隨著傳統的半導體製造技術在NAND flash領域即將達到極限，存儲器芯片廠商紛紛開始採用3D生產技術以提高產能。
根據IHS的報告顯示，到2017年，全球近三分之二（65.2%）的快閃存儲器芯片將採用3D技術，而在2013年這一比例僅為1%。 2014年採用3D技術的快閃存儲器芯片比例將增至5.2%，2015年則將飆升至30.2%。到了2016年這一比例將擴大至49.8%，幾乎佔整個快閃存儲器市場的一半。
“普遍認為採用傳統平面半導體技術的NAND flash再經過一代或兩代就將達到理論極限，”IHS內存和存儲高級分析師Dee Robinson表示。 “隨著平面印刷技術進一步萎縮，NAND的性能和可靠性將僅適合極低成本的消費性產品。在未來幾年，由於NAND廠商被迫開發更高密度和更低價格的產品，因此將會迅速向3D製造轉移。”
三星和SK海力士這兩個全球最大的存儲器廠商在8月份的加州聖克拉拉快閃存儲器峰會上發布了他們的3D NAND創新成果。
三星表示該公司名為V-NAND的3D快閃存儲器產品已經在第二季度開始商用化生產。其終端產品將會是480千兆字節以及960千兆字節的V-NAND固態硬盤，初期目標是企業市場。 V-NAND將比1 x納米NAND更可靠、功耗更低，並且順序寫入和隨機寫入的性能更高。
IHS預計基於V-NAND的固態硬盤和基於傳統快閃存儲器的固態硬盤的價格將會有較大差距，這也就是三星將該產品的目標市場首先定位為企業市場的原因。
三星的最大競爭對手SK海力士也在計劃生產3D NAND，其初期的3D產品將類似於三星的V-NAND，容量達到128千兆字節。不過這只是SK海力士雙向策略中的一部分，該公司同時還在開發16納米產品。
隨著三星和海力士SK已經開始3D NAND開發，投入生產的時間比預期更快，且進展速度也大大快於業界期望。
儘管如此，其他存儲器廠商仍然決定至少再生產一代平面NAND，將3D計劃日程推後。這些廠商包括SanDisk、美光和日本東芝。
不過，初期3D NAND生產將是有限的，並且由於產品多層結構的原因，故障分析比較困難。 IHS認為，高性能產品在企業應用中的初期增長將有助於廠商獲利以及工藝成熟。儘管如此，3D技術要對整個行業增長做出顯著貢獻還有待時日。
無論如何，NAND的3D競賽已經打響，尚未對這一技術變革做出響應的NAND廠商將會感受到壓力。
來源：華強電子網發布者
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