目前分類:記憶體/儲存技術/RRAM/Xpoint/MRAM/FRAM (742)

TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新研究顯示,隨著下半年各家原廠最新64層堆疊的3D-NAND Flash產能開出,在三星及美光等領頭羊帶領下,預估第三季3D-NAND Flash產出比重將正式超越50%,成為 NAND Flash市場的主流製程,此外,由於新一代iPhone的備貨需求將至,SSD應用需求也穩健成長,預估下半年整體NAND Flash市場仍維持供需較為吃緊的態勢。

DRAMeXchange指出,從供給面來看,各家原廠3D-NAND Flash新增的產能逐漸增加,後續觀察的重點將在良率提升的速度及導入eMMC與SSD等各項OEM的產品的速度,同時,整體NAND Flash供貨吃緊的態勢,也取決於下半年新一代iPhone需求的強弱而定。

SPIDERMAN 發表在 痞客邦 PIXNET 留言(0) 人氣()

SPIDERMAN 發表在 痞客邦 PIXNET 留言(0) 人氣()

2014~2018年全球3D NAND Flash廠商別產能比重變化及預測

全球NAND Flash生產主要由南韓、日本及美國三大記憶體陣營廠商包括三星(Samsung)/海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)、美光(Micron)/英特爾(Intel)掌握。隨著1Y奈米(nm)以下2D NAND Flash製程難度加劇,後續發展已見瓶頸,近年廠商多透過3D NAND Flash技術發展,突破傳統2D NAND Flash在儲存容量提升及Cell儲存單元電荷幹擾等限制。

SPIDERMAN 發表在 痞客邦 PIXNET 留言(0) 人氣()

Trendforce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新研究顯示,由於原廠先進製程品質問題頻傳,第二季標準型記憶體供貨吃緊情況未見舒緩,價格漲幅超乎預期。就目前的成交價格看來,第二季4GB DDR4模組合約均價來到27美元,相較第一季的24美元,上漲幅度約12.5%。

DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示,進入第二季,全球記憶體市場仍呈現供貨吃緊的狀態,各PC OEM大廠正陸續與主要DRAM原廠議定新季度的合約價格。原先市場期待供給即將增加,但由於三星、美光等先進大廠在18或17奈米上都出現品質異常的狀況,使得供貨吃緊的態勢仍未得到紓解,第二季整體DRAM確定維持上漲走勢。

SPIDERMAN 發表在 痞客邦 PIXNET 留言(0) 人氣()

SPIDERMAN 發表在 痞客邦 PIXNET 留言(0) 人氣()

  • 這是一篇加密文章,請輸入密碼
  • 密碼提示:
  • 請輸入密碼:

text

FOLSOM, Calif. — Intel Corp. announced its first solid-state drives using its 3D XPoint memory chips. The Optane SSDs are expected to establish a small, but significant, beachhead for the technology, which is one of several alternatives pioneering a new market between flash and DRAM chips.

SPIDERMAN 發表在 痞客邦 PIXNET 留言(0) 人氣()

3D Super-DRAM架構

SPIDERMAN 發表在 痞客邦 PIXNET 留言(0) 人氣()

LAKE WALES, Fla—The inventor of 3D monolithic chip technology back in 2010, BeSang Inc. (Beaverton, Ore.), claims to have since created a superior three-dimensional (3D) architecture for NAND flash. Frustrated with licensee Hynix's slow implementation of its monolithic 3D technology, BeSang is opening the door to partnerships with other memory houses, as well as offering to contract-fab the chips for resale by others, at a price that reduces the cost-per-bit of 3D NAND from over 20¢ to about 2¢ per gigabyte.

Problems with conventional 3D NAND are discussed including cell size, vertical scaling limitation, inefficiency of product architecture, and how BeSang aims to remedy them. 

SPIDERMAN 發表在 痞客邦 PIXNET 留言(0) 人氣()

3D架構的NAND型快閃記憶體(Flash Memory)競爭越來越激烈,東芝(Toshiba)於去年7月宣布領先全球同業開始提供堆疊64層的256Gb(32GB)3D Flash的樣品出貨,之後三星於去年8月宣布,堆疊64層的3D Flash產品將在2016年Q4(10-12月)開賣。

而現在又換東芝出手,宣布容量提高1倍的64層512Gb(64GB)3D Flash已進行送樣、且將在今年下半年量產。東芝22日發布新聞稿宣布,採用堆疊64層製程技術的512Gb(64GB)3D Flash已於2月上旬進行樣品出貨,且預計將在2017年下半年進行量產,主要用於搶攻數據中心/PC用SSD等市場。

SPIDERMAN 發表在 痞客邦 PIXNET 留言(0) 人氣()

  • 這是一篇加密文章,請輸入密碼
  • 密碼提示:
  • 請輸入密碼:

20170210 Crossbar NT31P1

Crossbar ReRAM技術易於配置,以實現低成本製造

SPIDERMAN 發表在 痞客邦 PIXNET 留言(0) 人氣()

西部數據宣布其已開始生產業內最密集的3D NAND閃存芯片,堆疊達到了64層。每單元存數比特位數也從2增加到了3(就是從MLC變成了TLC)。西數及其合作夥伴東芝將其“垂直3D堆疊技術”稱作Bit Cost Scaling(簡稱BiCS)。

其生產過程類似摩天樓的建造過程,一層一層地堆疊至64層,在更小的空間內容納更高存儲容量,進而帶來很大的成本節約、能耗降低,使得每Gb的成本效益更加明顯。此外,這項技術還增加了數據可靠性、以及固態存儲是速度。

SPIDERMAN 發表在 痞客邦 PIXNET 留言(0) 人氣()

被視為次世代存儲器技術之一的自旋力矩傳輸存儲器(STT-MRAM),在2016年12月舉辦的國際電子零組件會議(International Electron Devices Meeting;IEDM)中公開了若干突破性研究成果,最值得注意的是推出了容量超過1Gb的產品,以及將STT-MRAM嵌入CMOS邏輯芯片的技術實證。

MRAM算是次世代非揮發性存儲器科技中出現較早的一種,其記憶單元以磁隧結(MTJ)組成,由於佔用體積大與耗電量高,最大容量約16Mb,僅適用於若干特殊需求;MTJ水平排列的iSTT-MRAM雖然成功縮小化,記憶密度還是偏低,最大容量僅256Mb。

SPIDERMAN 發表在 痞客邦 PIXNET 留言(0) 人氣()

富士通(Fujitsu)宣佈推出最高密度4Mbit ReRAM(可變電阻式記憶體)產品MB85AS4MT。此產品為富士通半導體與松下電器半導體合作開發之首款ReRAM產品。

MB85AS4MT為SPI介面的ReRAM產品,能在1.65至3.6伏特電壓下運作,並於最高時脈5MHz的讀取操作下僅需0.2mA的平均消耗電流。此全新產品適用於需要電池供電之穿戴式及醫療裝置,例如助聽器等需要高記憶體密度且低功耗的電子裝置。

SPIDERMAN 發表在 痞客邦 PIXNET 留言(0) 人氣()

20170120 NRAM NT02P1

「遲來總比缺席好」可能是碳奈米管記憶體(Nano-Ram;NRAM)的最佳寫照。

SPIDERMAN 發表在 痞客邦 PIXNET 留言(0) 人氣()

根據日本當地財經媒體的報導,東芝(Toshiba)正在考慮分拆晶片業務,並將該業務一部分的股權出售給Western Digital (WD);東芝在美國的原子能業務可能因為廠房興建成本的高風險而出現帳面虧損,使得該公司面臨財務窘境。

不過東芝並未打算出售半導體業務,根據日本產經新聞(Nikkei)的報導,該公司準備釋出約20%、總價2,000~3,000億日圓(約17.7~26.6億美元)的股份,其他大多數股權將保留;此外該報導也指出,東芝將把分拆後的新公司仍納入整個集團的財報,並考慮在未來讓新公司上市。

SPIDERMAN 發表在 痞客邦 PIXNET 留言(0) 人氣()

目前在下一代存儲晶片的研發當中,除了3D XPoint晶片外還有ReRAM晶片(非易失性阻變式存儲器)。2016年3月,Crossbar公司宣布與中芯國際達成合作,發力中國市場。其中,中芯國際將採用自家的40nm CMOS試產ReRAM晶片。近日,兩者合作的結晶終於誕生,中芯國際正式出樣40nm工藝的ReRAM晶片。

SPIDERMAN 發表在 痞客邦 PIXNET 留言(0) 人氣()

 
作者:陳婉儀(工研院IEK)

SPIDERMAN 發表在 痞客邦 PIXNET 留言(0) 人氣()

大陸紫光集團董事長趙偉國11日出席公開活動時指出,2017年將再啟動兩個半導體基地,分別為成都和南京,合計再砸460億美元蓋廠,加計日前開始動工的武漢新芯旗下的長江存儲,這三個生產基地合計砸700億美元。
 

SPIDERMAN 發表在 痞客邦 PIXNET 留言(0) 人氣()