真乄科技業的頂尖投資團隊

全球存儲行業領導者三星電子今日宣布，已開始量產業內首款ePoP(embedded package on package)存儲器。這款新型存儲器將3GB的LPDDR3移動DRAM、32GB的eMMC和控制器三者首次放在了同一封裝內。極為輕薄的ePoP存儲器單封裝，用於高端智能手機，包含了手機需要的所有關鍵存儲器零部件，並可直接堆疊在移動應用處理器之上，因而不會佔用更多的空間。

近期許多新穎的USB規格陸續發布，包含USB 3.1、USB Power Delivery 2.0(以下簡稱USB PD)及USB Type-C。若以技術為出發點，這些規格看來各自獨立，擁有其獨特屬性；然而，若能將三者融會貫通，以整體的概念進行整合思考，將能為USB系統帶來前所未有的彈性及應用。

絕大部分使用者對USB的印象是隨插即用和操作便利。USB技術之所以能被廣泛地運用，簡易性與低成本是相當重要的因素；再加上其功能廣泛且易於開發，因而能成為當今世上最成功的傳輸介面。

SK海力士(SK Hynix)將對客戶供應自主研發的高頻寬記憶體(HBM)，搶佔次世代記憶體晶片市場。

據南韓首爾經濟報導，SK海力士自1月初開始量產HBM，對美國繪圖晶片業者超微(AMD)供應產品。最快2015年上半市面上將可見到搭載SK海力士HBM產品的AMD繪圖晶片。而SK海力士也將對繪圖晶片大廠NVIDIA等其他客戶供貨。

市場研究機構IDC最近發布的一份報告指出，快閃記憶體儲存陣列的市場滲透率正在快速成長；該份報告顯示，包括全快閃記憶體陣列(all-flash arrays，AFA)以及混合快閃記憶體陣列(hybrid flash arrays，HFA)在內的全球快閃記憶體陣列市場規模，在2014年可達113億美元。
IDC的報告指出，快閃記憶體陣列市場的成長動力，來自於越來越多廠商提供針對不同應用、支援越來越高複雜度工作任務的多樣化產品；「該市場的成長速度高過於我們預期，」 IDC分析師Eric Burgener表示，2014年市場對快閃記憶體儲存陣列的需求成長速度超過了他們原先的預測，估計HFA與AFA產品在2014年的營收分別可達100億美元與13億美元。

三星電子(Samsung Electronics) 為與其他尚無法生產V NAND的競爭業者將技術差距拉大到2年以上，並在次世代存儲器芯片市場上維持獨大地位，計劃在2015年內量產堆疊48層Cell的3D垂直結構NAND Flash。

據首爾經濟報導，三星近來已完成48層結構的V NAND研發，並著手研發後續產品64層結構V NAND。48層V NAND將於2015年內開始量產。原本韓國業界推測三星會在2015年下半完成48層V NAND，並在2016年才投入量產，然三星大幅提前了生產日程。

NAND技術革命：TLC和3D NAND將成為關注重點

記憶體市況今年將不同調；動態隨機存取記憶體(DRAM)市場可望維持穩定獲利，儲存型快閃記憶體(NAND Flash)市場則有隱憂。DRAM市場步入由三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光(Micron)三強鼎立的寡占局面，各DRAM廠去年不僅全面獲利，並且是豐收的一年。台塑集團旗下DRAM廠南亞科去年可望首度賺進超過1個股本；美光與南亞科合資的華亞科去年獲利也可望突破新台幣400億元，將創歷史新高紀錄。NAND Flash市場競爭、變化相對激烈，且難以預料；去年下半年NAND Flash市場即在各界一面看好中旺季不旺。展望未來，今年DRAM與NAND Flash市場需求可望同步成長；其中，智慧手機市場除出貨持續成長，搭載記憶體容量也將倍增，將可帶動整體行動記憶體市場需求進一步擴增。固態硬碟(SSD)市場有機會較去年再倍增，加上嵌入式記憶體(eMMC)市場同步成長，也將帶動NAND Flash市場大餅進一步擴大。據市調機構集邦科技預估，今年NAND Flash位元需求可望達383.8億顆，較去年增加42.8%。至於供給端方面，DRAM廠營運仍將以獲利導向，持續謹慎擴產，市場寡占結構仍將維持不變。集邦科技預期，今年DRAM產值可望達541億美元，將年增16%，市場將可維持穩定獲利局面；記憶體模組廠威剛及利基型記憶體廠鈺創也一致看好今年DRAM市況健康。南亞科預期，DRAM市場季節性低潮期將延續到今年第1季，產品價格將緩跌，直至第2季若係統廠需求回溫，產品價格可望逐步回升。威剛董事長陳立白及鈺創董事長盧超群對今年NANDFlash市況看法則相對保守。陳立白表示，NAND Flash供應商展開軍備競賽，除三星西安廠將量產挹注產能外，東芝也將擴產，將為今年NAND Flash市況添增變數。陳立白預期，今年上半年NAND Flash產品價格將維持緩跌走勢，下半年雖然時序步入傳統旺季，但產品價格能否隨著回升，將視供應商擴產速度而定；若供應商積極擴產，NAND Flash價格恐難維持穩定。不過，群聯對於今年NAND Flash市況並不悲觀，表示近年NAND Flash景氣變化快速，且波動走勢難以準確預料，今年實際情況如何仍待進一步觀察。

資料來源:經濟日報

三星電子(Samsung Electronics)為取得存儲器市場70%以上獲利，加速研發新技術與擴大產量。SK海力士(SK Hynix)與東芝(Toshiba)為抵擋三星獨霸而聯手，但技術力差距牽制不易。同時，因智能型手機事業陷低潮的三星，能否借存儲器事業翻身成為焦點。

全球 NAND 型快閃記憶體（Flash Memory）龍頭廠三星電子（Samsung Electronics）日前傳出考慮明年（2015 年）在中國西安興建 NAND 新廠房，而身為 NAND 二哥的東芝（Toshiba）聽到這消息不能忍，宣佈將興建 NAND 新廠，且設廠地點不一定會在日本。

Thomson Reuters 報導，東芝社長田中久雄 26 日接受專訪時表示，旗下 NAND Flash 生產據點「四日市工廠」第 5 廠房（Fab 5）甫於 9 月全面量產，但因使用於智慧型手機、數據中心的 NAND 需求非常活絡，故東芝目前正在挑選廠房用地考慮興建一座 NAND 新廠，且目標為在 2017 年度啟用量產。

A conceptual illustration of magnetization reversal, given by the compasses, with an electric field (blue) applied across the gold capacitors. The compass needles under the electric field are rotated 180 degrees from those not under the field (0 degrees rotated). The two-step switching sequence described in the paper is represented by the blurred compass needle under the electric field, making an intermediate state between the 0 and 180-degree rotated states.

美光為何對華亞科持續讓利？這問題一直是外資分析師論辯的話題。由財務報表觀察，華亞科第3季毛利率高達53.4％，但美光上季毛利率僅33％，由此推論美光可能減少對華亞科的讓利，十分合乎邏輯上的推論；也正是因為在這個思考邏輯下，多數法人認為美光明年會重新調整華亞科的出貨訂價公式。不過，美光、台塑集團已達成共識，明年華亞科的出貨訂價公式不進行調整，其實這對美光而言，是基於長期策略上考量，因為華亞科已成為美光擁有DRAM產能中佔比最大的一座廠，此時要把獲利由華亞科身上擠出來，等於是殺雞取卵。華亞科的二大股東台塑、美光持股比重相當，但台塑只想當單純投資者角色，華亞科產出全交給美光。在此大架構下，華亞科去年及今年獲利大幅成長，晶圓廠全速轉進30奈米後的運作效率，又遠優於美光自己美國廠或新加坡廠，所以對美光來說，只要能持續讓華亞科“生出金蛋”，就可快速回收投資。事實上，當年美光由奇夢達手中接手華亞科持股，買下持股資金是先向台塑集團借的，金融海嘯後DRAM市場大崩盤，華亞科能夠維持營運不倒閉，靠的也是台塑集團背後力挺。所以，現在美光維持華亞科獨立運作，沒想要把利潤全部拿回自己手中，也是想還個人情給台塑集團。對美光整個集團DRAM佈局，明年將進入20奈米世代關鍵年，美光的日本廣島廠主要生產Mobile DRAM，產能幾乎被蘋果包下，美光要與三星及SK海力士競爭，在Mobile DRAM以外的市場賺取最大利潤，華亞科是打戰的先鋒部隊。也因此，華亞科明年要以最快速度完成20奈米製程微縮，美光自然不會在此時此刻要華亞科吐出更多獲利。明年華亞科要投入500億元資本支出進行20奈米轉換，但並不打算對外增資，因發行公司債會稀釋持股比重，要辦現增兩大股東又不想由自己口袋掏錢，因此只能靠華亞科現金流量支應。但對美光來說，不必由自己口袋拿出錢來投資，又可享受20奈米微縮帶來的效益，基於以最少投資換取最大利潤考量，讓利給華亞科又何妨！

來源：工商時報發布者

儲存科技大廠威騰電子(WD)表示，隨著雲端運用與物聯網需求竄出，同時個人儲存裝置、可攜式移動終端與PC對儲存需求持續擴大，促使整體資訊儲存容量規模可持續增加外，即便今日個人儲存裝置與PC對儲存容量的需求約佔總儲存容量近半的規模，但預計後續企業對儲存的需求容量將快速放大，且成為儲存容量的主要使用者。

2014年NAND Flash市場在便攜式電子新品持續、快速更新的帶動下表現出價格穩定、需求強勁的發展態勢。

尤其在下半年蘋果iPhone6/6Plus新機上市備貨需求強勁與OEM業者進入出貨旺季的帶動下，新製程的嵌入式產品自第三季起成為市場主流，三星、東芝這些存儲行業大牌的表現尤為出色。據市場調研機構TrendForce最新報告，2014年第三季度東芝NAND Flash產品營收環比大增23.7%，穩居世界前二位，其中15nm新製程的產出比重持續增加。

2014年是 DRAM 產業獲利頗為豐收的一年。受惠於全球智慧型手機持續熱銷，一線DRAM大廠紛紛轉進行動式記憶體； TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 預估， 2014年行動式記憶體將佔整體DRAM產出的36%，2015年更有機會突破40%大關。
DRAMeXchange 研究協理郭祚榮表示，拜行動式記憶體需求暢旺所賜，標準型記憶體產出相對減少，反倒讓模組價格始終維持在高價水位，2014年4GB模組均價約32美元，標準型記憶體毛利率平均達40%以上。各DRAM廠朝向全面獲利的狀態，寡佔市場格局與需求端的市場變化都將牽動2015年DRAM產業未來發展。

TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 調查顯示， NAND Flash 成本隨著製程演進而持續下滑，各種終端應用如 SSD 與eMMC等需求則持續成長，估計 2015年 NAND Flash產值將較2014年成長12%，至276億美元。
DRAMeXchange研究協理楊文得表示，由於終端產品出貨與新機上市多半集中在第三季和第四季，相較之下上半年缺少新產品刺激市場，受淡季效應影響情況將較為顯著，因此預估2015年NAND Flash市況將呈現上冷下熱的格局，也就是上半年會出現供過於求，下半年則隨著需求回溫轉為供需平衡甚至小幅供不應求的情形，但整體而言2015年NAND Flash產業穩定向上成長的趨勢維持不變。

次世代資料儲存裝置固態硬碟(SSD)市場價格，2年內下滑一半。由於NAND Flash產能增加、SK海力士(SK Hynix)也可望加入3D架構NAND Flash量產行列，皆讓SSD加速邁向大眾化階段。而最近隨著價格下滑，SSD應用範圍逐漸擴大，有加速普及的傾向。

英特爾原本憑藉著其將在2016年推出10TB閃存驅動器的聲明而佔據有利位置，但如今其地位正面臨嚴重威脅：SanDisk同樣公佈了一款面向企業的存儲設備選項，這家閃存存儲供應商稱屆時其容量將高達16TB。　　
SanDisk企業級存儲營銷高級主管Brian Cox表示，他們的4TB驅動器技術將以每年容量翻倍的步伐快速發展，這意味著其明年就將推出8TB驅動器產品、而到2016年容量上限更將達到16TB之多。　　

三星電子(Samsung Electronics)過去最大獲利來源─半導體事業，自2011年第3季起被其另一獲利支柱─IM(Information technology & Mobile communications)事業部取代，至3年後的2014年第3季，方因IM事業獲利急轉直下，供需結構已趨於穩定的半導體事業再度成為三星最大獲利來源。

因包括標準型(Standard)、行動裝置、伺服器用DRAM位元需求量皆較前季增溫，三星2014年第3季DRAM營收較前季成長18.7%，達5.32兆韓元(約51.5億美元) ，SK海力士(SK Hynix)亦成長7.1%，達3.28兆韓元，皆創下至少2011年以來新高記錄，合計韓廠該季DRAM營收達8.59兆韓元，較前季增加14%，較2013年同期則成長28.2%。