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在20號下午的投資者網絡會議上，英特爾透露其將在明年下半年提供基於3D NAND的SSD產品，技術則是來自該公司與鎂光(Micron)在閃存合資企業。據悉，其能夠在單個MLC核心“平面”(2D)上堆疊32層、共計256Gb(32GB)的容量。如果採用3-bit(TLC)方案，那麼每單元的容量還可以進一步提升至384Gb(48GB)。

英特爾非易失性存儲事業部總經理兼高級副總裁Rob Crooke表示：3D NAND有望在接下來的幾年時間裡催生10TB級別的SSD產品，甚至封裝厚度只有2mm的1TB存儲(非常適合移動設備) 。

加州聖何塞和愛達荷州博伊西2014-11-19(中國商業電訊)－－混合內存立方聯盟（HMCC）一直致力於開發和建立混合內存立方（HMC）的行業標準接口規範，今日宣布其HMCC 2.0規範（HMCC 2.0）已定稿並公開。

新的HMCC 2.0規範將數據傳輸率從15 Gb/秒提高到30 Gb/秒，為存儲器性能建立了新的門檻。HMCC 2.0還將相關信道模型從短距離（SR）遷移到非常短距離（VSR），以便與現有行業命名法保持一致。

現在什麼東西都能用「印」的，甚至是紙上記憶體跟電子元件──在各家記憶體大廠積極推進製程技術、開發3D架構元件的此刻，研究人員展示了紙張製作記憶體的可能性。
IEEE院士、美國辛辛那提大學(University of Cincinnati)電子工程教授Andrew Steckl曾在《IEEE Spectrum》期刊發表文章指出，紙張具備成為印刷電子元件軟性材料的潛力；Steckl自2008年起就在辛辛那提大學展開以紙張製作電子元件的研究，他表示，與傳統的印刷電路基板材料如塑膠、玻璃或是矽相較，紙張擁有許多優勢：包括可生物分解、低成本、可利用再生能源製造、重量輕又具備可撓性，而且紙張種類繁多的程度讓人吃驚。

韓國國際廣播電台報導：韓國企業在世界半導體DRAM市場的佔比已逼近70%，創歷來最高紀錄。

據半導體電子交易網“Dramexchange”發布的報告顯示，今年第三季度在世界半導體DRAM市場上的佔有率，韓國為69.7%，美國為24.2%，台灣為6.1%。

記憶體是用於目前每一個電腦系統、記憶體方案和行動裝置的關鍵元件之一。記憶體的性能、可擴展性、可靠性和成本是決定每一種系統產品投入市場時經濟上成功或失敗的主要標準。

目前，幾乎所有產品都使用一種或結合使用幾種基於電荷儲存的揮發性記憶體DRAM和SRAM，以及非揮發性記憶體NOR和NAND快閃記憶體。現有的這些記憶體具有明顯優勢，使其於過去30年位居市場主導地位。但因為系統始終追求更快、更小、更可靠、更便宜，以便能在未來五到十年間有效競爭，所以這些記憶體存在的缺點，也為其未來發展蒙上陰影。

隨著來自社交網站、電子商務以及各種行動裝置的數位資訊流暴增，巨量資料(big data)已經為IT基礎建設帶來壓力；而當物聯網(IoT)不斷發展、可穿戴式裝置開始興盛，對記憶體以及快閃記憶體儲存裝置來的壓力又是什麼？
很明顯的是，新一代裝置將對記憶體以及資料儲存元件的功耗、性能以及外形有獨特的需求；在此同時，眾多物聯網設備與可穿戴式裝置的功能，會只是單純的收集與傳送資訊到雲端或資料中心，以進行處理。

具氧化物雙電極的電阻式記憶體(resistive random access memory, RRAM)很適合新一代的非揮發性記憶體應用，而美國萊斯大學的研究團隊最近發表了一種嶄新的RRAM，該元件是以奈米多孔矽氧化物結構為基材，利用內部垂直奈米孔隙進行開關操作。該團隊表示，此元件可能是取代矽基快閃記憶體的最佳選項。

由於全球最大NAND Flash廠三星電子西安廠正式投產，並宣布開始量產128Gb 3D V-NAND晶片，東芝及新帝（SanDisk）聯軍為了維持市佔率，已決定加快日本Fab5第2期量產，而SK海力士、美光、英特爾等也開始拉高產能因應激烈競爭。 NAND Flash廠軍備競賽在第4季全面開打，業界對明年市況感到憂心，供過於求問題恐導致跌價幅度大於今年。

日立製作所（Hitachi）（10/20）發表與京都大學共同研發的石英玻璃儲存技術，可在石英玻璃內記錄下與藍光光碟記錄密度相同的100層數位資料，並驗證讀寫均正常無誤。日立說明，石英玻璃耐水性極佳，在攝氏1000度2小時加熱下內存資料也絲毫不會產生劣化，且保存期限超越3億年，可期待用於超長期保存事業，確實保留重要歷史文物、公文書、人類遺產等資料。日立在2013年已研發出可在石英玻璃內儲存26層資料的技術，等同於DVD的記錄密度，這次之所以能實現100層資料記錄密度，全都仰賴新研發的球面像差（optical aberration）校正鏡片，以及能降低資料讀取失誤率的去雜訊讀取演算法。

前項技術應用了高級光學顯微鏡的技術將聚光鏡片加以改良，使雷射光可準確抵達石英玻璃深部位置；後者則透過獨自的演算法，將讀取訊號失誤率降到1/1000以下。日立與京大在實驗中驗證可在石英玻璃兩面各記錄50層資料，每層間距60µm，共計100層，記錄密度達每平方寸1.5GB。本次研發成果於新聞發布同日在台灣新竹舉行的國際光資訊儲存研討會ISOM2014中發表，今後雙方將繼續就提升記錄密度與實用化等目的持續進行相關實驗。此外，九州工業大學與鹿兒島大學所研發的深度宇宙通訊實驗機SINEN2也會搭載此儲存技術石英玻璃進入宇宙。（編譯/張嵐霆）

NAND Flash由平面2D製程走向3D製程的軍備競賽，隨著三星10月9日正式宣布量產32奈米32層的128Gb 3D V-NAND晶片後，正式揭開序幕，包括東芝／新帝、SK海力士、美光／英特爾等均將在2015年開始投產3D NAND。業者指出，3D NAND單顆晶片容量快速拉高且價格便宜，明年NAND Flash價格跌勢難止。

NAND Flash廠今年進入1ynm世代後，製程微縮難度更大，不斷墊高成本，由於2D NAND的可量產製程微縮到12奈米後就會遇到物理瓶頸，為了降低生產成本及擴大單顆晶片容量，包括三星、東芝／新帝、SK海力士、美光／英特爾等四大陣營，均開始著手布局3D NAND技術及產能，2015年將是3D NAND市場起飛元年。

就如同名字所隱喻的速度感，賽道記憶體(Racetrack)在性能表現上有許多承諾，但該技術卻一直還沒走出 IBM 的實驗室。
賽道記憶體是一種非揮發性記憶體，又稱為磁疇壁記憶體(domain-wall memory，DWM)，利用自旋同調(spin-coherent)電流沿著約200奈米長、100奈米厚的奈米高導磁合金(nanoscopic permalloy)線移動磁疇；當電流通過線路時，磁疇經過鄰近的磁性讀寫頭，藉由磁疇的改變來記錄位元。

近日，日本TDK首次展示了新型存儲技術MRAM的原型，有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱磁阻隨機訪問內存，已經存在一段時間了，但是TDK將其帶到了一個新的高度。它以磁荷為數據存儲介質，而它的名字來自自旋傳輸矩，也即是寫入數據的時候利用電子角動量來改變磁場。MRAM技術的讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM，當同時又是非易失性的，也就是可以斷電保存數據，等於綜合了RAM、Flash的優點。

全球存儲器芯片龍頭三星為鞏固存儲器事業獲利，近期與服務器龍頭惠普（HP）等大廠敲定第4季DRAM合約價上漲3%協議，化解市場擔心三星啟動新一波價格戰的疑慮，華亞科、南亞科等業者可望鬆一口氣。

三星一直在不斷提高固態硬碟容量，最近投產了一款容量為3.2TB的固態硬碟產品。

全球先進半導體技術領軍品牌三星電子今天宣布已經開始量產用於固態硬盤的業內首個3bit MLC 3D V-NAND閃存。

三星電子存儲芯片營銷部門負責人韓宰洙高級副總裁表示：“通過推出一條全新的高性能高密度固態硬盤產品線，我們相信3bit V-NAND將會加快數據存儲設備從傳統硬盤向固態硬盤的轉換。固態硬盤產品的多樣化，將加強三星產品的市場競爭力，進一步推動三星固態硬盤業務的發展。”

圖／經濟日報提供  

三星電子（Samsung Electronics Co.）6 日舉行南韓平澤（Pyeongtaek）Godeok 工業園區新半導體廠建廠備忘錄（MOU）簽約儀式。三星表示，京畿道省以及相關市政府代表同意提供必要的基礎設施並就新廠的建設、營運相關事宜與三星密切合作。

三星電子執行長兼副董事長權五鉉（Kwon Oh-hyun）在出席 MOU 簽約儀式時表示，三星衷心感謝京畿道、平澤市的全力支持。耗資 15.6 兆韓圜、建築面積達 79 萬平方米的平澤廠將在 2015 年上半年動工、預計 2017 年下半年即可開始營運。

東芝今天宣布世界上最小的嵌入式NAND快閃記憶體產品--15nm製程的NAND閃存芯片，這款新品符合最新的eMMC規範，可以廣泛運用在消費類數碼產品，包括智能手機，平板電腦和可穿戴設備的設計上。今天開始就有16GB容量的樣片出貨，而8/32/64/128GB容量的芯片將在隨後發售。