目前分類:記憶體/儲存技術/RRAM/Xpoint/MRAM/FRAM (764)

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中國內存儲行業的領跑者深圳市江波龍電子有限公司(Longsys)率先發布目前世界上最小尺寸的NVMe PCIe SSD(11.5mm*13mm),主要是面向嵌入式存儲應用,包括二合一電腦,超薄筆記本,VR虛擬現實,智能汽車等。新推出的FORESEE® PCIe BGA SSD,以P900命名。

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高速傳輸架構當道,工業用儲存記憶體規格2017年將大舉轉向3D NAND方案,同時也將導入高速PCIe介面,此外,因應儲存容量與傳輸速率不斷提升的需求,記憶卡與嵌入式儲存介面也分別升級至SD 6.0與UFS 2.1規格,以支援4K畫質影音或VR等新興應用。

隨著3D NAND快閃(Flash)記憶體技術日益成熟,以及相關供應商大力推廣下,工業用儲存所採用的記憶體規格今年將大舉轉向3D NAND方案,同時也將導入傳輸效能更好的PCIe介面,以進一步提高儲存容量密度與產品性價比。除此之外,因應儲存容量與傳輸速率不斷提升的需求,無論是記憶卡與嵌入式儲存分別更新至SD 6.0與UFS 2.1規格,以支援4K高畫質影音或VR等新興應用。 

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MRAM是新興的存儲器,為晶圓製造代工業競爭主軸之一。先講結論,MRAM的最近發展令人興奮。它雖然是新興的存儲器,卻成為傳統上以邏輯線路為主的晶圓製造代工業競爭主軸之一。

MRAM研發的挑戰一直都是良率和微縮。良率的提升除了晶圓廠各自在製程上的努力之外,機器設備廠商也出力甚多,這是幾家大機器設備廠商先後投入這即將興起設備市場良性競爭的結果。 MRAM相關製程主要有磁性材料的蝕刻(etcher)與濺鍍(sputter)兩種設備,最近新機型的濺鍍設備表現令人驚艷,這將有助於晶圓廠MRAM製造良率的提升。

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可變電阻式隨機存取記憶體(ReRAM)是一種可望取代其他各種儲存類型的「通用」記憶體,不僅提供了隨機存取記憶體(RAM)的速度,又兼具快閃記憶體(flash)的密度與非揮發性。然而,目前,flash由於搶先進入3D時代而較ReRAM更勝一籌。

如今,莫斯科物理技術學院(Moscow Institute of Physics and Technology;MIPT)的研究人員已成功為ReRAM開發出新的製程,可望為其實現適於3D堆疊的薄膜技術。

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西數又點出了新的科技樹——全球首發了96層堆棧的3D NAND快閃記憶體,使用了新一代BiCS 4技術,預計下半年開始出樣。值得注意的是,西數的BiCS4快閃記憶體不僅會有TLC類型的,還將支持尚未公開上市的QLC類型。

西數全球首發了96層堆棧的BiCS4 3D快閃記憶體

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東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)--記憶體解決方案全球領導者東芝記憶體公司今日宣布開發出世界首款[1]採用堆疊式結構的BiCS FLASH™三維(3D)快閃記憶體[2]。最新的BiCS FLASH™設備是首款採用4位元(四階儲存單元,QLC)技術的快閃記憶體設備,該技術使快閃記憶體設備的儲存容量較3位元(TLC)設備進一步提高並推動了快閃記憶體技術創新。

多位元記憶體透過管理每個獨立儲存單元中的電子數目來儲存資料。實現QLC技術帶來一系列技術挑戰,在相同電子數目下位元數目每增加一個,需要兩倍於TLC技術的精度。東芝記憶體公司利用其先進的電路設計能力和產業領先的64層3D快閃記憶體製程技術,創造出QLC 3D快閃記憶體。

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Globalfoundries的MTJ堆疊和整合已在攝氏400度、60分鐘MTJ圖案化熱預算時最佳化,並相容於CMOS BEOL製程

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16nm 128Gb TLC平面NAND以及32層TLC 384Gb 3D NAND的比較 (來源:Objective Analysis)

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表1 SATA與PCIe的版本、規格比較

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This image shows resistive random access memory made of graphene electrodes and hexagonal boron nitride dielectric. Credit: American Institute of Physics 2017.

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SK Hynix and Micron announced their plans to develop and mass produce 10-nanometer DRAMs to catch up with Samsung Electronics. One nanometer (nm) is one-billionth of a meter.

According to foreign media, including Nikkei Asian Review, on May 29, Micron, the world’s third largest DRAM producer in terms of market share, plans to invest US$2 billion (2.24 trillion won) over the next two to three years to develop and research a 13nm DRAM process technology. To this end, the U.S. semiconductor manufacturer has already added clean-room facilities to the Hiroshima plant in Japan and purchased several pieces of cutting-edge chipmaking equipment. The industry expects that productivity will improve by more than 20 percent when the company completes the development of 13nm process, compared to the 18nm DRAM which started mass producing in the first quarter this year.

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集邦科技(DRAMeXchange)指出,NAND Flash今年第1季市況延續去年第4季持續受到缺貨影響,即使第1季度為傳統NAND Flash淡季,通路顆粒合約價卻仍上揚約20~25%。在智慧型終端裝置如智慧型手機與平板電腦內的行動式儲存記憶體價格也呈現雙漲的狀況下,2017年將是NAND Flash成果豐碩的一年。

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3D XPoint技術是Intel,美光聯合研發的新型非易失性存儲架構,Intel方面將其命名為Optane傲騰,已經先後發布了企業級固態硬盤,消費級緩存盤兩種樣式,明年還會有DIMM內存條,可以說它將模糊傳統存儲,內存的界限,稱之為黑科技毫不為過。一直以來,英特爾對3D XPoint的內部架構設計和規格諱莫如深,但現在產品有了,就好辦了。

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隨著伺服器與雲端運算的快速成長,Google、臉書、亞馬遜、微軟等美系業者對企業級固態硬碟需求快速增加,加上來自百度、騰訊、阿里巴巴等中國資料中心業者維持強勁需求的帶動,TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)指出,第一季企業級固態硬碟不受傳統淡季的影響,出貨量達6百萬台,較2016年第四季逆勢成長3-4%,佔全球SSD市場出貨量比重也超過10%。

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TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新研究顯示,為優化智慧型手機的作業系統流暢度,廠商不斷升級行動式記憶體版本。在三星、SK海力士及美光集團三大原廠的奈米製程轉進及智慧型手機主流AP(應用處理器)的搭載需求下,LPDDR4X的產出比重持續增加,出貨數量在第二季開始將超越LPDDR4,且由於LPDDR4及LPDDR4X已呈同價趨勢,兩者和LPDDR3的價差都小於5%,也加速LPDDR4系列(含LPDDR4X)的導入速度,預估全年度LPDDR4系列將達到5成以上的市占率,正式取代LPDDR3成為2017年行動式記憶體的搭載主流。

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20170504_E-brain_NT01P1

由突觸連接的前神經元和後神經元;神經突觸的傳遞由神經元突波的因果關係(Δt)進行調節 (來源:University of Arkansas)

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