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內存芯片巨頭三星和美光（Micron）最近準備聯合研製新式內存HMC (Hybrid Memory Cube)，以便適應高速發展的處理器和寬帶網絡。兩家公司這週四發表聲明表示，這種混合立體內存與CPU的數據傳輸速度將是現階段內存技術的15倍。

A Japanese research group developed a hybrid SSD architecture using ReRAM (resistive random-access memory), which realizes high speed data rewriting, and a high capacity NAND flash memory.

台灣東芝數位資訊股份有限公司發表新的固態硬碟產品線，針對資料處理密集和能源應用，提供兼具高效能和能源效率的產品。THNSNF是世界上第一款在節約電能和性能應用上極具優勢的19奈米NAND快閃記憶體的硬碟，2012年同時也是Toshiba發明NAND快閃記憶體的25周年紀念，延續Toshiba長久以來在NAND快閃記憶體的創新發展，為高階款和輕薄型筆電、桌上型電腦、嵌入式系統、和企業用電腦使用的外接式儲存設備提供了理想的儲存方案。

它的速度要遠高於 NAND 型快閃記憶體；Elpida、Sharp、Panasonic 這些廠商已經將此項技術運用到自己的晶片產品中去了。而最近來自倫敦大學學院（University College London）的一項研究成果更是讓我們看到了 ReRAM 美好的未來。那裡的研究者製造了一種晶片，其速度可達普通快閃記憶體的 100 倍。它由二氧化矽（silicon oxide）製成，因此晶片的電阻表現更佳，另外因為其不需要真空生產，所以造價也比較便宜。除了比快閃記憶體速度更快之外，藉助其對各種傳導率的適應能力這款晶片也可以被當做憶阻器使用。另外在數據處理和任務儲存方面，它同樣也是一把好手。研究者們希望能憑藉這項技術開拓二氧化矽 CPU 市場，除此之外他們也已經將此設計運用到了移動設備透明記憶晶片的開發當中。 

三星公司已經開始量產基於20nm技術的4GB RAM存儲器（圖片來自外媒）

IMEC的電阻式隨機存取記憶體(RRAM)在金屬電極之間夾入了氧化鉿憶阻材料 /資料來源：IMEC

根據TrendForce旗下研究部門DRAMeXchange調查，DRAM廠積極研發，並提高行動式記憶體產能，不僅可望拉抬整體獲利表現，亦可降低因標準型DRAM生產造成的虧損。第一季行動式記憶體平均銷售單價滑落約10~15%，合約價降幅約10%，但由於出貨位元成長約達20%，整體行動式記憶體營收較去年第四季成長約37%。TrendForce表示，除三星電子市占大幅擴大之外，其他廠家均受到降價影響而壓縮整體行動式記憶體營收表現。

將電阻式RAM (ReRAM)嵌入主流邏輯製程技術中，可能會為系統單晶片(SoC)的設計帶來重大影響，台積電(TSMC)也密切注意此一新興趨勢。

一份即將在12月舉辦的2012年國際電子元件會議(2012 International Electron Devices Meeting)論文清單中，列出了由國立清華大學的研究團隊和台積電共同撰寫的文件。

日本記憶體大廠爾必達(Elpida)於 2012年2月27日無預警聲請破產保 護後，日本政府意外未伸出援手， 亦讓爾必達於4月27日進入重整競 標階段，亦讓爾必達經營權問題正 式浮上檯面。 原本眾望所歸的日本記憶體大廠東 芝(Toshiba)於第1輪競標即因出價 過低而退出競標行列。第2輪競標 原本由南韓記憶體大廠SK Hynix、 美系記憶體大廠美光(Micron)，及 由美國投資基金TPG Capital與大陸 企業更生基金弘毅投資(Hony Capital)所組成競標團隊等3方勢力 競逐。 然而，在SK Hynix於5月4日宣布退 出爾必達競標後，爾必達於5月6日 召開經營會議中比較美國、大陸投 資基金與美光的條件後，決定由美 光出線成為合作對象，美光將有機 會享有優先協議權。該決定若能獲 得東京地裁所同意，爾必達將能與 美光商討具體企體更生計畫，並於 8月21日前正式提交。 除2,000億日圓以上的競標金額 外，美光預計將多投入1,000億日 圓，全數用於設備投資與Mobile DRAM技術研發。同時美光亦將取 得爾必達廣島廠、秋田封測廠的產 能，及位於台灣瑞晶電子的股權。 美光並承諾接手爾必達後，將不會 進行裁員。 美光未來若能取得爾必達經營權， 即意味日本將繼德國之後，正式自 全球DRAM市場撤軍。 

根據TrendForce旗下研究部門DRAMeXchange的調查，隨著智慧型手機的熱賣及平板電腦的興起，各DRAM廠無不積極開發或是提升行動式記憶體產能，除了可以提升毛利率，亦可降低標準型DRAM生產減少虧損幅度，加上智慧型手機的出貨較去年同期成長48%，預估本季出貨將來到1.48億支，尤其在硬體規格上，今年更主打高效能的四核心晶片、Android 4.0(ICS)及LTE的推出，將有助於智慧型手機市占率進一步提升，同時推升行動式記憶體需求。

圖1：Everspin MRAM封裝的X光影像。

JEDEC 固態技術協會(Solid State Technology Association) 日前宣佈，專門制定嵌入式記憶體與記憶卡規範的 JC-64 委員會，已開始針對無線資料傳輸，著手推動相關非揮發性記憶體的標準化工作。
這個子委員會稱為 JC-64.9 ，由諾基亞(Nokia)主持；美光(Micron)和三星(Samsung) 則並列為副手。 JEDEC 表示， JC-64.9 歡迎任何對這項標準有興趣的廠商加入。

Spansion和SK Hynix共同宣佈，已組成策略性聯盟為嵌入式市場提供4x、3x、和2x製程節點的Spansion SLC NAND產品。首款根據此結盟推出的Spansion SLC NAND產品將於2012年第二季初正式上市。此外，兩家公司亦達成專利交叉授權協議。

LSI公司日前舉辦年度儲存論壇，以「加速資料中心」為主題，揭示先進的固態硬碟（SSD）型資料中心加速方案、及最新的12Gb/s SAS技術和透過SSD加速交易處理效能的創新解決方案。

球最大記憶體製造商三星電子(Samsung Electronics)受主要客戶蘋果(Apple)將NAND Flash大部分訂單轉予海力士(Hynix)的影響，DIGITIMES Research專案經理徐康沛分析，2011年第4季NAND Flash營收較前季約減少5%，DRAM營收則微增，使NAND Flash佔記憶體營收比重降至38%，佔全球NAND Flash營收比重亦續降至34.6%。

集邦科技（TrendForce）旗下的分析部門DRAMeXchange的研究，針對對DRAM與NAND Flash產業的長久觀察下，提出了對2012-2015年間產業發展的六大趨勢預測：

記憶體封測廠力成 (6239) 董事長蔡篤恭表示，今年第4季可望有小量高階IC封測產品出貨，預計明年2013年中，高階封測產品可大量生產。

展望力成今年在3D IC和其他高階封測布局，蔡篤恭表示，今年第4季可望有小量的高階IC封測產品生產，預計明年2013年中，高階IC封測產品可進入大量量產階段。

記憶體封測廠力成董事長蔡篤恭表示，爾必達曝險應收帳款部位20億元，希望在去年財報中認列，他評估至少半年到一年之內，力成不會虧損，力成也不排除買回庫藏股。