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根據《華爾街日報(Wall Street Journal)》7月14日報導，中國大陸清華紫光集團(Tsinghua Unigroup)打算以每股21美元價格、總計230億美元(約人民幣1,430億元)金額收購美國記憶體大廠美光(Micron)；此收購金額已超過「大基金」的1,200億元人民幣資金規模。

對此市場研究機構DIGITIMES Research認為，該筆收購案若屬實，將面對美光董事會、美國政府等重重關卡，成功機率不高，但若能成功，雖無法立即改變全球記憶體市場版圖，但大陸IC產品線將從行動通訊延伸至資料中心、雲端計算等領域，更將在終端市場創造大陸自有品牌。 

受惠DRAM事業蓬勃發展，三星1Q半導體事業營收與營利成長率都勝過英特爾。三星官網2015年第1季半導體前五大業者中，只有三星電子(Samsung Electronics)與SK海力士(SK Hynix)的市佔率維持上升趨勢，受惠於DRAM事業蓬勃發展，兩企業可謂春風得意。

記憶體大廠整軍經武，準備展開新一波大戰！據傳三星電子和SK 海力士(SK Hynix )將大買設備，積極投資3D NAND Flash；另外DRAM也將轉進新製程，拉高戰力。

韓媒etnews 6日報導，記憶體大廠爭相量產3D NAND Flash，新製程和傳統NAND Flash相比，差別在於從平面改為立體，能層層堆疊，提高效能。據了解，由2D轉進3D NAND Flash，顯影製程不變，但是金屬化和刻蝕步驟將分別增加50~60%、30~40%，需要採購不少新設備。據了解，三星最早量產3D NAND Flash，目前正在擴充西安3D NAND Flash廠產線，盼將堆疊層數從32層提高到48層。與此同時，SK海力士也增加投資，預定今年下半量產3D NAND Flash，將打造36層的3D NAND Flash產線。

TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新研究顯示，隨著各種雲端儲存服務的興起以及蘋果(Apple) iPhone手機帶動高容量快閃記憶體的設計，傳統模組廠營收比重較高的記憶卡與隨身碟產品出貨動能面臨挑戰，多角化經營將成為趨勢。

DRAMeXchange研究協理楊文得表示，隨著Dropbox、Evernote與Spotify等各種新興雲端服務與串流音樂興起，以及IT業龍頭動作加大，包括Google推出Google Drive與Google Photo、微軟(Microsoft)推出One Drive與Office365、蘋果(Apple)推廣iCloud與Apple Music，都讓消費者原先透過隨身碟與記憶卡交換和儲存資料的行為轉為透過雲端進行。

2015年固態硬碟(SSD)市場中的3D V-NAND佔比達10%，為當初預期的3倍以上，預料到了2016年，佔比將進一步提升至40%，三星電子(Samsung Electronics)將成市場最大贏家。

多家市場金融研究機構近來都給出預測，認為目前幾近平穩的內存市場將在下半年刮起降價風暴，原因來自市場供需以及廠商產品引導等多個方面。高盛近日將閃存芯片巨頭鎂光科技的投資評級由之前的“中立”進一步下調至“賣出”，表現出對今後一段時間內閃存芯片市場的不樂觀態度，且大膽預測未來三個季度內閃存芯片報價將暴跌30%。

對此，業內人士及其他機構也持有類似觀點，並給出理由認為，市場需求疲軟是導致閃存芯片價格下降的主要原因。

過去的一年半以來，主要NAND快閃記憶體製造商已經開始銷售1x奈米等級的平面快閃記憶體；根據我們調查開放市場上所銷售元件的供應來源，美光(Micron)是從2014年2月開始供應1x奈米元件的第一家記憶體廠商，隨後是在同年10月推出產品的SK海力士(Hynix)。在近六個月之後，TechInsights實驗室才出現三星(Samsung) 16奈米與東芝(Toshiba) 15奈米產品。

針對平面NAND快閃記憶體的微影尺寸終點，在文獻中已經有很多討論；其替代方案是垂直堆疊式的快閃記憶體，例如三星的3D V-NAND與東芝的BiCS。業界有一個共識是平面NAND將在差不多10奈米節點終結，也就是目前TechInsights剛完成分析的15/16奈米NAND快閃記憶體的下一代或兩代。因此我們認為，現在正是來看看這些15/16奈米快閃記憶體的一些製程特徵的時候。

南韓媒體中央日報日文版 19 日報導，因固態硬碟（SSD）需求提振 3D 架構的 NAND 型快閃記憶體（Flash Memory）需求呈現急速增長，故三星電子（Samsung）計劃把生產 3D NAND 的中國西安半導體工廠產量較現行擴增 50%。報導指出，據熟知三星事務的關係人士透露，目前三星西安工廠晶圓月產量為 4-5 萬片，而三星計劃於今年內將其產量提高 5 成（增加 2 萬片）至 6-7 萬片。

據報導，三星於去年 5 月開始量產 3D NAND，為目前唯一導入量產的廠商，且三星計劃將西安工廠培育成 3D NAND 的核心據點，而據業界人士透露，三星西安工廠佔地面積達 34 萬坪，目前僅使用了 7 萬坪，而西安工廠最高可興建 3 條產線，月產能最高可擴充至 30 萬片水準。

松下在正於日本京都舉行的國際學會“2015 Symposium on VLSI Techology”上宣布，與比利時微電子研究中心（IMEC）共同開發出了存儲單元尺寸為28nm的可變電阻式存儲器（ReRAM）。松下表示，“即使存儲單元尺寸為20nm，性能也不會大幅降低”。並且，此次還以相關技術為基礎，製造了存儲單元尺寸為40nm的ReRAM和記錄容量為2Mbit的芯片。松下從2013年8月開始銷售180nm的ReRAM，此次的技術使其大幅微細化為原來的1/4～1/6。

新開發的40nm及28nm的ReRAM可實現10萬次擦寫，在85℃的環境下數據保持時間也可達到10年。

國內廠商現在處理器市場已經獲得了一席之地，華為海思、瑞芯微、展訊、瑞迪科已經是其中的佼佼者，不過整個半導體產業中國內的力量還是很弱的，國內廠商還不到自滿的時候，下一個目標看起來就是DRAM內存芯片了，現在本土的DRAM廠已經確定落戶武漢市了，新廠將由中芯國際的高管主導。

TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange表示，自2014年10月14 日中國工信部宣布國家積體電路產業投資基金(中國簡稱"大基金")成立，挾帶著1,300億人民幣基金，中國政府正有計畫的向全世界鋪天蓋地吸納可用資源，展開併購計畫與策略結盟。

中國工信部電子信息司司長丁文武主導的半導體小組，對於中國DRAM未來的發展已有明確的方向，同時遴選了半導體相關的頂尖業界人士擔當評審委員，跳脫傳統的政治評估，各地方政府擁有的技術、人力、財力及資源才是評中入選的重要考量點。 

DRAM和NAND Flash微縮製程逼近極限，業界認為次世代記憶體「磁電阻式隨機存取記憶體」(MRAM)、「可變電阻式記憶體」(ReRAM)可能即將現身，要以更快的存取速度橫掃市場。

韓媒BusinessKorea 16日報導，南韓半導體業者指出，16奈米將是DRAM微縮製程的最後極限，10奈米以下製程需要縮小電晶體體積，但是薄膜厚度卻無法縮減，也可能不適合採用高介電常數(High-K)材料和電極。MRAM和ReRAM因此備受期待，認為可以取代DRAM和NAND Flash，業者正全力研發。

中國積極發展 DRAM 產業，將選擇一個省市設置本土 DRAM 廠，近日科技新報取得進一步消息，據中國業內人士表示，DRAM 廠最終將落戶武漢，並由武漢新芯集成電路負責 DRAM 廠設廠事宜，消息來源進一步透露，新廠將由上海中芯國際營運長趙海軍所主導，回溯歷史，2006 年武漢新芯建廠之時，武漢市政府曾委託中芯國際代管，也讓這項傳聞更加耐人尋味。

而可能挑動台灣敏感神經的是趙海軍的背景，趙海軍在入主中芯之前，為台灣 DRAM 廠茂德技術發展暨產品本部兼大中華事業部副總裁，在中國發展半導體用人孔急當下，大挖台灣人才、團隊的消息已不是新聞，據悉，中國已與前茂德團隊接洽，同樣被視為挖角目標的還有台灣瑞晶團隊與華亞科、南亞科人才，然目前仍在洽談還未有更多細節流出。

固態硬盤(Solid State Drives)是用固態電子存儲芯片陣列而製成的硬盤，由控制單元和存儲單元組成。雖然成本較高，但也正在逐漸普及到DIY 市場。存儲器廠商只需購買NAND 存儲器，再配合適當的控制芯片，就可以製造固態硬盤。SSD 固態硬盤具有傳統機械硬盤不具備的快速讀寫、質量輕、能耗低以及體積小等特點，因此被廣泛應用於軍事、車載、工控、視頻監控、網絡監控、網絡終端、電力、醫療、航空、導航設備等領域。

正如前文提到的，廠商只需要NAND 存儲器加上控制芯片就能製造固態硬盤，但是NAND 閃存會出現損耗現像一度讓外界認為這種硬盤的耐用性(壽命)不會有多出色。然而測試結果顯示，固態硬盤並沒有我們想像中那麼脆弱，它的正常工作壽命可以達到10年以上。

傳統的HDD機械式硬碟，由於機械式結構的複雜結構造成整體的不穩定性，加上讀寫速度始終存在著瓶頸，這些原因使得SSD逐漸有機會加速淘汰傳統HDD硬碟，在更多領域發揮快速讀寫、穩定存取的優勢。

Marvell的DRAMless架構，讓SSD可以達到更小巧的體積。圖中正是128GB的SSD。

對於消費市場來說，成本永遠都是令購買者最在意的一件事。日漸普及的SSD，當然也必鬚麵對這樣的市場聲浪。 TCL NAND目前已經是SSD降低成本的重要關鍵，當然，如何能讓TLC架構在維持低成本的同時，還能兼具效能與穩定性，也成為了相關廠商正積極競逐的目標。

美光科技（Micron）儲存事業部行銷總監Kevin Kilbuck指出，因應消費市場的需求，美光也針對高性能、高可靠性，且極注重成本的消費性應用，提供了量身訂製的解決方案。全新的快閃記憶體產品，是採用16nm製程技術的TLC NAND，能讓USB及消費性SSD等應用，在各方面功能都能取得理想平衡。