真乄科技業的頂尖投資團隊

三星晶圓代工業務(Samsung Foundry)準備開始以28奈米FD-SOI製程，提供SST-MRAM (spin torque transfer magnetic RAM)以及快閃記憶體，做為嵌入式非揮發性記憶體(eNVM)選項。

近來東芝（Toshiba）、美光（Micron）布局 3D 架構 NAND 型快閃記憶體（Flash Memory）的動作頻頻，讓身為 NAND Flash 龍頭廠、且是全球第一家量產 3D NAND 的南韓三星電子倍感威脅，不過三星也不是省油的燈，宣布第 4 代 3D NAND 產品將在 Q4 開賣。
南韓媒體朝鮮日報日文版 12 日報導，三星 11 日宣布，第 4 代 V-NAND Flash（3D NAND）產品將在 2016 年 Q4（10-12 月）開賣，該款產品將採 64 層堆疊。三星指出，藉由採用 64 層堆疊技術，每片晶圓的儲存容量可較現行技術提高 30%，能有效改善成本競爭力。

2016年下半除東芝(Toshiba)就64層3D NAND Flash展開送樣出貨外，三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等記憶體業者亦將陸續量產，將促使3D NAND Flash垂直堆疊最高層數自64層朝2017年的80層邁進。DIGITIMES Research觀察，由於乾蝕刻使用在64層以上更高堆疊層數的3D NAND Flash，其蝕刻速度與正確性可望優於濕蝕刻，將使三星於64層以上3D NAND Flash轉向乾蝕刻發展的可能性提升。

垂直通道(Vertical Channel)構造3D NAND Flash係指字元線(Word Line；WL)與位元線(Bit Line；BL)相互垂直，堆疊層數往BL方向增加。相較於WL與BL皆處同一平面、往上層層堆疊的簡單堆疊(Simple Stack)構造，垂直通道具備成本優勢，成為記憶體業者發展3D NAND Flash所採主流構造。

     Figure 1

希捷(Seagate)於8月9日在加州聖塔克拉拉的快閃存儲器峰會(Flash Memory Summit)上展示60TB的固態硬碟(SSD)，為目前世界上容量最大的SSD。

這顆超高容量的SSD足以儲存4億張相片或1.2萬部DVD電影。

據韓國經濟報導，大陸半導體產業在政府的強力支援下，清華紫光與武漢新芯採行攻擊性投資策略，迫使南韓、日本、美國等主要半導體業者也紛紛強化投資。

市調業者DRAM eXchange表示，全球半導體市場中，NAND Flash事業從2011~2016年以年均複合成長率(CARG)47%的速度成長；清華紫光以新成立的長江存儲進行武漢新芯的股權收購，成立長江存儲科技有限責任公司，未來可能引發NAND Flash市場版圖變化。

動態隨機存取記憶體（DRAM）市場的“貧富差距”愈形明顯，產業結構可能掀起巨變。上半年陷入虧損的全球第三大DRAM製造商美光（Micron）將面臨艱難的生存戰。

過去三、四年來，DRAM市場主要由三星電子、SK海力士與美光所壟斷，三巨頭在全球的合併市佔率達90%，但情勢可能改變。在DRAM市場景氣不佳的局面下，市場龍頭三星電子的營業利益仍達數十兆韓元，排行第三的美光則開始虧損。隨著另外幾家中國業者準備加入戰場，DRAM產業結構可能迎來巨變。

 紫光集團與武漢新芯攜手的傳聞終於落地。根據近日雙方發布的消息，由紫光集團和武漢新芯聯手組建的長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）已於7月26日註冊成立。這意味著中國最大的存儲產業基地初見雛形。對此事件業界反響普遍持正面態度。清華大學微電子學研究所所長魏少軍認為，從目前的股權安排來看，可以說既照顧了武漢新芯的現有狀況，也兼顧了未來發展需要，既有利於發揮“國家集成電路產業投資基金”的政策主導性作用，也可以充分發揮紫光集團的市場化作用。

　　然而，長江存儲未來將要面臨的挑戰仍然嚴峻，包括國際競爭環境，國內的市場接受度等，特別是在存儲器產品的開發生產、專利技術的獲得以及市場競爭等關乎企業未來成敗的幾個方面，新公司將會如何應對呢？

　　3D NAND +DRAM，產業鏈整合值得觀察

　　“長江存儲”成立的消息近來已在業內持續發酵，業界關注的重點首先仍在存儲產品的開發與生產上。畢竟這是一家企業生存發展的基礎。

　　對此，研究機構DRAMeXchanGE研究協理楊文得指出，中國廠商近一年來通過佈局閃存產業所展現的規劃力、執行力與彈性均不容小覷，武漢新芯原為NOR閃存生產廠，在生產經驗、廠房與產能建置等基礎建設領域有所擅長，而紫光集團則在資金募集及國際合作等方面有過人之處。通過兩強攜手整合資源，能使中國閃存產業投資的整體資源分配更加集中，有助於中國建立產業自主性。

　　如果進一步分析可以發現，武漢新芯在3D NAND上已表現出一定技術實力。武漢新芯執行副總裁、商務長陳少民此前接受記者採訪時表示，2015年武漢新芯已經在3D NAND開發上取得進展，具有9層結構的三維存儲器芯片下線。他們有信心在2018年存儲器基地項目量產時，推出具有市場競爭力的產品。

　　而根據武漢新芯今年3月啟動“國家存儲器項目”時發布的發展規劃，2020年產能目標為30萬片/月，其中3D NAND 20萬片/月、DRAM 10萬片/月。

　　對此，Gartner研究總監盛陵海表示，如果武漢新芯在3D NAND上有一定基礎的話，紫光進入有可能使新公司在DRAM上取得一定進展。紫光集團2015年收購了國內唯一一家DRAM設計公司西安華芯，同時我國台灣地區存儲器生產廠華亞科前董事長高啟全亦加入了紫光集團。

　　此外，有關存儲器產業鏈的整合也將是一個看點。紫光集團此前已經在存儲產業鏈方面進行了一定佈局，2015年斥資71億元人民幣成為紫光國芯的控股股東。紫光國芯除擁有FPGA、智能卡和安全芯片等傳統市場外，也是紫光集團進入存儲芯片領域的平台。下一步紫光集團如何將此前的產業鏈佈局與武漢新芯的晶圓製造整合，值得觀察。

　　與美光合作，“華亞科模式”並非最優選擇

　　對於中國發展存儲器產業，業界目前最為關注的仍是專利技術的獲取。此前，武漢新芯在NAND Flash上有所佈局，包括與Spansionw合作開發及專利交叉授權3D-NAND Flash技術。業界傳出的消息為，正在開發32層堆疊的3D NAND，計劃2018年上半年實現量產。此外也有消息稱，與美光洽談技術授權，甚至稱有可能採取類似美光與華亞科合作的模式（美光技術授權，並包下華亞科所有產能）。相信，在紫光集團與武漢新芯攜手之後，將加大新公司與技術授權來源美光的談判優勢，一定程度上有望加速獲得如美光的第三方技術授權。

　　但是，盛陵海卻表示，對中國企業來說，其實“華亞科模式”並不是最優選擇。中國發展存儲器產業，強調的是自主可控。而華亞科模式在短期內雖然有助於企業在市場上較快立足，但是從長遠來看，也會限制企業的成長。半導體專家莫大康在接受記者採訪時也表示，不傾向於採用“華亞科模式”。中國發展存儲器產業，應當更加強調自主創新。

產能擴張，市場因素為成敗關鍵

　　如果資金與技術能夠跟上，存儲器產品的開發與生產其實並沒有太大懸念，最關鍵仍是未來生產出的產品與價格能否為市場所接受。根據陳少民的估算：“每個晶圓片可切割芯片700顆～800顆。如果按月產能20萬片計算，屆時武漢新芯的產能約佔全球市場的11%～13%。”如果不計算紫光加入帶來的變化因素，僅按這個市場目標，是頗具雄心的。

　　值得注意的是，近幾個月以來，國際半導體巨頭已經紛紛加碼投資先進存儲芯片項目。在NAND Flash方面，三星除西安廠的投資外，韓國平澤廠區也規劃新的3D NAND Flash產能。東芝電子與閃迪（SanDISk）在日本Fab2廠的產能持續增加，新廠可望在2018年下半年投產最新製程的3D NAND。SK海力士則除現階段M11與M12廠外，M14廠第二階段3D NAND的生產也將從明年第一季度開始進行。如果加上武漢新芯2017年年底至2018年量產的3D NAND，未來，全球在3DNAND的大戰看似己不可避免。

　　魏少軍在接受媒體採訪時曾談到“在長江存儲啟動投資後三年左右的時間，將是大家最難受的時候”，其中所指的正是這個產品生產出來並推向市場的關鍵時期。屆時，必然會有一場激烈的市場爭奪。

　　“在這種情況下，紫光集團與武漢新芯兩強攜手，有利於渡過這個難關。這包括紫光集團在資金募集方面的能力。同時，國家集成電路產業投資基金應當發揮政策主導性的作用。”莫大康指出。

　　此外，根據DRAMeXchanGE數據，在NAND Flash產業方面，2011年至2016年NAND Flash需求的年復合增長率高達47%。而受益於3D NAND Flash的製程升級加速，SSD的價格開始滑落到廠商的甜蜜點，SSD在筆記本電腦的滲透率在2018年全年度將超過50%，而服務器/數據中心等級的固態硬盤也將以每年20%的增長率快速增長。在SSD的帶動下，NAND Flash的需求量可望在未來10年內維持強勁的增長態勢。市場增長也利於產能的消化，有助於中國存儲企業的立足與發展。

　　未來的世界將被大量的數據洪流所淹沒。信息從四面八方席捲而來，被全天候保存在數據中心的存儲盤中。人們正在把各種各樣的設備接入到互聯網上，並將他們的原始數據保存在磁盤中。

　　物聯網設備每年將增加大約550萬個設備，2020年將有近210億個設備將連接無線互聯網上。

令三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士坐立難安，英特爾(Intel)與美光(Micron)攜手開發號稱速度比NAND Flash快1,000倍的3D XPoint存儲器技術，雙方合作效益即將顯現。據英特爾規劃，採用3D Xpoint技術的固態硬碟(SSD)Optane系列，工程樣本已交予客戶，預計年底正式上市，而2017年3月起也會搭配下一代Kaby Lake平台系統全面放量，市場預期，3D Xpoint SSD效能與耐用性令人驚艷，為高階服務器與PC帶來革命性應用，2017年下半起可望為英特爾帶來全新成長動能。

隨著PC、服務器等儲存裝置逐漸由傳統硬碟轉換到SSD，三星、英特爾、東芝與SK海力士等多家業者也全面加速SSD事業佈局腳步。然而，英特爾於2015年7月底和美光所共同發表的3D XPoint技術，帶來全新技術應用，市場預期將撼動SSD戰局。

長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱長江存儲）正式成立。公司註冊資本分兩期出資，一期由國家集成電路產業投資基金股份有限公司、湖北國芯產業投資基金合夥企業（有限合夥）和湖北省科技投資集團有限公司共同出資，並在武漢新芯集成電路製造有限公司（以下簡稱武漢新芯）的基礎上建立長江存儲。趙偉國任長江存儲董事長，丁文武和楊道虹任副董事長，王繼增任監事長，楊士寧任總經理。武漢新芯將是長江存儲的全資子公司。二期將由紫光集團和國家集成電路產業投資基金股份有限公司共同出資。

       長江存儲將以武漢新芯現有的12英寸先進集成電路技術研發與生產製造能力為基礎，繼續拓展武漢新芯目前的物聯網業務佈局，並著力發展大規模存儲器。

信息化是當今世界經濟和社會發展大勢，也是實現國家現代化和經濟轉型升級的關鍵環節。習近平總書記高度重視我國信息化發展，在中央網絡安全和信息化領導小組第一次會議上做出了“沒有信息化就沒有現代化”的重要論斷。《國家信息化發展戰略綱要》的發布，進一步凸顯了我國建設網絡強國、佔據信息化製高點的強大決心。綱要明確提出大力增強信息化發展能力，把發展核心技術，做強信息產業發在了首要位置。

信息技術和產業發展程度決定著信息化發展水平，我國正處在從“跟跑並跑”向“並跑領跑”轉變的關鍵時期，要抓住自主創新的牛鼻子，構建安全可控的信息技術體系，培育形成具有國際競爭力的產業生態，把發展的主動權牢牢掌握在自己手裡。半導體是信息產業的基礎，而存儲作為半導體產業的重要組成部分，是當前核心技術領域的競爭焦點。

上周東芝及西部數據宣布，已研發出堆疊64層的3D NAND Flash製程，並將於2017年上半年開始量產，不過恐怕仍無法超車NAND Flash市佔王三星。外電報導，三星將搶先於今年底前開始量產64層3D NAND，三星表示，目標是今年生產4G V-NAND，可能意即為64層3D NAND。

SSD（近年來製程技術演進，成本價格逐漸逼近硬碟（Hard disk），因此滲透率大增，各大廠陸續將生產DRAM產能逐漸轉向NAND Flash（儲存型快閃記憶體），大搶市佔率，除了比市佔更還要比技術。

中國的紫光集團預計於武漢成立名為“長江存儲科技”的公司，未來將納入武漢新芯旗下，統籌所有記憶體發展項目。

市場研究機構TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange表示，中國的紫光集團預計於武漢成立名為“長江存儲科技”的公司，未來將納入武漢新芯旗下，統籌所有記憶體發展項目，目前整體規劃朝向NAND Flash產業發展。

近日西部數據和東芝紛紛挺進64層3D NAND Flash ，三星電子冒冷汗，欲豪擲17 兆韓圜（約150 億美元）研發3D NAND Flash 和OLED，鞏固目前的領先優勢。

韓國先驅報29 日報導，三星電子先前暗示，今年全年研發費用為26 兆韓圜，略高於2015 年的25.52 兆韓圜。今年上半該公司用掉了8.8 兆韓圜，意味還有17.2 兆韓圜。這筆錢會用在哪邊？三星高層Lee Myung-jin 給出方向，聲稱由於需求飆升，今年將專注於3D NAND 和OLED 面板。

西部數據公司28 日宣布成功開發下一代3D NAND 技術BiCS3，具有64 層垂直儲存功能。新技術產品將在位於日本四日市的合資晶圓廠進行試產，預計今年稍晚即開始正式生產。西部數據預估BiCS3 在2017 上半年開始商業量產。

紫光集團預計於武漢成立長江存儲科技，未來將納入武漢新芯並統籌旗下一切記憶體發展項目，目前整體規劃朝向NAND Flash產業發展。TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange研究協理楊文得表示，紫光集團與武漢新芯聯手，使中國記憶體產業發展進入新章，可望為後續中國佈建自主性記憶體產業帶來進展。中國業者近一年來藉布局記憶體產業所展現的規劃力、執行力與彈性均不容小覷，未來一舉一動都將牽動全球記憶體產業格局。

物聯網（IoT）的出現和人類生活對智能設備永不滿足的需求正驅動著傳統智慧在微控制器和嵌入式內存市場的徹底變革。

隨著電子設備智能化程度的提高，軟件編碼增大，需要加快處理速度才能處理通信協議、身份驗證、信息生成和歷史積壓數據。我們行業逐漸開始認識到這樣一個現實- 當前的內存技術無法滿足新一代編碼存儲容量和性能需求，同時嵌入式軟件編碼也隨之快速增加，由過去的幾個千字節到現在的數個兆字節。