，東芝決定投入重資，購買造價高昂的3D NAND Flash製造設備，搶先三星將此技術推向市場。

東芝總裁綱川智表示，東芝為贏得市場競爭須勇於投資必要資金。他還表示，東芝將藉此世界一流的生產線展現在快閃存儲器的領導地位。

東芝經會計醜聞業務精簡後，半導體為目前三大業務之一。綱川智表示半導體是東芝的成長動力。該公司2018年財年營業利益目標為2,700日圓，其中將有1,300億日圓來自半導體業務。