DDR4 記憶體終於進入量產階段了！Samsung 今天正式宣佈他們已經開始大規模量產 20nm 製程的 4Gb 記憶體顆粒，以供 16GB 和 32GB 兩種規格的產品使用。據悉他們接下來會將 32GB 的記憶體推向伺服器市場，其產品的最高速度據稱可達 2,667 Mb/s，效能更強，同時功耗在 DDR3 產品的基礎上可降低 30%。按照 Samsung 的說法，他們即將打造的是全球最小最強勁的 4Gb DRAM 晶片，但顯然其目標不止於此，早在 2011 年時他們就定下過 4Gbps 的目標啦。
使用4Gb芯片裝備的DDR4內存能夠減少30%的功耗，DRAM數據傳輸峰值將達到2,667megabits per second (Mb/s)，是同樣採用20納米製程的DDR3內存的1.25倍.
三星在發言稿中表示：“今年我們將會通過超高速DDR4內存來繼續推動企業級服務器的發展，繼今年早些時候開始供應16GB的DDR3之後，今年我們將會繼續擴大高端服務器市場的份額，並將重點放在具備更高密度更高性能的32GB的DDR4內存上，並有望在2014年在綠色IT市場上贏得突破性的增長。”
首波產品將鎖定下一代企業伺服器與資料中心應用，推出大容量 DDR4 記憶體。
半導體製造商 Samsung Electronics 宣布開始大量生產 DDR4 記憶體模組，而首要目標則是瞄準 2014 年開始轉換規格的新一代伺服器、資料中心平台，業主將能夠在需要大量擴展的伺服器平台上，獲得 DDR4 記憶體高性能、低能耗的特性所帶來的好處。
Samsung Electronics 將率先推出 4Gb 的記憶體顆粒，使用 20nm 製程打造 (20nm 表示 20~29nm 製程皆有可能，但以目前進展來看，該公司較有可能使用 20nm 製程進行量產)，以供 16GB、32GB 記憶體模組使用。
目前的記憶體模組主流容量為 8GB，而製程部分則是 30nm，相較之下 DDR4 記憶體模組的確有很大的突破。
在推出 DDR3 16GB 系列模組後，Samsung Electroncis 將在 2013 下半年繼續擴展高階伺服器市場，持續推出大容量記憶體模組，至於 2014 年將會轉向 DDR4 平台，並且推動 32GB 以提升自家優勢。
Intel 不論是在企業或是消費應用端的處理器，都會在 2014 下半年度開始導入 DDR4 規範，如過去 DDR2 轉換至 DDR3，這次的轉變也不會有向下相容的情況。
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