三星上季DRAM拿下近45％市佔率，2012年DRAM、NAND Flash景氣唯三星馬首是瞻，由於三星目前掌握兩大存儲器最龐大的產能，價格漲跌有絕對性的影響作用，存儲器業者分析，上一季三星在兩大存儲器的市佔率已經超過40％，為了不要踩到50％的紅線區，三星在DRAM、NAND Flash要再大幅度衝高產能機率不大，然而DRAM因為競爭對手已經奄奄一息，三星也不會公開宣布減產讓對手有喘息的機會。
由於製程轉進順利、市佔率穩固，三星在存儲器廠中2011年營收呈現逆勢成長。由於受到DRAM價格及市佔率雙雙下跌的影響，全球前25大半導體供應商當中存儲器製造商海力士、美光、爾必達等公司營收下挫。三星營收上揚3.7％，其中來自手機特殊應用集成電路（ASICs）業務營收貢獻與存儲器業務營收貢獻不相上下。
2012年即將來臨，來看看新的一年有什麼最新科技，包括南韓發明了最新的「彈性記憶體」，這種像可以把電腦記憶體儲存在像塑膠片一樣可彎曲的載體上，也就是說，未來的平板電腦或是手機，可能不但可以彎曲，還能像塑膠片一樣薄。
日立環球儲存科技 (Hitachi GST) 宣佈推出全新Ultrastar C10K900企業級硬碟系列。Ultrastar C10K900延續日立一貫的品質與效能，在循序處理與隨機存取能力上分別較同級競爭產品快上18%和17%；同時搭載提供穩定可靠資料處理能力的SAS 6Gb/s高效能介面，並內建64MB緩衝記憶體，加速讀寫回應時間。全新Ultrastar硬碟平均搜尋時間僅3.8毫秒，且其高轉速將平均延遲時間降低到3.0毫秒以下，提升資料存取速度與效率。
隨著目前平面化的晶片開始出現多層式結構，半導體製造的基礎將在未來幾年發生轉變。在全球主要的半導體工程領域花費近十年的時間致力於使得這種結構實現可製造化之後，立體的三維晶片(3D IC)終於可望在明年開始商用化──但這其實也已經遠落後於先前規劃的時程多年了。
過去幾年來，晶片製造商們一直在努力地使與3D IC互連的TSV技術更加完善。現在，TSV已經可針對2D作業實現最佳化了，例如從平面晶片的正面傳送數據到背面的微凸塊，採用堆疊晶片的3D IC時代即將來臨。
市場研究機構 DIGITIMES Research 觀察指出， 2011年10月初以來的泰國水患，對硬碟機(HDD)產業鏈造成的衝擊，致使不少業者錯失第四季銷售旺季商機；但該機構資深分析師兼主任簡佩萍認為，歷經 2011年12月與2012年1月硬碟供應最嚴重不足的月份後，2月開始硬碟產能將明顯改善。但因為品牌廠商倉庫已無硬碟庫存， 2012年第一季採用硬碟的裝置出貨量將僅能與 2011年第四季相當(品牌商仍有約2,000萬顆硬碟庫存)，供需缺口預估仍達400萬台。
希捷科技宣佈開始供應第二代Momentus XT固態混合硬碟機。Momentus XT是希捷針對消費者和商用筆記型電腦開發的突破性產品，同時也是該公司有史以來最快速的個人電腦硬碟機。
據美國《技術評論》雜誌報導，IBM公司在華盛頓舉行的國際電子設備大會上展示了首塊集成式賽道存儲器樣本。這款革命性的計算機存儲新設備兼具傳統硬盤的大容量和閃存的快速運算以及持久耐用等特點。 IBM表示，賽道存儲器在存儲密度和製造成本方面有望超越閃存。
全球硬碟龍頭廠威騰（WD）宣布來台設SSD（固態硬碟，Solid State Drive)）研發中心，落腳新竹，投資額約數百萬美元，預計2012年首季啟動，將在台徵才50人，與台積電（2330）等半導體及封測產業密切合作。
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根據來自非授權通路業者的消息，泰國洪水逐漸消退之後，硬碟機價格已經回跌，但還沒恢復到往日水準。
「我們已經在過去一兩周看到整體產業狀況大致趨於平靜；」獨立零組件銷售業者N.F. Smith & Associates的總監暨共同創辦人Lee Ackerley表示，硬碟機價格：「已經回跌，但是還沒有恢復到先前的水準。」
美國IBM與美光科技宣布，美光已決定利用基於矽通孔（Through-Silicon Via）的商用CMOS技術，率先生產新型存儲器“Hybrid Memory Cube”（HMC）（英文發布資料）。美光將利用IBM擁有的三維LSI製造工藝生產HMC，由此可將存儲器速度提高至現有產品的15倍左右。
Intel新一代高性能桌面固態硬盤Cherryville SSD 520系列已經推遲到2012年第一季度發布，不過相信的官方規格參數已經洩露出來，尤其是讀寫性能一覽無餘。 X25-M系列第一代產品的主控是Intel自家的方案，今年初的第二代SSD 510系列改成了Marvell方案，近來又不斷有消息稱SSD 520系列會採用流行的SandForce控制器，不過至今仍然未得到證實，Intel的規格表裡也沒有註明，看來只能等到正式發布之後才能揭曉了。
SSD 520系列將使用25nm新工藝的MLC NAND閃存芯片，並擁有所謂的計算質量元件(Compute-Quality Components)，容量提供60GB、120GB、180GB、240GB、480GB等五種，比現在豐富得多，接口仍是SATA 6Gbps，外形規格仍是標準的2.5寸，厚度9.5毫米，支持AES 256-bit加密。
富士通半導體有限公司台灣分公司宣佈推出三款內建記憶體的第二代轉碼器－MB86M01、MB86M02和MB86M03。該系列產品為雙向H.264/MPEG-2轉碼器，不但能轉換影像和語音資料，還可進行full HD高畫質轉換（1920 x 1080）。即使內建記憶體，仍可維持其僅1.2W的低功耗。樣品將於2012年3月底開始出貨。
國際電子元件大會IEDM即將在12/5至12/7日於美國華盛頓特區舉行。旺宏(2337)今年再次有5篇論文入選，篇數居台灣業界之冠。近年來，旺宏每年在IEDM大會平均約有5篇論文發表，顯示在先驅記憶體研發成果深受國際肯定，也因此自去年起旺宏有3位研究同仁分別獲邀擔任IEDM三個分組論文審查委員會的評審委員。
IEDM被視為微電子元件界的奧林匹克盛會，每年皆吸引全球各地最傑出研究成果於會中發表，該會議除了提供技術交流的平台，同時亦為展現研發實力的重要櫥窗。今年IEDM共有來自全球逾600篇論文投稿，最後評選出200餘篇於會中發表。台灣獲選論文除了旺宏以外，主要還包括交大6篇、國家奈米實驗室4篇、工研院3篇及台積電(2330)2篇等。
三星電子(Samsung)即將於2012年國際固態電路會議(ISSCC 2012)上發表採用20nm製程技術的8Gbit相變記憶體(PCM)元件，預期此舉將再度挑起相變記憶體是否可商用化上市的辯論。
希捷去年快速跳轉到HDD / SSD混合磨損，與價格的體面和有能力的Momentus XT的。現在我們有一個具有相同品牌的繼任者，但與硬盤調升742GB，NAND存儲微升至8GB，加上一個更快的SATA III6Gb / s接口。 “閃光輔助驅動器”，承諾削減的啟動和滯後時間，一個標準的筆記本電腦硬盤相比，通過逐步學習您的文件是人氣很足，值得地點在貴賓休息室，固態，。我們正在尋找一個189元的價格，包括五年的保修期，並從今天的可用性。閱讀完整的公關。
DRAM報價直逼歷史低價，在DRAM產業籠罩一片低氣壓時，模範生瑞晶的製程轉進速度仍是一馬當先，原本預定2011年底前旗下所有產能都全數轉進30奈米製程，日前目標已提前達陣，但因母公司爾必達(Elpida)應部分客戶需要40奈米製程產品，因此保留2萬片產能在40奈米，在製程轉進成功後，預計成本可進一步下滑，雖然相較於目前DRAM報價仍是虧錢，但仍是台廠中競爭力最強的業者。
根據分析，以30奈米製程生產2Gb DDR3晶片含封裝測試的成本約1.1~1.2美元，雖然製程微縮讓晶片成本下滑，但仍卡在封測成本仍相當高，而若以30奈米製程生產4Gb晶片，成本則可降至2美元水準。
哈肯到浦科特最新的2.5英寸SSD，這次的消息之前的產品有三件事情你不能抱怨：以較低的價格，適度規範磕碰和一個額外的兩個超越了一般的三年保修 annums。M3S採用SATA III和一個Marvell控制器，提供525MB / s和445MB / S的速度連續讀取和寫入，及70,000和65,000 IOPS的隨機讀取和寫入。最低128GB容量將出售從本月底為200美元，256GB的變種一起350美元- 700美元，從明年年初- 512GB 。該公司專有的真實速度軟件也出席，聲稱保留“像新的”速度，即使驅動器填補了零散的數據 。休息後，你會發現在PR的進一步規範，但很可惜它有沒有第三人稱敘事的天賦，我們看到最後一次。
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