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16nm 128Gb TLC平面NAND以及32層TLC 384Gb 3D NAND的比較 (來源:Objective Analysis)

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表1 SATA與PCIe的版本、規格比較

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SK Hynix and Micron announced their plans to develop and mass produce 10-nanometer DRAMs to catch up with Samsung Electronics. One nanometer (nm) is one-billionth of a meter.

According to foreign media, including Nikkei Asian Review, on May 29, Micron, the world’s third largest DRAM producer in terms of market share, plans to invest US$2 billion (2.24 trillion won) over the next two to three years to develop and research a 13nm DRAM process technology. To this end, the U.S. semiconductor manufacturer has already added clean-room facilities to the Hiroshima plant in Japan and purchased several pieces of cutting-edge chipmaking equipment. The industry expects that productivity will improve by more than 20 percent when the company completes the development of 13nm process, compared to the 18nm DRAM which started mass producing in the first quarter this year.

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集邦科技(DRAMeXchange)指出,NAND Flash今年第1季市況延續去年第4季持續受到缺貨影響,即使第1季度為傳統NAND Flash淡季,通路顆粒合約價卻仍上揚約20~25%。在智慧型終端裝置如智慧型手機與平板電腦內的行動式儲存記憶體價格也呈現雙漲的狀況下,2017年將是NAND Flash成果豐碩的一年。

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3D XPoint技術是Intel,美光聯合研發的新型非易失性存儲架構,Intel方面將其命名為Optane傲騰,已經先後發布了企業級固態硬盤,消費級緩存盤兩種樣式,明年還會有DIMM內存條,可以說它將模糊傳統存儲,內存的界限,稱之為黑科技毫不為過。一直以來,英特爾對3D XPoint的內部架構設計和規格諱莫如深,但現在產品有了,就好辦了。

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隨著伺服器與雲端運算的快速成長,Google、臉書、亞馬遜、微軟等美系業者對企業級固態硬碟需求快速增加,加上來自百度、騰訊、阿里巴巴等中國資料中心業者維持強勁需求的帶動,TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)指出,第一季企業級固態硬碟不受傳統淡季的影響,出貨量達6百萬台,較2016年第四季逆勢成長3-4%,佔全球SSD市場出貨量比重也超過10%。

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TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新研究顯示,為優化智慧型手機的作業系統流暢度,廠商不斷升級行動式記憶體版本。在三星、SK海力士及美光集團三大原廠的奈米製程轉進及智慧型手機主流AP(應用處理器)的搭載需求下,LPDDR4X的產出比重持續增加,出貨數量在第二季開始將超越LPDDR4,且由於LPDDR4及LPDDR4X已呈同價趨勢,兩者和LPDDR3的價差都小於5%,也加速LPDDR4系列(含LPDDR4X)的導入速度,預估全年度LPDDR4系列將達到5成以上的市占率,正式取代LPDDR3成為2017年行動式記憶體的搭載主流。

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由突觸連接的前神經元和後神經元;神經突觸的傳遞由神經元突波的因果關係(Δt)進行調節 (來源:University of Arkansas)

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ST-MRAM (spin-transfer magnetic RAM) is an extremely promising new technology with the potential to replace major segments of the market for flash, SRAM, and DRAM semiconductors in applications such as mobile products, automotive, IoT, and data storage. With ST MRAM technology, data is stored in minute magnetic nodes—a physical mechanism different from traditional non-volatile memory (NVM). MRAM technology fundamentally requires less energy to use, and features like byte-addressability that further contributes to energy efficiency.

Embedded MRAM primarily fills the role that is currently handled by embedded NOR flash: storage of code and data that must survive when the power is removed. Indeed, MRAM is challenging NOR flash due to overall lower power and byte-addressability.

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隨著 DRAM 及 NAND Flash 的製程壓縮已接近極限,各大廠商已開始研發各種新一代記憶體,比如 IBM 現主力發展 PRAM 型記憶體,而 Samsung 則主攻 MRAM(磁阻式隨機存取)記憶體,據報 Samsung 已準備在 5 月 24 日一個活動上公開最新成果。

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TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新研究顯示,隨著下半年各家原廠最新64層堆疊的3D-NAND Flash產能開出,在三星及美光等領頭羊帶領下,預估第三季3D-NAND Flash產出比重將正式超越50%,成為 NAND Flash市場的主流製程,此外,由於新一代iPhone的備貨需求將至,SSD應用需求也穩健成長,預估下半年整體NAND Flash市場仍維持供需較為吃緊的態勢。

DRAMeXchange指出,從供給面來看,各家原廠3D-NAND Flash新增的產能逐漸增加,後續觀察的重點將在良率提升的速度及導入eMMC與SSD等各項OEM的產品的速度,同時,整體NAND Flash供貨吃緊的態勢,也取決於下半年新一代iPhone需求的強弱而定。

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2014~2018年全球3D NAND Flash廠商別產能比重變化及預測

全球NAND Flash生產主要由南韓、日本及美國三大記憶體陣營廠商包括三星(Samsung)/海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)、美光(Micron)/英特爾(Intel)掌握。隨著1Y奈米(nm)以下2D NAND Flash製程難度加劇,後續發展已見瓶頸,近年廠商多透過3D NAND Flash技術發展,突破傳統2D NAND Flash在儲存容量提升及Cell儲存單元電荷幹擾等限制。

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Trendforce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新研究顯示,由於原廠先進製程品質問題頻傳,第二季標準型記憶體供貨吃緊情況未見舒緩,價格漲幅超乎預期。就目前的成交價格看來,第二季4GB DDR4模組合約均價來到27美元,相較第一季的24美元,上漲幅度約12.5%。

DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示,進入第二季,全球記憶體市場仍呈現供貨吃緊的狀態,各PC OEM大廠正陸續與主要DRAM原廠議定新季度的合約價格。原先市場期待供給即將增加,但由於三星、美光等先進大廠在18或17奈米上都出現品質異常的狀況,使得供貨吃緊的態勢仍未得到紓解,第二季整體DRAM確定維持上漲走勢。

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FOLSOM, Calif. — Intel Corp. announced its first solid-state drives using its 3D XPoint memory chips. The Optane SSDs are expected to establish a small, but significant, beachhead for the technology, which is one of several alternatives pioneering a new market between flash and DRAM chips.

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3D Super-DRAM架構

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