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資料中心(Data Center)將成驅動記憶體業成長的新動能。隨著雲端服務崛起，全球資料中心逐漸往大型(Large)及超大型(Very-Large)發展；目前這兩類資料中心佔整體資料中心的資本支出比重已達六成，且未來仍將節節攀升，可望帶動龐大儲存需求，並推助記憶體業創造另一波成長高峰。

東芝(Toshiba)集團前資深執行副總裁暨現任常任顧問齊藤升三(Shozo Saito)表示，企業界近年來開始仰賴巨量類比資料(Big Analog Data)運算及分析，以提供客戶差異化的服務價值，而在分析巨量資料的過程中還會再衍伸、創造出新的資料，如此龐大的資料流量將使企業界面臨資訊爆炸(Info-plosion)的處境。

齊藤進一步引述國際數據資訊(IDC)的資料表示，2010年人類創造的資料量為1.8ZB(Zettabyte)，預估至2020年將勁揚至35ZB，如此龐大的資料量固然為資料中心的運算及運作帶來巨大的負擔與挑戰，但同時也為儲存技術與裝置帶來了無限商機。

Rambus執行長Ronalad Black也認為，記憶體產業與雲端產業的發展將相輔相成。因應這波龐大的商機，無論是針對高效能運算系統(High Performance Computing, HPC)、一般雲端運算等，相關供應鏈廠商無不對資料中心悉心佈局各種儲存解決方案，包括快閃記憶體(Flash Memory)、固態硬碟(Solid State Drive, SSD)、傳統硬碟(Hard Disk Drive, HDD)等。

齊藤指出，在眾多儲存解決方案中，NAND快閃記憶體將受惠最多。事實上，層出不窮的新應用將不斷為NAND快閃記憶體帶來新的S曲線(S-curve)生命週期，如數位相機等電子產品，以及智慧型手機和平板電腦即分別掀起兩次NAND快閃記憶體的需求浪潮。他預估，在2015年之後將出現另一波大規模的資訊爆炸，勢必將為NAND快閃記憶體帶來第三波成長高峰。

因應資料中心龐大的儲存需求，業界亦戮力開發NAND快閃記憶體的新技術及新製程。齊藤表示，三維(3D)NAND快閃記憶體具備高密度儲存容量的優勢，已成產業界新焦點；如東芝以BiCS(Bit-cost Scalable)結構研發的次世代3D NAND快閃記憶體及3D可變電阻式記憶體(ReRAM)即已於2013年完成送樣，並預計在2015年正式量產。

資料來源:新電子