日本唯一DRAM廠爾必達（ELPIDA）昨宣布，由於DRAM價格持續下滑、日圓升值、市場競爭激烈等經營環境惡化因素，資金鏈斷裂情況恐發生，已向日本東京地方法院提交公司更生程序聲請（即破產保護）並獲受理。爾必達負債高達4480億日圓（約1644億元台幣），將是日本製造業史上最大規模的破產案。
爾必達即日起將由東京地方法院以及監督委員兼調查委員土岐敦司律師監管。爾必達預定3月28日自東京證券交易所下市，台灣TDR（Taiwan Depositary Receipt，台灣存託憑證）同日下市。旗下主要子公司秋田爾必達存儲器公司（Akita Elpida Memory）也同步聲請破產保護，負債總額79億日圓（約28億台幣）。
根據集邦科技（TrendForce）旗下研究部門DRAMeXchange的調查，由於智慧型手機與平板電腦的興起，一線DRAM廠紛紛調高行動式記憶體的生產比重，三星半導體也因為三星電子的品牌產品如Galaxy S2及Note的全球熱賣，行動式記憶體出貨持續暢旺下，成為第四季唯一獲利的半導體廠商。行動式記憶體價格方面，2011年第四季價格較上季約有10%的跌幅，LPDDR2 8Gb均價約17.4美元上下；而今年第一季適逢傳統出貨淡季，行動式記憶體仍將維持下跌走勢，預估約有15~20%的跌幅。
儘管一直以來資料儲存裝置因其不起眼的外表及單純的功能，不曾受到外界特別關注，然隨著行動網路的發達，無論是企業或消費者對於存取資料的需求都大幅增加，其中音樂及影片等所帶來的大量儲存空間需求，更將令儲存裝置在2012年成為市場上耀眼的明星，據預估，2012年固態硬碟(SSD)及各種隨身裝置的NAND Flash將可望因此更為普及。
根據PCWorld報導，無論是娛樂方面的需求或是如基因資料儲存等醫療方面需求，都將帶動儲存裝置發展出更大空間及更高效能。 IBM儲存裝置軟體開發副總裁Steve Wojtowecz表示，未來儲存裝置將成為每個人都想了解的產品。
SD 協會 (SD Association)在CES期間推出了全新的 SD記憶卡標準，號稱可以將數以百萬計的日常消費性電子產品轉變為具有可攜式儲存和通訊功能的無線區域網路(WLAN)設備。
新推出的WLAN SD標準是首個兼具儲存和無線通訊能力的無線 SD 記憶卡標準，消費者將能夠在家用網路上將照片、視訊和其他內容從大多數現有的數位相機和數位攝影機傳輸到基於網路的雲端服務上，或是在 SD卡設備之間進行傳輸。
DRAM被廣泛用在個人電腦、行動裝置和伺服器等多種電子產品的記憶體儲存。由於DRAM不斷朝高速化、低耗化和小型化改進，也讓儲存裝置越來越進步。
美國美光科技（Micron Technology）將開始量產供貨通過矽通孔（Through-Silicon Via：TSV）連接沿3D方向積層的多枚DRAM晶片的新型記憶體「Hybrid Memory Cube（HMC）」。
東芝日前發布了內嵌糾錯電路（ECC:Error Correction Code）的非多值（SLC：Single Level Cell）NAND閃存“BENAND”。除了 平板電視和數碼相機等消費類產品外，新產品主要用於工業機器人等產業設備的嵌入用途。此次發布的BENAND採用32nm工藝製造，有4Gbi和8Gbit兩種共8款。該產品已從2012年1月6日開始樣品供貨，將從2012年3月開始陸續量產。2012年夏季以後計劃投放24nm工藝產品。
We love us some speedy NAND Flash here at Engadget, and Mushkin's just unveiled a trio of SSDs full of the stuff packing Sandforce SF-2281 controllers. The Chronos Go offers 560MB/s sequential writes and 525MB/s reads in drives up to 480GB in size. The Atlas mSATA SSD does sequential writes at 535MB/s, maxes out at 240GB, and will be available to be dropped into the Ultrabook of your choosing. Both the Chronos Go and Atlas are scheduled for a Q1 release. Lastly, the Scorpion PCIe modular SSD lets you chain up to four SSDs in a RAID array to get sequential writes up to 1275MB/s and reads up to 1500MB/s when it drops sometime in the first half of this year.
研調機構IDC 9日指出，在技術升級、PC產業持續演進、企業伺服器/儲存架構翻新以及近期硬碟機缺貨等利多因素激勵下，2012年全球固態硬碟(SSD)出貨量可望再創歷史新高。根據IDC的統計，2011年SSD銷售額年增105%至50億美元。
IDC預期2010-2015年期間全球SSD出貨量平均複合年增率將達51.5%。該機構預期用戶端SSD每gigabyte單價將在2012年下半年跌破1美元的關卡。IDC指出，泰國水災衝擊PC供應鏈以及硬碟機產業短期的供給能力，OEM廠商勢必會在今年上半年面臨硬碟漲價的成本壓力。硬碟機缺貨對SSD廠商來說是個相當大的短線機會。
台北三星電子(Samsung Electronics)赴大陸設NAND Flash晶圓廠一事快速獲得南韓政府放行，預計2013年下半量產，業界分析，衝擊最大的恐怕是日本東芝(Toshiba)，因為如此將更加凸顯東芝堅持把12吋晶圓廠留在日本生產的成本過高問題，以及面臨日圓升值、NAND Flash製程微縮面臨瓶頸，未來恐更加迫使東芝選擇外包NAND Flash業務。
東芝過去曾放話要摘下全球NAND Flash龍頭，但實現之日恐遙遙無期。
據國外媒體報導，美國閃存供應商SanDisk公司當日發布了新款快速存儲卡——128GB Extreme SDXC UHS-I存儲卡。這款存儲卡能讓用戶抓取長達10小時的高清3D視頻和高分辨率照片。攝影和攝像愛好者足以拍攝消費電子展（CES）一整天的視頻內容。速度極快是該存儲卡的主要特點，其讀寫速度高 達每秒45M，利於更快的影像抓取和快速傳輸。
VICTORINOX SWISS ARMY UNVEILS POCKET-SIZED TERABYTE STORAGE DEVICE AT THE 2012 INTERNATIONAL CONSUMER ELECTRONICS SHOW
爾必達(Elpida)在 2011年末爆出財務危機，除傳出該公司已向日本政府尋求紓困，亦傳出日本政府協調東芝(Toshina)出面接管的消息；市場研究機構集邦科技(TrendForce)指出，若此舉成真，爾必達將會是在此波 DRAM 寒冬下首家被整併的DRAM廠。
Yonhap News報導，南韓知識經濟部4日宣布，三星電子(Samsung Electronics Co.)在去(2011)年12月6日申請在中國大陸興建高階NAND型快閃記憶體廠房的計劃已獲得產業科技安全委員會批准。
知識經濟部在聲明稿中指出，產業科技安全委員會曾召開兩次會議，評估三星保護科技的計劃、在大陸擴充市場的需求以及技術外洩的可能性，並作出讓三星前往大陸建廠的決定。
雖然NAND閃存可能在2020年末引領企業級固態存儲的蓬勃發展，不過這種技術潛在的對手已經出現，並開始獲得業內關注。這些技術包括相變內存(PCM)、磁阻隨機存取內存(MRAM)和電阻式隨機存取內存(RRAM)。
在過去的數年中，這些新興的內存技術發展迅速，在性能和產品使用時間方面都遠遠超過了現有的技術水平。
January 2, 2012---根據集邦科技（TrendForce）旗下的DRAMeXchange的調查，由於市況持續不明，部分供貨商與買方對於價格後市的看法較不一致，因此在交易冷清的情況下，12月下旬主流NAND Flash MLC合約價較12上旬的價格微幅下滑約3%-8%。從供給面來看，主要供貨商的新製程轉換進度持續從第四季末段開始提升，預期在中國農曆年過後，新製程出貨比重將逐季拉高，同時2xnm的固態硬盤與eMMC也將針對2012年一月CES後新發表的超輕薄筆電（Ultrabook）、智能型手機與平板計算機機種開始出貨。而從需求面來看，由於自過去一年的返校需求、年底感恩節與聖誕節銷售旺季的表現疲軟，連帶影響到廠商的備貨需求。隨身碟市場在USB 3.0尚未起飛之際，表現依舊普通，而由於消費性電子產品出貨不佳，加上泰國水患重創數字相機供應鏈，零售市場記憶卡市場更為清淡，再加上系統產品如平板計算機與超輕薄筆電出貨不如預期，連同全球經濟不穩定的因素，讓廠商對於中國農曆年銷售的備貨需求呈現相對保守，即使庫存水位偏低，補貨力道並無如往年般熱絡。
日本東京，2011年12月28日- Elpida存儲器公司（“爾必達”，東京：6665 JP），世界第三大動態隨機存取記憶體製造商，今天宣布，它已經開始樣品出貨4千兆寬IO移動RAM TM和4千兆位DDR3移動RAM（LPDDR3）。
10nm氧化鉿RRAM單元截面圖。
歐洲研究機構 IMEC 本月初在國際電子元件大會(IEDM)上，提出了尺寸僅10nm x 10nm的電阻式 RAM (RRAM)記憶體單元。據 IMEC 稱這種超小型的記憶體具有取代 NAND 快閃記憶體的潛力。
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