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被視為下一代非揮發性記憶體的「可變電阻式記憶體」(Resistive Random Access Memory、ReRAM)發展出現突破，韓國研究人員利用單層石墨烯(graphene)電極，研發出電阻轉換測量科技，或許有望解決ReRAM量產的最大障礙。

南韓媒體ETNews報導，仁荷大學(Inha University)材料科學工程系教授Jeon Hyeong-tak和Seoh Hyeong-tak 25日宣布開發出新科技，用和碳原子相同厚度的單層石墨烯，取代上層電阻，石墨烯極為輕薄，使得測量電極的信號變化成為可能。

磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)或許在許多應用領域有取代 DRAM 與 SRAM 的潛力，但就連市場上唯一家生產這種非揮發性記憶體的供應商都認為，這種取代的過程得花上好一段時間。

一份來自資料儲存產業顧問機構 Coughlin Associates的報告指出，全球 MRAM 市場複合年成長率(CAGR)可達50%，包括MARM與STT-MRAM在內的整體市場營收將由 2013年的1.9億美元，在2019年達到21億美元。

美商賽靈思 (Xilinx, Inc.；NASDAQ：XLNX)與同為混合記憶體立方體聯盟（HMCC）成員的Pico Computing公司，今日攜手推出業界第一可用於All Programmable UltraScale™系列元件的15Gb/s混合記憶體立方體（HMC）介面。Xilinx® UltraScale™元件可同時支援由64個收發器組成的4通道HMC頻寬，且運作速率可高達 15Gb/s。Pico Computing的HMC控制器IP的體積小巧而又具備可模組化和高度擴充性，提供極高的記憶體頻寬與優異的每瓦效能。工程人員可利用此套解決方案著手進行高效能運算、封包處理、波形處理及圖像與視訊處理等應用的15Gb/s HMC設計。

2012-2013年全球eMMC/eMCP供應商營收(單位：百萬美元)

物聯網(IoT)與可穿戴式裝置熱潮帶來了對低功耗記憶體的更殷切需求，程度甚至超越目前智慧型手機與平板裝置；產業專家認為，如同行動記憶體，物聯網與可穿戴式裝置也需要有依據不同使用情境量身打造的記憶體規格。
標準組織JEDEC旗下的JC-42.6低功耗記憶體工作小組主席Hung Vuong表示，物聯網對專屬記憶體的需求尤其明顯，而相關考量條件包括晶片尺寸、整合度、介面、低功耗、低電壓、密度、性能以及工作溫度。他指出，在智慧型手機與平板裝置之外，所有其他產業對低功耗記憶體的需求持續增加，包括汽車與最新的可穿戴式裝置，只是程度有所不同。

日本科學家發現可提升固態硬碟(SSD)讀寫速度3倍的新技術，由於各界預期NAND Flash在未來幾年內效能提升將有限，因此這項新技術格外引人注目。

三星電子西安廠大事紀

據富比士(Forbes)報導，2014年5月14日，東芝(Toshiba)宣布改建日本四日市(Yokkaichi)廠區的第二廠房，與新帝(SanDisk)於同地點攜手興建3D NAND Flash的全新廠房。兩廠期待投入資金興建全新廠房，能為後續帶來更大效益，在價格競爭中取得優勢。

2014第一季DRAM廠營收排行

日前三星電子(Samsung Electronics)位於西安的半導體工廠，終於舉行了竣工儀式，同時宣布工廠正式進入運轉，對於三星而言，大陸半導體事業佈局，可說是向前邁出了一大步，但對於全球的NAND Flash市場供需平衡來說，挑戰恐怕才正要開始。

IBM表示，相變化記憶體(藍色部分)能整合至大多數伺服器與儲存系統的記憶體階層中

A Korean research team developed a transparent memory device which is expected to contribute to the development of next-generation transparent electronic appliances such as transparent notebooks and transparent smartphones.

The Ministry of Science, ICT and Future Planning announced on the 23rd that Professor Kim Tae-geun and Doctor Kim Hee-dong from the Department of Electrical Engineering of Korea University developed a transparent memory device manufacturing technology that makes 80% more of visible rays pass through by using the excellent electric and optical characteristics of reduced graphene oxide.

三星電子(Samsung Electronics Co.)9日宣布，中國西安記憶體晶片製造廠正式啟用、旗下先進NAND型快閃記憶體「3D V-NAND(見圖)」將在該廠投產。三星並且表示，西安封裝測試廠預計在今年底以前也將會完工。3D V-NAND將應用於固態硬碟(SSD)等消費、企業應用產品。

三星自2012年9月為西安廠(廠房面積達23萬平方公尺)舉行動土儀式以來、僅僅花20個月時間就完成興建工作。三星電子執行長暨裝置解決方案部門(包括記憶體、系統LSI、LED)負責人權五鉉(Oh-Hyun Kwon)9日主持西安廠啟用儀式。

錄音卡匣除了曾是音樂存放的主流外，其實也曾是早在磁碟片之前做為電腦檔案儲存使用，雖然在一般市面中很難再見到它的蹤跡，不過在許多大型伺服器至今仍仰賴相同技術的磁帶機做為備份主力，而近日 Sony 正式對外宣布再把其儲存量加大 74 倍。