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日經新聞報導，全球第2大NAND型快閃記憶體(Flash Memory)廠商東芝(Toshiba)於23日舉行了動工儀式，正式著手興建NAND Flash新廠。該座NAND Flash新廠為東芝位於三重縣四日市第三座12寸NAND Flash廠「Fab 5(見附圖)」的擴建工程(第2期工程)，預計將在2014年度內開始量產採用最先端細微化技術的高效能NAND Flash產品、且之後併計劃於2015年度生產採用3D結構的NAND Flash。

報導指出，該座NAND Flash新廠房會將製程技術自目前的19奈米提升至16-17奈米，且導入量產後，東芝12寸晶圓月產能將可較目前的45萬片提升約20%。據報導，因半導體細微化正面臨技術性的瓶頸，故全球NAND Flash龍頭廠南韓三星電子(Samsung Electronics)已於今年8月開始生產採用3D結構的NAND Flash產品，對此，東芝執行資深常務董事成毛康雄於23日表示，期望藉由上述新廠房的量產，直指全球龍頭位置，且東芝計劃於2013年度末針對3D NAND Flash產品進行樣品出貨、之後併計劃於2015年進行量產。

據報導，分析師表示，3D結構產品雖可有效提高晶片的記憶容量，惟最大課題在於良率，故即便三星率先量產3D產品，在市佔率的爭奪上能否因此位居優勢仍舊不明。 2012年三星于全球NAND Flash市場市佔率達37%、東芝為31%。

資料來源:精實新聞