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DRAM被廣泛用在個人電腦、行動裝置和伺服器等多種電子產品的記憶體儲存。由於DRAM不斷朝高速化、低耗化和小型化改進，也讓儲存裝置越來越進步。

美國美光科技（Micron Technology）將開始量產供貨通過矽通孔（Through-Silicon Via：TSV）連接沿3D方向積層的多枚DRAM晶片的新型記憶體「Hybrid Memory Cube（HMC）」。

HMC在計算記憶體性能方面，可將速度提高至原來的15倍左右。 HMC試製品的最大數據傳輸速度為128GB/秒，是現有最尖端產品的12.8GB/秒的十倍之多。

採用HMC可以大幅削減記憶體子系統的耗電量和封裝面積。與原來相比，可將數據傳輸所需耗電量和封裝面積分別削減約70％和1/10。

能夠達成高速化，採用TSV是關鍵。因為可以大幅增加端子數量，又可以縮短佈線距離。關於端子數量，現有產品這幾年一直停留在幾百個端子的水準。而如果採用可通過半導體前程序技術製造的TSV，則可以實現遠超1000個的端子數量。這樣可以增加傳輸路徑，因此有助於實現高速化。

關於佈線距離，將佈線由目前的水平方向改成垂直方向可以縮短距離。現有DRAM模組大多將DRAM封裝平放。模組尺寸方面，就連用於筆記型電腦的模組也僅為70mm×30mm左右。由於會將DRAM模組與另外封裝的控制器平放排列，因此佈線距離會達到幾十mm。

HMC將DRAM晶片按照垂直方向積層，因此可以將DRAM模組尺寸縮小到1個封裝大小。 DRAM晶片間的佈線長度會變短，而且HMC和控制器也會進行3D積層，由此便可以將兩者的佈線距離縮短至幾mm。

HMC的生產將利用與美光進行合作的美國IBM公司的3DLSI製造技術進行量產。構成HMC的部件預定在IBM位於美國紐約州東菲什基爾（East Fishkill）的半導體工廠採用32nm級high-k金屬柵極工藝製造。 （記者：大石 基之，《日經電子》）