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瑞薩電子(Renesas Electronics)將推出十二款RMLV0416E、RMLV0414E及RMLV0408E系列先進低功率靜態隨機存取記憶體(Advanced Lower-power(LP) SRAM)新產品。新款記憶體裝置具有4Mb密度，並採用電路線寬僅110奈米(nm)的精密製程技術。

全新先進低功率SRAM系列，提供與瑞薩現有採用150奈米製程SRAM產品相同的高可靠性，包括無軟體錯誤及無閂鎖。這些產品可在標準電流2微安培(µA)、25°C下達到低功率運作，適用於以電池備份裝置中的資料儲存。瑞薩低功率SRAM已在多種領域獲得廣泛採用，包括工業、辦公室、通訊、汽車及消費性產品，該公司此類產品在2012年擁有全球第一的市佔率。近年來，由於製造商系統已達到更高效能與更先進功能，SRAM已成為提升整體系統可靠性的重要因素。特別是儲存重要資訊如係統程式與帳單資料的SRAM，必須提供高水準的可靠性，因此焦點也特別放在降低因α輻射與宇宙中子輻射造成軟體錯誤的方法。瑞薩先進低功率SRAM架構中，記憶體單元里每個記憶體節點皆附加實體電容器，因此對於軟體錯誤具有極高耐受性。在發生軟體錯誤後，一般處理方法是在SRAM或製造商系統中納入內部錯誤修正碼(ECC)電路，但此方法有其限制，在一些情況 ​​下，ECC效能可能無法處理影響多個位元的錯誤。

來源：新電子發布者