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業界消息來源指出，導致全球硬碟機(HDD)供應短缺的泰國水患，可能讓台灣PC硬體與零組件供應商受到不小衝擊；但硬碟機的缺貨也可望加速市場對固態硬碟(SSD)的採用。
一位來自主機板供應商技嘉科技(Gigabyte Technology)的行銷經理對EETimes編輯表示，較誇張的說法是第四季硬碟機出貨可能會少25%，但受到水患影響，10~15%的出貨減少幅度是可能發生的：「我們還沒受到影響，但市場已經進入緊急應變模式，因為電腦製造商不確定是否還能再次向WD (Western Digital)、Seagate等硬碟機廠商下單。」

以三星集團內部的研究團隊為對象舉行的“2011三星技術展”上，三星電子展示了世界首個10nano級的Nand Flash存儲器產品，這是由三星綜合技術院開發的試製品。

全球外接式儲存解決方案及WD TV媒體播放器製造商Western Digital 推出新一代運用Wi-Fi傳輸的WD TV Live串流媒體播放器。此新款媒體播放器結合802.11n高速無線網路技術，可輕鬆連接無線網路或乙太網路，支援高畫質影音應用等大量傳輸需求。

據外國媒體報導，三星電子總裁近日宣稱，預計泰國洪災將會對個人電腦（PC）產量產生巨大衝擊，並將由此進一步衝擊計算機芯片市場，而且這種衝擊形成的不利局面可能要到明年第一季度才會好轉。

三星作為全球第二大個人電腦元件製造商，未能規避洪災的影響。自7月份以來的洪災重創了三星硬盤驅動（HDD）的產量，並進一步給整個個人電腦行業帶來了恐慌。特別是在全球整體經濟增長緩慢以及個人電腦面臨智能手機和平板電腦等產品威脅的形勢之下，這種洪災對個人電​​腦產生的不利影響也就不言而喻。

外電報導，全球第3大DRAM廠爾必達(Elpida)社長(土反)本幸雄於27日舉行的財報說明會上表示，該公司為了因應DRAM市況下滑，故集團整體已於2011年7-9月進行減產20%左右的措施，且10-12月也將持續進行減產，減產幅度並將擴大至25%左右的水準。

(土反)本幸雄並重申，為了因應日圓飆漲以及DRAM價格下滑等問題，只要待條件整備好了，該公司會立刻將廣島工廠部分產能移至具高成本競爭力的台灣生產子公司瑞晶。

面板與DRAM廠今年都難逃景氣不佳衝擊，兩兆產業今年虧損合計上看2,000億元，等於一年弄倒近四座台北101，是政府喊出「兩兆雙星」政策以來最糟糕的一年，「兩兆雙星」儼然變成「兩道流星」。

技術落後、韓廠夾擊，是兩兆產業岌岌可危的兩大因素。以DRAM廠為例，根據市調機構顧能（Gartner）研究，龍頭三星技術領先台廠至少二至三個世代，挾技術能力橫掃千軍。

市場研究機構 IHS iSuppli 的最新報告指出，過去幾週以來泰國的嚴重水患恐怕會導致硬碟機(HDD)供應在第四季與2012年出現短缺。
在泰國水患發生之前，IHS iSuppli 預測第四季全球硬碟機出貨量為1.762億台，佔據 2011年全年度出貨量的25.9%；現在該機構表示會依照災害程度來調降該預測數字。據統計，目前全球有25%的硬碟機是在泰國進行組裝。

日系大廠爾必達昨（10/14）日公佈新聞稿，指因為DRAM價格大降、日圓升值、庫存跌價損失等因素，7至9月合併淨損將擴大至490億日圓（約新台幣200億元），此消息意味全球五大DRAM廠上季幾乎全面淪陷。

4GB DDR3模組逐漸躍升DRAM產業主流，10月上旬合約價也持平開出，但2GB DDR3模組則仍小幅下跌，儘管2011年DRAM模組價格累計跌幅已逼近50%，DRAM模組佔個人電腦(PC)整機成本僅剩3.8%，但因終端需求不強勁，市場對第4季DRAM市場看法仍不樂觀，只能寄望2012年Ultrabook推動搭載4GB模組規格比重提升，加上微軟(Microsoft) Windows 8帶動的換機潮，讓DRAM產業能有一絲希望。 

泰國發生的嚴重洪澇災害已經影響了該國幾百萬民眾的正常生活，同時也重創了在泰國設有生產工廠的各大汽車/電子行業公司等。

為保護僱員和生產設備免受洪水的威脅，硬盤業界巨頭西部數據就不得不暫時關停工廠停止生產硬盤。預計關停泰國工廠將對西部數據的供應鍊和庫存等產生很大威脅，西數位於泰國的工廠是該公司最大的生產基地。

爾必達指出，2011年第2季和第3季（4~9月）合併營收，較去年同期驟減51%至1600億日圓，營業利益從去年獲利679億日圓轉為虧損490億日圓，稅後純益也從去年的399億日圓，轉為虧損達570億日圓。

今年的新品還沒有完全發布，Intel已經早早規劃好了2012年的固態硬盤產品線，無論企業級的700系列、高端消費級的500系列，還是主流和入門級的300系列都會有新動作。企業級方面現在是Lyndonville 710系列，2.5寸規格，SATA 3Gbps接口，容量100/200/300GB，而到了第四季度就會增加Ramsdale 720系列，改用PCI-E x4系統接口，容量也達到200/ 400GB。這兩個系列將會相輔相成，共同面向數據中心等大型企業應用。

DRAM業者三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)加速導入30奈米製程，讓生產成本和變動成本都持續下降，預計30奈米製程的變動成本可降至0.6~0.7美元附近，應付目前需求不太強的個人電腦(PC)買氣。

再者，三星也加速轉進25奈米製程，其競爭對手爾必達(Elpida)2011年的策略，更是頻頻緊咬三星的25奈米製程，在試產和量產時間點上雙方火藥味十足。

美光(Micron Technology, Inc.)6日發布新聞稿宣布，該公司已與三星電子(Samsung Electronics Co., Ltd.)攜手創立聯盟，將共同開發、推廣最新DRAM記憶體技術「Hybrid Memory Cube (混合記憶體立方體，簡稱HMC)」的開放式介面規格。 

根據新聞稿，美光、三星是混合記憶體立方體聯盟(Hybrid Memory Cube Consortium，簡稱HMCC)的創始會員，將與開發夥伴Altera Corporation、Open Silicon, Inc.和Xilinx, Inc.密切合作，加速推出一系列相關技術。 HMCC一開始將著手定義技術規格，以便讓產品應用於大型網路、工業產品以及高效能運算等領域。 

SEVILLE, Spain – The 'memristor' two-terminal non-volatile memory technology, in development at Hewlett Packard Co. since 2008, will be in the market and taking share from flash memory within 18 months, according to Stan Williams, senior fellow at HP Labs.

"We have a lot of big plans for it and we're working with Hynix Semiconductor to launch a replacement for flash in the summer of 2013 and also to address the solid-state drive market," Williams told the audience of the International Electronics Forum, being held here.

Williams said that the memristor metrics being achieved, in terms of energy to change a bit, read, write time, retention and endurance, were so compelling that the HP-Hynix team now considered flash replacement a done deal. "So in 2014/2015 we'll be going after DRAM and after that the SRAM market," Williams said indicating his confidence that the memristor would quickly become a universal memory.

Williams declined to discuss in detail the process technology, memory capacity or memory-effect material that Hewlett Packard and Hynix are working with. "We're running hundreds of wafers through a Hynix full-size fab. We're very happy with it." But Williams did disclose that the first commercial memory would be a multi-layer device. 

When challenged over the cost of the technology, which would be the barrier to competing against the high-volume flash memory market, Williams said: "On a price per bit basis we could be an order of magnitude lower cost once you get the NRE [non-recurring expenses] out of the way."

The memristor, named after the combination of memory and resistor, was originally a theoretical two-terminal device for which the electrical behavior was derived by Leon Chua in 1971. However, in 2008 researchers from HP published a paper in Nature that tied the hysterical I-V characteristics of two-terminal titanium oxide devices to the memristor prediction of Chua. "What we found is that moving a few atoms a fraction of a nanometer can change the resistance by three orders of magnitude," said Webb. "In fact many nanodevices have inherent memresistive behavior," he said.

HP has amassed some 500 patents around the memristor over the last three years. He also acknowledged that phase-change memory (PCM), Resistive RAM (RRAM) and other two-terminal memory devices are all memristor-type devices. Williams acknowledged that many other companies are working on metal-oxide resistive RAMs. He said that Samsung now has a bigger research team working on the technology than does HP.

Williams touted the cross-point nature of the memristor memory switch or resistive RAM device as a memory capacity advantage over flash memory. "Whatever the best in flash memory is, we'll be able to double that." 

三星電子(Samsung Electronics)裝置解決方案事業部社長權五鉉來台參加第8屆行動解決方案論壇，針對2012年半導體產業景氣，他認為，全球經濟景氣不確定因素相當大，即使行動裝置等應用需求增加，但整體半導體產業成長將放緩，三星2012年資本支出將集中在具技術競爭力的產品上，晶圓代工會鎖定高階製程產品，PC DRAM產能降至30%，NAND Flash市場則是後勢看好。

規格

非揮發性相變記憶體技術長久以來一直被討論是否可取代現有的主動式記憶體和快閃記憶體，但迄今仍充滿爭議，因為儘管多年來有許多公司相繼投入研發，但仍未達量產水準。
不過，儘管如此，三星的研究團隊仍計劃在今年底(12月5~7日)的 IEDM 上，透過展示完全整合的 20nm 相變化隨機存取記憶體單元，揭示 PCM 和電阻式RAM的最新研究進展。這個記憶體單元包含了創新的底部電極材料，這種材料主要是為了能獲得低於100mA重置電流所開發的，