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20170120 NRAM NT02P1

「遲來總比缺席好」可能是碳奈米管記憶體(Nano-Ram;NRAM)的最佳寫照。

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根據日本當地財經媒體的報導,東芝(Toshiba)正在考慮分拆晶片業務,並將該業務一部分的股權出售給Western Digital (WD);東芝在美國的原子能業務可能因為廠房興建成本的高風險而出現帳面虧損,使得該公司面臨財務窘境。

不過東芝並未打算出售半導體業務,根據日本產經新聞(Nikkei)的報導,該公司準備釋出約20%、總價2,000~3,000億日圓(約17.7~26.6億美元)的股份,其他大多數股權將保留;此外該報導也指出,東芝將把分拆後的新公司仍納入整個集團的財報,並考慮在未來讓新公司上市。

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目前在下一代存儲晶片的研發當中,除了3D XPoint晶片外還有ReRAM晶片(非易失性阻變式存儲器)。2016年3月,Crossbar公司宣布與中芯國際達成合作,發力中國市場。其中,中芯國際將採用自家的40nm CMOS試產ReRAM晶片。近日,兩者合作的結晶終於誕生,中芯國際正式出樣40nm工藝的ReRAM晶片。

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作者:陳婉儀(工研院IEK)

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大陸紫光集團董事長趙偉國11日出席公開活動時指出,2017年將再啟動兩個半導體基地,分別為成都和南京,合計再砸460億美元蓋廠,加計日前開始動工的武漢新芯旗下的長江存儲,這三個生產基地合計砸700億美元。
 

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記憶體市場應用面越來越廣,所需要的容量也倍數增長,據研調機構IC Insights最新報告預測,DRAM與NAND快閃記憶體等,未來5年年均複合增長率(CAGR)可達7.3%,優於整體IC市場年複合成長率4.9%,且產值將從去年的773億美元擴增至1099億美元。

IC Insights預估,動態隨機存取記憶體(DRAM)及儲存型快閃記憶體(NAND Flash)的記憶體市場,2021年可望突破1000億美元大關,將達1099億美元,2016年至2021年複合成長率將達7.3%。

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TrendForce旗下記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新調查顯示,2017年第一季伺服器用記憶體模組價格持續攀高,據目前已成交的合約來看,平均漲幅已逾25%,甚至在高容量模組的漲幅更直逼30%以上,其中DDR4 32GB RDIMM已突破200美元大關,而16GB RDIMM也順勢攀升至100美元。

DRAMeXchange表示,由於標準型記憶體價格一路看漲,使得2017年第一季伺服器用記憶體模組價格也持續延燒,更帶動伺服器廠商備貨的動能與需求。今年整體DRAM產能擴增有限,全年度供需狀況仍吃緊,預期伺服器用記憶體模組價格將隨著原廠調配產出比重而維持穩定獲利水位。

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TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新研究顯示,由於DRAM供貨吃緊至今未有改善的跡象,因此延續2016下半年的價格漲勢,2017年第一季DRAM平均銷售單價呈大幅上漲格局,DDR3 4GB模組的合約價最高已超過25美元,季漲幅超過三成,為DRAM史上首個在傳統淡季下仍能維持強勢漲價的季度。

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2016年這個存儲業務走到了一個關鍵點。配置、管理和採購存儲的新方式給業務帶來顯著影響,讓初創公司走進人們的視野,讓老牌廠商步履蹣跚。曾經開啟了現代存儲的EMC,已經被戴爾收購,成為變革整個行業的一筆交易。

存儲2016:巨大變革的一年

在2016年之前,存儲行業觀察家們看到了超融合基礎設施、全閃存、混合閃存存儲和軟件定義存儲的崛起,並認為這些趨勢將會給自從EMC將Symmetrix陣列出售給IBM大型機市場以來就一直存在的存儲業務帶來衝擊。

2016年這個趨勢走到了一個關鍵點。配置、管理和採購存儲的新方式給業務帶來顯著影響,讓初創公司走進人們的視野,讓老牌廠商步履蹣跚。曾經開啟了現代存儲的EMC,已經被戴爾收購,成為變革整個行業的一筆交易。

2016年我們看到存儲業界的變化,只是2017年的前兆。下面就讓我們來看看2016年發生的一些大事件。

10、存儲市場停滯?

2016年也許是存儲市場開始長期下滑的一年,因為數據開始越來越多地從專有存儲設備轉向雲、軟件定義和基於服務器的產品。

根據IDC的數據,2016年第二季度全球企業存儲系統收入基本上與2015年第二季度持平,為88億美元。但是在第三季度,部分市場同比下滑了3.2%至88億美元。IDC指出,閃存存儲和超大規模數據中心市場在該季度繼續呈現穩定增長的態勢。

9、閃存存儲發展前景看好

儘管其他細分存儲市場開始萎縮,但是2016年是閃存存儲取得突破的一年。IDC估計,2016年第三季度全閃存市場總收入為11億美元,同比增長61%。混合閃存陣列細分市場收入達21億美元,在總體存儲市場中佔比24.1%。

閃存存儲行業正在快速成熟,但對初創公司來說仍有發展空間。不過,傳統存儲廠商如Dell EMC、NetApp、HPE和IBM在收入前五大廠商中佔了四席,前五大廠商只給Pure Storage留有空間。

8、軟件定義存儲成熟

VMware發布了備受期待的VSAN 6.2,這也是Virtual SAN的最新版本,糾正了此前一些阻礙VSAN市場發展的問題,標誌著軟件定義存儲的成熟,並消除了對該技術重要性的質疑。

其他幾家存儲廠商,包括像IBM、HPE和Dell EMC這樣的業界巨頭,以及像Ceph、Nexenta、DataCore、SwiftStack和Pivot3這樣的小型利基公司,在2016年都增強了他們的產品,以利用更強大的服務器將客戶從專用存儲解決方案遷移出來。

7、超融合的崛起

超融合基礎設施結合了計算、存儲、網絡和虛擬化資源到統一管理的解決方案中,超融合在2016年贏得了廣泛的關注,很大成熟上是由於這個領域最大廠商Nutanix完成了等待已久的IPO。Gartner預計2016年超融合基礎設施收入將突破20億美元,相比2015年增加79%。

2016年我們還看到VMware成功發布了用於構建超融合基礎設施一體機的VxRail軟件堆棧,以及思科低調推出的HyperFlex超融合系統。

今年也有很多收購,例如Nutanix收購了PernixData;Pivot3收購了NexGen Storage;Gridstore收購DCHQ,能夠將超大規模基礎設施轉變為服務。

6、存儲廠商沒有放慢收購的步伐

2016年至少有30家存儲廠商消失,因為他們被同行收購了,包括一些已經存在有幾十年時間的知名廠商。這些收購,雖然讓公司員工很痛苦,但確實顯示出存儲行業翻天覆地的變化。

2016年最主要的存儲廠商收購包括:

NetApp收購SolidFire,獲得後者的雲可擴展全閃存存儲技術

西部數據(WD)收購SanDisk,以擴展自己的全閃存存儲能力

eFolder收購Replibit,為MSP提供數據保護軟件

Cavium收購老牌存儲接口開發商QLogic 

StorageCraft收購Gillware的數據分析能力我們別忘了還有EMC,全球最大的存儲廠商,被戴爾以驚人的600億美元收購。

5、十幾家初創公司走出隱身模式

2016年還有很多存儲初創公司走出隱身模式,包括:

Cloudistics(超融合基礎設施)

Symbolic IO(基於服務器的高密度存儲)

DriveScale(橫向擴展基礎設施,將計算和存儲融合到行業標準機架服務器中)

E8 Storage(軟件定義的、基於NVMe的存儲解決方案)

Diamanti(網絡和存儲一體化的設備,針對Linux容器)

Datos IO(橫向擴展數據保護軟件)

Daera(將服務器轉變為雲存儲平台的軟件)

Simply(高性能RAID和Thunderbolt存儲設備,針對媒體和創意專業人員)

Igneous Systems(在客戶防火牆後的本地存儲,但由Igneous管理)

Kaleao(可擴展的、基於ARM的存儲解決方案)

4、風投資本仍然青睞存儲領域

2016年有很多存儲初創公司獲得了風險投資資金,包括:

7000萬美元,Zerto(虛擬化數據中心和雲災難恢復軟件)

6100萬美元, Rubrik(融合數據管理平台)

5500萬美元,Pivot3(超融合基礎設施)

5500萬美元,Datrium(針對私有云的融合存儲)

5100萬美元,Druma(用於保護和發現雲業務數據的軟件)

4100萬美元,Cloudian(混合雲對象存儲系統)

4000萬美元,Datera(把服務器轉變為雲存儲平台的軟件)

3500萬美元,Elastifile(軟件定義的全閃存存儲)

3250萬美元,Qumulo(橫向擴展NAS技術)

2500萬美元,CTERA(安全保存、同步和共享數據)

1500萬美元,DriveScale(橫向擴展計算和存儲)

1500萬美元,Cloudistics(超融合基礎設施)

1300萬美元,CloudEndure(實時遷移和災難恢復解決方案)

1250萬美元,Diamanti(網絡和存儲一體化的設備,針對Linux容器)

1200萬美元,E8 Storage(軟件定義的、基於NVMe的存儲解決方案)

3、聯想認真對待數據中心基礎設施業務

聯想曾經在2004年收購IBM PC業務震動了整個IT業界,後來在2014年初收購了IBM x86服務器業務,開始認真做自己的數據中心業務。

聯想目前正在通過一系列合作夥伴關係打造自己的存儲能力,其中包括一款基於聯想服務器和Nimble全閃存陣列及混合存儲陣列的融合基礎設施解決方案,採用聯想服務器、Nutanix/Pivot3/SimpliVity軟件的超融合基礎設施產品,以及與各種軟件定義存儲廠商的合作夥伴關係。

2、NetApp的複蘇

幾年前,NetApp有機會打敗EMC成為第一大存儲廠商,但最終卻經歷了多年的下滑,現在它的銷售額開始觸底反彈。在戴爾收購EMC之後,NetApp成為最大的獨立存儲廠商,第二大閃存存儲廠商。

11月的時候這個趨勢的扭轉最為明顯,當時NetApp公佈2017財年第二季度財報,收入和收益下滑,但是開始增長。現在NetApp的全閃存存儲業務表現超過市場平均水平,幾乎完成了從成熟產品向高利潤、戰略性產品(包括閃存)的轉型,與雲提供商有密切合作,還有云友好的Data Ontap存儲操作系統。

1、戴爾:存儲圈內無可爭議的新王

戴爾在9月完成了對EMC的收購,成為全球最大的數據存儲公司。不過,現在戴爾需要整合多個存儲平台。它必須解決如何構建面向未來的軟件定義技術,同事要確保不會過快脫離傳統專有存儲業務。

但是請記住,這次收購不止是存儲:EMC也讓戴爾成為全球最大的數據中心基礎設施廠商。除了成為最大的存儲廠商之外,Dell EMC還是全球第二大服務器廠商,虛擬化領域的領導者,擁有云技術提供商VMware,以及網絡和PC業務。

Source:ZD至頂

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20161227 Kilopass TA31P6

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SK海力士最先進72層3D NAND存儲器傳明年開始量產,韓聯社週一引述知情人事消息報導指出,SK海力士計劃於2017上半年完成芯片設計,位在利川(Icheon)的M14廠將可在下半年開始生產。

若按計劃進行,SK海力士將成為全球第一個量產72層3D NAND的存儲器廠。為因應市場需求增溫,SK海力士上週已宣布將在韓國與中國兩地,投資3.15兆韓圜來增加DRAM與NAND存儲器產能。

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  根據IC Insights報導,在經歷了2013年與2014年連續兩年20%以上增長的好年景以後,2015年全球存儲器市場陷入困境。無論是供應商合併、產能控制還是新型應用頻出等過去認為是利好的事情,都沒有拯救2015年的存儲器市場。個人電腦市場的低迷導致存儲器庫存過多,從而在2015年下半年出現了價格暴跌,2015年存儲器銷售額最終為780億美元,同比下降了3%。  

  這種頹勢延續到了2016年上半年,但從2016年下半年開始情況發生了變化,存儲器價格開始變得異常堅挺,而且持續到了2016結束。但由於上半年跌價太狠,IC Insights估算2016全球存儲器市場同比下降1%。

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TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新研究報告顯示,2017年NAND Flash整體投片產能僅年增6%,隨著業者加速轉進3D-NAND,2017年2D-NAND缺貨情況將持續一整年,而3D-NAND在64層堆疊順利導入OEM系統產品前,也將持續缺貨,價格有望穩健走揚,使NAND Flash原廠營運表現持續往上。

位元產出年成長來自3D-NAND,第三季2D-NAND產出滑落至50%以下

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    近日,東芝存儲器事業副社長成毛康雄在“SEMICON Japan 2016”(東京有明國際會展中心)半導體高端論壇上表示,“未來3D閃存需要挑戰200層堆疊”。

    成毛康雄還介紹了3D閃存目前的情況和未來戰略規劃,對比15nm工藝2D NAND(二維閃存),東芝投入生產的48層TLC 3D NAND(BiCS  FLASH),3D NAND單位存儲密度可達到256Gbit,而15nm工藝2D NAND僅為128Gbit,而且很難向256Gbit提升,相比之下,3D NAND較2D NAND就有更高的容量優勢,可靠性(擦寫次數)可提升約10倍,性能(讀寫速度)可提高至約兩倍,功耗可降至約一半。東芝打算運用3D NAND的這些優點,開拓數據中心用SSD等要求容量大、可靠性高的市場和用途。

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納米碳管(Carbon Nanotube;CNT)是一種獨特的材料,直徑只有人類頭髮的5萬分之1,但硬度是鋼鐵的50倍、密度則為鋁的一半,具有極佳的導熱和導電性。專門研發以納米碳管製成的存儲器的美國新創業者Nantero已和富士通(Fujitsu)達成合作協議,富士通旗下的2家半導體公司將授權Nantero納米隨機存取存儲器(NRAM)相關技術,計劃在2018年推出讀寫速度媲美DRAM的非揮發性存儲器芯片。
 

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垂直通道填充金屬係3D NAND Flash朝64層以上垂直堆疊發展的關鍵課題之一,DIGITIMES Research觀察,原子層沉積(Atomic Layer Deposition;ALD)製程可於高深寬比(High Aspect Ratio)垂直通道中,大面積形成均勻性薄膜,且具備良好的階梯覆蓋性(Step Coverage),故適用於更多層3D NAND Flash垂直通道填充金屬,然其存在沉積速度較慢及所需材料成本較高等問題。

ALD係化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition;CVD)的一種,與另一CVD技術電漿輔助化學氣相沉積(Plasma-Enhanced CVD;PECVD)相較,ALD採用依序注入第一種與第二種前驅物(Precursor)作為反應氣體的方式,來蒸鍍薄膜,此不同於PECVD運用電漿的蒸鍍技術,同時蒸鍍兩種以上前驅物進行化學反應。

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日本東北大學2016年12月8日宣布,該校研究人員發現,將容易在外部磁場作用下發生磁化翻轉的軟磁材料Ni-Fe合金(坡莫合金,Permalloy)與磁化翻轉需要很大外部磁場的硬磁材料——FePt有序合金組合到一起製作納米磁鐵,可利用Ni-Fe合金中的磁矩旋渦結構(磁旋渦結構或磁渦流結構)的磁化運動,大幅降低FePt有序合金磁化翻轉所需的磁場。利用該效應,可以大幅降低磁存儲器件信息存儲所需要的功耗。

HDD及磁存儲器(MRAM)等磁存儲器件及自旋電子元件是按照磁鐵方向(磁化方向)存儲信息的,因此具有關閉電源後信息也不會消失的優點。但同時也存在一個課題,那就是隨著存儲密度的提高,向存儲位寫入信息時所需要的能量(外部磁場等)也會增大。

比如,要提高HDD的存儲密度,就要高密度配置納米級別的磁鐵,增大使磁化保持同一方向的能量(磁各向異性能量)。但這樣會導致磁化翻轉磁場增大,寫入信息時的功耗也會增加。尤其是FePt有序合金,雖然這種合金被視為新一代超高密度磁存儲元器件材料的有力候選,但現階段,磁化翻轉磁場太大是實用化道路上的一大障礙。

此次,研究人員以減小翻轉磁場為目標,將層疊了Ni-Fe合金層和FePt合金層的薄膜試料加工成直徑260納米的納米尺度點,調查了磁化翻轉動作。結果發現,在Fe-Ni合金層形成了磁旋渦結構(磁渦流結構),向由該磁旋渦結構的Ni-Fe合金層與垂直磁化FePt有序合金層構成的納米磁鐵石施加某一特定頻率的高頻磁場時,翻轉磁場大幅減小。

未施加高頻磁場的FePt有序合金層顯示出8.6kOe的翻轉磁場,而只需施加頻率為11GHz的0.2kOe高頻磁場,翻轉磁場就減小到了2.8kOe。通過計算機模擬施加高頻磁場後發現,首先會在Ni-Fe合金層發生磁旋渦運動,由此產生的過剩磁能會積存在Ni-Fe合金層。積存的多餘能量會因為整個納米磁鐵進行磁化翻轉而減少,因此與Ni-Fe合金層鄰近的FePt合金層會發生磁化翻轉,這一過程很有特點。

此前已出現過很多有關磁旋渦運動的研究報告,但還沒有利用磁旋渦運動使鄰近磁鐵的磁化方向發生翻轉的研究報告,東北大學此次驗證了磁旋渦的新功能。該校表示,此次的成果開闢出了兼顧磁存儲元器件中的信息超高密度化與低功耗運行的新道路。

此次的研究成果已於2016年12月8日在美國物理學雜誌《物理評論》(Physical Review B)的快報版(Rapid communication)上公開。(特約撰稿人:工藤宗介)

Source:技術在線

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隨著2017年固態硬碟(SSD)佔NAND Flash應用比重將挑戰40%,全球儲存領域異業整合風潮將邁向另一個高峰,繼硬碟龍頭廠西部數據(Western Digital;WD)購併NAND Flash存儲器大廠閃迪(SanDisk),近期傳出SK海力士(SK Hynix)將與希捷(Seagate)策略聯盟成立合資公司,專攻企業雲端SSD市場,成為握有HDD和SSD兩大儲存產品的新陣營,挑戰既有霸主三星電子(Samsung Electronics)及英特爾(Intel),未來雲端SSD可望是NAND Flash版圖爭霸的主戰場。
 

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