真乄科技業的頂尖投資團隊

QuickLogic Corporation日前宣布提供基於ArcticLink® II CX CSSP 的Jupiter™ 應用參考設計。Jupiter 參考設計可為系統設計者及架構者加速評估期，使其能更容易地針對特定功能執行真實世界的效能標竿測試，如快速側載 (sideloading)和內容保護。

綜觀未來雲端服務的發展趨勢與蘋果iCloud的問世，除了再一次改變消費者對電腦的使用習慣外，也將帶動伺服器需求向上攀升與終端精簡型電腦(Thin Client)的再度崛起，為IT產業帶來新的變革與無限商機。由於雲端運算已為顯著的成長趨勢，研究機構Gartner日前公佈全球第一季伺服器出貨量年增率為8.5%，同時也強調，未來尤其是針對企業用戶，精簡型電腦(Thin Client)的採用將取代原有PC的需求，有機會在雲端運算中扮演關鍵的地位和角色。

來自挪威的印刷式塑膠記憶體供應商 Thin FilmElectronics 宣佈，已開發出一種被動陣列非揮發性可印刷式塑膠記憶體(passive array nonvolatile printable plastic memory)，可應用於文件檔案的保全。該種被動陣列架構是將記憶體與獨/寫電子元件分開，而且免除了記憶體陣列與記憶體單元內建主動電路的需要，這可簡化IC的生產，但整體系統架構較為複雜。

NOR Flash記憶體領導供應商Spansion近期宣布與飛思卡爾半導體(Freescale)合作開發飛思卡爾Tower System記憶體擴充模組。在日益普遍的嵌入式應用領域中，如工業自動化、工業用電腦、醫療設備、銷售點和機器人等，此新模組可於原型製作時，提供設計工程師更多自由與靈活性。Spansion的周邊模組可擴充 Tower System 的程式碼與資料儲存功能，也支援現今電子產品中日漸受到採用的2D與3D圖像。

力成科技積極自記憶體封測業務往先進封裝技術佈局，繼先前買下茂德廠房以作為實驗工廠後，轉投資公司聚成科技的新竹廠也在3月動土，預計2012年第3季裝機試產。力成董事長蔡篤恭表示，實驗工廠以開發新技術為主，包括晶圓級封裝、3D IC及銅柱凸塊等，估計開發時程約1年，屆時新竹廠正好開始啟用，新產品效益可望適時於2012~2013年發酵。 

 Super Talent 為自家 USB 3.0 隨身碟提供了兩個數字：在最佳狀態下讀取速度可達 270MB/s，而寫入速度則來到 240MB/s。

可別將 Super Talent RC8 和一般的隨身碟混為一談，事實上它採用完整的 SandForce SSD 控制器，能夠同時使用八個 NAND 通道。換句話說，這傢伙根本就是個 SSD，雖然體型小了些( 4 x 1 x 0.3 吋 )，但發揮出來的威力就跟新一塞進縮小後的柯南身體裡一樣，完全不打折扣。

目前定價未明。不過先前在台北電腦展有消息指出 50GB 版本的價格約略會落在 110 美元( 約新台幣 3,186 元 )，另外還會有 25 GB 和 100 GB 的版本上市。呃，接下來該可以期待 Thunderbolt 版的出現了吧！

蘋果(Apple)可攜式產品熱銷，擠壓到其他競爭同業市場，壓抑Mobile DRAM需求，導致成長力道與預期皆有所落差；同時PC用標準型DRAM市況亦不如預期，不利於記憶體封測業，皆使得記憶體封測廠力成科技和華東科技，對短期後勢展望持保守觀望態度。為符合智慧型手機等行動運算裝置，使得具有獨特省電特性的Mobile DRAM應運而生，力成和華東在第1季末~第2季初原本看好Mobile DRAM需求可望強勁成長，但在日本311地震過後，負面效應逐漸浮現。

華東總經理於鴻祺指出，在日本311地震後，Mobile DRAM需求開始轉弱，Mobile DRAM成長速度不如預期。此外，蘋果產品展現強大排擠效應，以平板電腦為例，Android陣營的廠商推出各式新產品，加上北美、歐洲景氣低迷，使Android平板電腦銷售沒有原先熱絡。力成董事長蔡篤恭先前也曾表示，蘋果在全球掀起風潮，直接排擠其他廠產品銷售狀況，手機品牌廠皆下修2011年財測目標預估值。

EMC 日前發表該公司贊助 IDC 所進行的一項數位世界研究：《從混沌中發掘價值》，該研究發現，全球資訊量以每兩年超過兩倍的速度成長，2011年產生與複製的資料量將達到1.8 zettabytes，成長速度超越摩爾定律。

這份報告已邁入第5年，該研究統計並預測每年產生與複製的數位資訊量，並分析研究結果對於個人、企業、以及 IT 專業人士的意義，該報告對於大量資料及其它許多商機而言，不論在經濟、社會、科技等層面都有重大意義。單就資料量而論，1.8 zettabytes的資料相當於：

2011/06/28 DRAM/Flash/SSD/Card/Gold market price

全球硬碟機供應商希捷科技宣佈為全球第一台搭載硬碟機的掌上型平板電腦供貨。來自法國的ARCHOS在巴黎發表最新的G9機種平板電腦，分別為8吋和10吋的平板電腦皆搭載希捷高速且輕薄(僅7公厘)的2.5吋Momentus Thin硬碟機。

繼不少半導體大老闆對下半年復甦看法偏向審慎樂觀後，記憶體封測大廠力成也相對保守看待下半年。力成昨召開股東會，董事長蔡篤恭表示，日本地震後，客戶端擔憂產能與備料不及多重複下單，因此第3季勢必要面臨庫存調節的問題，預期7、8月將是最壞時間，9月就會好轉，估第3季力成營收將與第2季持平或微幅成長1~3％。

    　力成昨股東會通過每股將配發5元股利；其中，4元現金股息，以及1元股票股利。蔡篤恭表示，蘋果在全球掀起一股風潮，直接排擠其他廠產品的銷售狀況，包含NOKIA與RIM等手機品牌廠皆下修今年財測目標預估值，也影響相關零組件供應商對後勢的看法。

經過長期的專利訴訟後，飛索（Spansion）昨日宣布與三星電子終於達成和解，未來5年三星將支付飛索1.5億美元。

    　根據雙方協議，Spansion與三星簽訂7年的交叉專利授權。Spansion也同意以3,000萬美元收購三星的破產債權，如果獲法院批准，Spansion將可贖回165萬至185萬股股票。

日本DRAM龍頭廠爾必達(Elpida)已研發出一款全球最薄的DRAM產品，並將於今年Q3(7-9月)進行量產/出貨，而藉由該款DRAM產品的問世，可望讓智慧型手機變得更薄、且容量變得更大。報導指出，爾必達所將量產的產品其記憶容量為1GB，封裝厚度(疊合了4片DRAM晶片)僅有0.8mm，較現行產品薄了0.2mm。據報導，截至目前並未有其他DRAM廠商推出疊合了4片DRAM晶片而封裝厚度在1mm以下的產品。

報導指出，爾必達藉由提升研磨技術確立出可將每片DRAM晶片薄化成接近透明的加工方法，而爾必達將透過日本廣島工廠或台灣生產子公司瑞晶生產DRAM晶片，並透過秋田爾必達進行加工，組裝成完成品。

在“VLSI Symposium on Technology”首日舉行的自由發表會“Will Emerging Non-Volatile Memories Finally Emerge？”（新型非易失性存儲器終會實現嗎？）上，東芝、韓國三星電子、韓國海力士半導體（Hynix Semiconductor）、美國美光科技（Micron Technology）以及台灣台積電（TSMC）等大型半導體廠商的負責人紛紛登台，對非易失性存儲器技術的未來進行了展望。

日本研究人員近日表示，他們已經開發出一種新型存儲器，可大幅降低個人電腦、電視以及其他電子設備在待機期間的能量消耗。
　　據負責該項研究的日本NEC公司和日本東北大學的研究人員稱，這種新型內容可尋址存儲器（CAM）除了具備現有存儲器的運行速度外，還具有非易失性的功能，即在沒有電流的情況下仍能保存數據。新型CAM採用了自旋電子邏輯集成電路技術，通過注入自旋極化電流的方式來實現扭轉磁矩，以磁疇壁中的垂直布洛赫線為信息載體。
　　有研究顯示，大多數家用及個人電子設備經常處於待機狀態，只有在使用時才需要啟動和激活電路，這使待機功耗成為了一筆“隱形”浪費。曾經有人算過一筆賬，一個普通家庭中如果把電視機、電腦、洗衣機、電冰箱等家電的插頭一直插著並保持待機狀態，一個月就要白白浪費70多度電。
　　研究人員稱，借助新技術可製成功耗更低的非揮發性處理器。這種處理器不但能夠以用戶的輸入為觸發條件來工作，還能實現從待機狀態下瞬間啟動。由於新型的自旋電子技術使存儲密度更大，這種存儲器的電路面積比傳統電路要小一半，可以讓未來的電子設備更輕、更薄、更小巧。此外，由於新存儲器根據內容而非地址來進行存取，與傳統技術相比其數據檢索速度也更快。
　　NEC和日本東北大學將於6月17日在2011年VLSI研討會上正式公佈這一研究成果。
　　總編輯圈點
　　如果知道自己家庭支付的電費中，有一成以上是為電器待機買單，我們就會明白那些微弱的待機指示燈代表的是巨大的浪費。現在，家電製造業在跨越了低待機功耗門檻後，開始向零待機功耗發起衝擊，新產品、新技術、新理論不斷出現，真正展現了科技創新對節能減排的支撐作用。然而，在新家電投入使用前，養成隨手斷電的習慣，只是按一下機械開關的舉手之勞，對減少能源浪費來說更加實際。

富士通、恩益禧(NEC)、瑞薩電子(Renesas)等半導體相關公司所組成的LEAP(Low-power Electronics Association & Project)，成功研發出能控制住磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)的失真，進而將性能提高40%的技術。

估計在數年內可應用於IC上，屆時可望將IC的耗電量減到現在的10分之1。本技術將於16日發表在京都舉辦的國際半導體研討會(Symposium on VLSI Technology)。

目前IC上安裝的記憶體多為SRAM和DRAM，隨著記憶體容量需求的增加，光記憶體便會佔據電路板上整個IC面積一半以上空間，出現空間不夠以及耗電量增加的問題。如果改用MRAM，便可用3分之1耗電量，也就是0.4伏特以下的電量，達到一樣的效果。

這個技術主要為透過維拉里效應(Villari effect)，也就是應用對磁性材料施加壓力而改變其磁化強度的效應在MRAM上，達到抑制失真並將非揮發性的儲存力提高的效果。穩定下來的非揮發性保存能力，比起以往增加超過1,000倍，形態最佳化後更能發揮超過87%性能。維拉里效應可在不增加製作流程的情況下導入。

日本爾必達公司近日宣布成功開發出了DRAM業界首款使用HKMG技術的2Gbit密度LPDDR2 40nm製程級別DRAM芯片產品。HKMG技術即指晶體管的柵極絕緣層採用高介電常數（縮寫為high-k即HK）材料，柵電極採用金屬材料（Metalgate即MG）。採用這種技術的晶體管可減小柵漏電流並提升晶體管的新能。

　　此前一些邏輯集成電路廠商如Intel，三星等已經開始使用HKMG技術的晶體管，不過存儲集成電路方面由於HKMG柵極成型後還需要經歷高溫處理過程（容易導致金屬材料性質變異），加上DRAM電路結構的複雜性（相比邏輯電路用晶體管還需增加電容單元），使HKMG技術在DRAM產品上很難得以應用。而爾必達則宣稱成功解決了這兩個問題。

　　應用HKMG技術之後，爾必達的LPDDR2產品晶體管的柵絕緣層厚度相比常規的SiO2絕緣層降低了30%，晶體管的驅動電流值則增加了1.7倍，待機狀態電流則降低到了現有水平的1/100，因此極大地減小了LPDDR2產品待機狀態的能耗。

　　爾必達還計劃在其更多的高速/節能型移動內存芯片產品上推廣HKMG技術。

　　另外，爾必達還將繼續評估將HKMG技術應用到其30/25nm節點製程的可能性。有關的樣品則將在2011財年開始對外發貨，產品的量產則會隨後很快跟進。