NAND技術革命：TLC和3D NAND將成為關注重點
（來源：Gartner，2014/12）
三級單元(triple-level cell；TLC)快閃記憶體在進入客戶端市場兩年後，預計將進一步在資料中心獲得動能。但長期來看，由於 3D NAND 逐漸取代，傳統的 NAND 記憶體成長開始趨緩。
截至目前為止，TLC主要用於 USB 驅動器、快閃記憶卡、低成本智慧型手機與客戶端固態固碟(SSD)；不過，市調公司Forward Insights首席分析師Gregory Wong指出，市場上目前已經看到 iPhone 6 開始採用了，預計它將在2015-2016年進一步滲透到高階智慧型手機與企業資料中心 SSD 應用中。
另一家市調公司Gartner也發表類似的預測看法。Gartner半導體研究副總裁Joe Unsworth表示今年已經有一些特定客戶選擇在資料中心採用 TLC 了。該研究公司預計，在未來的一年， TLC 和 3D 將成為 NAND 技術進展關注重點，特別是三星電子(Samsung)已在2014年為 3D NAND 實現商用化，但預計業界採用的腳步仍緩慢，大約要到2016年以後所有廠商都實現商業化後才可能普及應用。在那之前，該產業仍將會是一個多級單元(MLC)和 TLC 並存的世界，他說。
Gregory Wong預計，在2016年以前， MLC 將繼續應用在智慧型手機、平板電腦和 SSD ，以及可能用於一些越來越普及的 Android 智慧型手機中；而單級單元(SLC)則持續用於機上盒(STB)、數位相機、印表機與行動裝置等消費應用中。然而，Gregory Wong指出，由於越來越多的行動裝置與相機改採用 MLC ， SLC 採用量正逐漸減少，主要的成長力道來自工業與汽車應用。
推動 TLC 成長以及在資料中心應用找到立足點的原因之一在於更智慧化的控制器，它克服了對於耐用性的顧慮。整體而言，Gartner認為，快閃記憶體管理韌體與先進控制器將成為 NAND 市場的差異化因素。
Objective Analysis首席分析師Jim Handy表示， TLC 以往多半用於低階寫入應用，如快閃記憶卡、 USB 快閃驅動器與 MP3 播放器等，一直到2013年才成功地應用於三星與SanDisk提供的客戶端 SSD中。「使 MLC 得以取代 SLC 的相同基礎架構技巧，也適用於讓 TLC 取代 MLC ，」Jim Handy表示。然而， MLC 的成本約為 SLC 的50%，改用 MLC 能夠帶來更大的成本優勢；相形之下， TLC 的定價約為 MLC 的80%，因而無法為 TLC 取代 MLC 帶來什麼推動力量。
Jim Handy預期， SLC 並不至於完全消失，但逐漸地，當市場上只有幾家供應商(如Spansion與旺宏Macronix)就足以滿足市場需求時， SLC 的出貨量將會逐漸萎縮，成本也會日趨增加。
Jim Handy認同Gartner的看法——控制器成為一項重要的差異化關鍵。控制器變得更智慧、更複雜，儘管得花更多的成本，但卻降低了 TLC 進入新領域的成本。不過，控制器也有其侷限性，他說，當達到極限時，就必須增加快閃記憶體與內建冗餘。
Jim Handy強調， TLC 將不會完全取代 MLC 。 「MLC 的應用基本上已經是無處不在了，這樣的情況還將延續到接下來的兩年，或甚至更長的時間。」然而， 3D NAND 更適於採用 TLC ，因而可能比平面 NAND 使用更多的 TLC 。
不過，他同樣認為， 3D NAND 至少要到2016年以後才能加速成長；最終，TLC 和 3D NAND 將競相成為 NAND 快閃記憶體的最低成本選擇。
編譯：Susan Hong
(參考原文：Triple-Level Cell Memory Makes Gains in Storage，by Gary Hilson)
資料來源:電子工程專輯
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