TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 調查顯示, NAND Flash 成本隨著製程演進而持續下滑,各種終端應用如 SSD 與eMMC等需求則持續成長,估計 2015年 NAND Flash產值將較2014年成長12%,至276億美元。
DRAMeXchange研究協理楊文得表示,由於終端產品出貨與新機上市多半集中在第三季和第四季,相較之下上半年缺少新產品刺激市場,受淡季效應影響情況將較為顯著,因此預估2015年NAND Flash市況將呈現上冷下熱的格局,也就是上半年會出現供過於求,下半年則隨著需求回溫轉為供需平衡甚至小幅供不應求的情形,但整體而言2015年NAND Flash產業穩定向上成長的趨勢維持不變。

供給端重心在製程轉進、3D NAND開發與TLC產品應用擴張

DRAMeXchange認為,2015年NAND Flash產業將進入關鍵時刻。由於各家業者有志一同的盡量降低產能增加速度,因此2015年預估總晶圓投片量(12吋約當)增加幅度只有8%的年成長,供給端重心將會放在半導體製程微縮最後一個世代15/16奈米的製程轉進、3D-NAND Flash的開發時程以及TLC產品應用的擴張。

今年下半年1Y奈米的eMMC/eMCP與SSD大量被應用在蘋果(Apple)、三星(Samsung)等一線智慧型手機與平板電腦品牌產品中,而三星與東芝(Toshiba)陣營也從第三季末開始小量試產下一個世代的15/16奈米產品。由於15/16奈米產品良率與效能提升所需的時間較1Y奈米更久,預期最快能夠順利量產導入到嵌入式產品的時間點將落在明年第二季後,因此各家業者在半導體製程微縮轉進即將面臨物理瓶頸後,會加速3D-NAND Flash的開發。

三星從去年第四季順利量產3D-NAND Flash並導入Enterprise-SSD的產品開發,今年更全面導入Client-SSD中,並且也有OEM業者開始導入相關3D-NAND Flash的SSD產品。英特爾(Intel)則在今年的投資人會議中,揭露與美光(Micron)共同開發的3D-NAND Flash SSD開始進入試作階段,預計在明年年中之後正式出貨。

楊文得表示,英特爾的動作將加速其他尚未有明確時程公布的廠商推出3D-NAND Flash的時程,然而在價格、性能與控制晶片搭配性的各種因素考量下,3D-NAND Flash應用普及時間點將會落在2015年第四季之後。

憑藉著較佳性能價格比的TLC嵌入式產品,三星在eMMC/eMCP與Client-SSD市場取得相當的成功,而其他業者自今年下半年起也陸續推出相關TLC的嵌入式產品。隨著行動運算硬體的競爭從高階機種轉為中低階機種,TLC較能夠滿足業者對於成本的要求考量,加上透過控制晶片已能大幅改善TLC先天的速度與效能問題,主要PC與行動裝置品牌業者都已開始採用TLC產品。

而今年蘋果的新iPhone首度採用TLC作為儲存裝置,更直接驅動其他業者提高使用比重,DRAMeXchange預期2015年TLC的產出比重在OEM裝置推波助瀾的情況下將快速攀升至41%,成為業者的兵家必爭之地。

智慧型手機、平板電腦與固態硬碟仍是需求成長推手

2015年整體NAND Flash需求位元量為383.8億顆(2GB equiv.),年成長42.8%,其中智慧型手機、平板電腦與固態硬碟的消耗量占比超過85%。楊文得表示,2015年智慧型手機出貨年成長為12.4%,主要成長驅動因素來自於中低階機種;平板電腦恐因產品提早進入成熟期與硬體規格差異化縮小而呈現衰退。

在出貨成長動能趨緩的情況下,平均搭載容量的提升便顯得關鍵。蘋果今年推出的新款iPhone與iPad首次將行動裝置中NAND Flash儲存帶往64GB以上的高容量競賽,除了帶動其他業者在高階機種必須有效的跟進以提升產品競爭力外,中低階機種也將因競爭加劇的影響而增加儲存容量,因此DRAMeXchange預估2015年智慧型手機內建的NAND Flash (eMMC)平均搭載容量將較今年成長18%。

固態硬碟(SSD)的成長將扮演舉足輕重的地位。商務筆電SSD搭載率將有明顯的提升,主要因素來自於商務筆電對於儲存裝置穩定性與高效能的要求較高,對於容量的大小敏感度較低;而高階消費型機種的SSD滲透率則是在蘋果Macbook Pro與Macbook Air全系列導入SSD的帶動下,2015年SSD在筆記型電腦的搭載率可望提升至26%,明顯較2014年增加。

至於Enterprise-SSD的應用成長動能則持續強勁,來自於雲端運算與手機應用程式對於及時存取的需求增加,資料中心與伺服器業者對於Enterprise-SSD的容量需求持續上升,因此結合Client-SSD與Enterprise-SSD的成長力道,2015年SSD的表現將高於其他NAND Flash終端需求,成為明年成長最為強勁的項目。

資料來源:電子工程專輯

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