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存儲器芯片市場三哥美光(Micron) 10月初公佈2015會計年度6~8月業績，營收為36億美元、營業利益為4.27億美元，營益率僅11.9%，季減4.5個百分點。儘管美光營益率較其他競爭企業明顯下滑，市場預測(consensus)卻小幅上揚。然這意味市場對美光的期待值已降低。 

市場調查機構HIS13日發布的數據顯示，2015年第二季度，三星電子在全球D-RAM市場的份額環比上升1.1個百分點，達到45.2%，創下單季度歷史新高，穩坐全球第一寶座。

南韓記憶體大廠SK海力士(SK Hynix)在2015年底前會投入36層的3D NAND量產，2016年將階段性的量產48層3D NAND記憶體；而近期暫無購併計畫。

據韓媒ZDNet Korea報導，14日SK海力士社長朴星昱在2015南韓電子產業大展上表示，2015年進行36層的3D NAND記憶體量產，2016年則會大規模量產48層的3D NAND記憶體。

在紫光股份剛剛宣布入股西部數據之際，紫光系欲拿下東芝和SanDisk公司的消息又不脛而走。更有坊間傳聞稱，雙方已開始接觸。日前，紫光股份證券部相關人士接受《證券日報》記者採訪時對該消息進行否認，其表示：“紫光方面未有對東芝和SanDisk閃存業務的收購計劃，但紫光併購計劃仍將持續。”然而從紫光系近年的併購軌跡來看，其對全球半導體市場尤其是存儲芯片市場的野心不容小覷。隨著併購加速，一個龐大的紫光帝國拔地而起。先併購華三，再入駐西部數據，並屢屢與存儲芯片產業大鱷傳出“緋聞”，紫光在下一盤怎樣的棋？

否認收購東芝

儘管目前全球存儲器四強競局維持平衡狀態，然近期各廠投資動作頻頻，包括三星電子（Samsung Electronics）、美光（Micron）與東芝（Toshiba）為量產3D NAND Flash，紛投資建廠或以既有生產線進行轉換，SK海力士（SK Hynix）亦可能利用M10廠生產3D NAND Flash，業界預期未來3~4年內存儲器產業既有平衡競局恐將被打破。

半導體業者表示，3D NAND技術是未來存儲器產品主流，然技術層次及難度十分高，目前在製程良率上仍面臨許多挑戰，預計2016年真正順利量產的存儲器大廠只有三星，其他業者仍在全力追趕中，全球3D NAND賽局甫揭開序幕。

“在我國金融、電信、稅務等國家重點部門中，98%的存儲系統採用國外產品，同時，高端存儲系統的核心技術大都被國外存儲廠商壟斷，這給國家信息安全帶來了較大的安全隱患，因此，突破國外廠商的壟斷，研發出擁有自主知識產權的高端存儲技術已迫在眉睫。

目前，閃存芯片存儲技術以高存儲密度、低功耗、擦寫次數快等優勢佔據了非揮發性存儲芯片的壟斷地位，但隨著半導體工藝的不斷發展，閃存芯片存儲技術遇到了技術瓶頸，而新一代存儲技術——阻變存儲器有望成為閃存芯片存儲技術的替代者。

HHD 市場發展

今年7月份，Intel聯合美光推出了3D XPoint存儲方案，從形式上顆粒可理解為“3D閃存”。Intel在8月的IDF上上來就介紹了這項新技術，這是一種基於電阻的非易失性內存存儲方案，讀取延遲10納秒級別，使用壽命即全盤寫入1000萬次級別，介於傳統DRAM、NAND之間。

自從紫光收購展訊銳迪科之後，趙偉國無疑已經成為大陸資本市場最具潛力的明星，從美光、西部數據到今天市場傳出台灣華亞科董事長高啟全加盟，大手筆不斷。
趙偉國的Memory帝國版圖卻越來越清晰。

目前全球DRAM記憶體產業仍是三分天下，主要由韓國的三星、海力士及美國的美光半導體三家瓜分市場；而韓國更是獨占鰲頭，韓廠三星與海力士兩大集團的DRAM產能，就佔全球約七成的市佔供給，其次是美光約22%~23%，台灣的華亞科、南科等記憶體廠，合計市佔率僅約5%~6%。

DRAM記憶體是錢坑事業，要進到DRAM業界來，就要敢撒大錢，因為機器設備相當昂貴，且因技術專利研發都掌握在三星、海力士與美光手上，因此，生產線涉及到技術專利問題時，就得付出可觀的權利金，且DRAM市場行情的起落極大，碰到行情慘淡時，一年賠掉300個億元新台幣是常有的事，但行情好的時候，一年也可以賺進500億元新台幣。

近期內中國對進軍記憶體產業的動作頻頻，而今更傳出現任南科總經理的高啟全即將由南科卸任，後續轉至紫光任職。目前南科已經單方面的確認高啟全即將卸任，並且聲明『尊重個人生涯規劃』。