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研調機構集邦科技昨表示，短期DRAM合約價上漲機會受限，礙於今年大陸十一拉貨潮動能可能不強，下季DRAM價格跌幅可能達一成，明年若總體經濟不佳，恐再度有供過於求疑慮。外界認為，市場不確定性增加，將為南亞、華亞科等業者後續營運添加變量。

集邦認為，目前DRAM現貨顆粒價格比合約價高出約15%，由於價差太大，現貨價可能向下修正。

量產NAND flash和DRAM發展藍圖。
（來源：IC Insights）

全球市場研究機構 TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 最新調查顯示，由於智慧型手機、平板電腦等行動裝置需求穩健成長，固態硬碟(SSD)在筆記型電腦以及伺服器與資料中心的需求增加，而物聯網應用也將逐漸導入 NAND Flash ，預估 2015年 NAND Flash 整體產業規模將提升至266億美元，年成長9%。
DRAMeXchange 研究協理楊文得表示，估計 2014年 NAND Flash 需求位元成長率為36%，在更多元化的產品開始導入NAND Flash的挹注下，2015年的需求位元成長率將依舊有35%。市場趨勢觀察的重點為：

JEDEC固態技術協會(Solid State Technology Association)日前公布新一代行動記憶體規格 JESD209-4 LPDDR4，號稱其速度是前一代LPDDR3的兩倍。

根據該協會發布的新聞稿， LPDDR4 由 LPDDR3 的單通道架構升級為雙通道、每通道16位元，總位元寬度達到32位元； LPDDR4 的I/O資料傳輸速率為3200 MT/s，總運作速率為4266 MT/s ，是LPDDR3運作速率2133 MT/s的兩倍。

引線鍵合和3D TSV封裝技術比較

2014年上半表現良好的存儲器半導體市場，下半年恐烏云密布。7月以來大陸智能型手機市場需求縮水，又接連傳來領導企業的設備投資消息，讓供給過剩的憂慮日漸升高，而專家之間對市場展望的正反面意見紛歧。

根據美國麻省理工學院媒體實驗室(MIT Media Labs)博士候選人Yves-Alexandre de Montjoye表示，現在該是致力於讓智慧型手機減少資料外洩以及要求一點個人隱私的時候了。

蘋果(Apple)自iPhone 5開始零組件供應鏈進行大換血，業界解讀為「去三星化」，但近期卻傳出9月問世的新款iPhone，蘋果再度採用三星電子(Samsung Electronics)Mobile RAM芯片，成為爾必達(Elpida)及SK海力士(SK Hynix)之外的第三供應商，顯示存儲器市場寡占情況，連蘋果都必須與三星維繫合作關係，以創造最大利潤。不過，相關業者並未證實該項消息。

南韓媒體中央日報日文版報導，根據市場研究機構TrendForce旗下內存儲存事業處DRAMeXchange於22日公佈的報告書顯示，2014年第2季(4-6月)三星電子(Samsung Electronics)NAND型快閃記憶體(Flash Memory)銷售額較第1季(1-3月)成長8.2%至23.53億美元，銷售市佔率自第一季的30.0%上揚至30.8%、穩居龍頭位置。

另外，第2季東芝(Toshiba)NAND Flash銷售額僅較第1季成長1.2%，銷售市佔率則自第1季的21.4%下滑至20.5%，與三星之間的差距自第一季的8.6個百分點擴大至10.3個百分點，且也僅以0.8個百分點的差距領先美國SanDisk；第2季SanDisk銷售市佔率為19.7%、位居第3位，其次分別為美光科技(Micron Technology)的12.9%和SK Hynix的9.5%。

鐵電隨機存取記憶體(FRAM)具有比傳統記憶體更快的寫入速度、更低功耗及更佳的保密性，特別適合用於須長時間採集病患生理參數的醫療設備，以及頻繁記錄用戶耗電情形的智慧電錶，提供更省電且安全可靠的應用品質。

鐵電隨機存取記憶體(FRAM)是一種使用鐵電材料來保存資料的非揮發性記憶體。這種記憶體融合了隨機存取記憶體(RAM)和唯讀存儲記憶體(ROM)的雙重優點，能夠隨寫隨讀，在停止供應電力的狀況下，其內部儲存的資料也能夠永久保存。

近期DRAM及NAND Flash市場同步拉警報，不僅DRAM現貨價陸續出現回檔，預計9月合約價將劇烈震盪，NAND Flash市場更是暗潮洶湧，面對蘋果(Apple)iPhone新機備貨期，然NAND Flash價格卻漲不上去，業者擔心供需問題恐較預期嚴重，加上被寄予厚望的固態硬碟(SSD)價格疲軟，全球存儲器市場再度烏雲籠罩。

液態資料的顯微影像──Sharon Glotzer與David Pine Glotzer希望將這種液態資料轉變成液態硬碟。

南韓第二大記憶體廠SK海力士(SK Hynix)宣布組織重整，未來將區分為DRAM、NAND Flash(快閃記憶體)與影像感測器(CMOS Image Sensor，簡稱CIS)等三大事業群，藉以加速決策、強化各事業群戰力，特別是NAND Flash業務。海力士最近也將研發體系重新洗牌，原有的產品發展部打散分割成DRAM與NAND研發總部，並與原有的未來科技研究所鼎足而立。從NAND與DRAM研發分家可知海力士對NAND的重視程度南韓媒體《ETNews》報導，海力士在DRAM市場站穩腳步後，目前營運焦點已轉移至NAND，並將之視為未來激發成長動能的主要來源。海力士第二季合併營收達3.9兆韓圜，營業利潤連續兩季突破1兆大關至1.1兆韓圜。NAND第二季佔海力士營收比重還不到兩成，還有很大成長空間。市調機構IHS資料顯示，第一季海力士NAND銷售額5.92億美元、全球市佔率10.4%排名第四。

資料來源:精實新聞

記憶體市場經過之前兩次血流成河的殺價競爭已轉為較穩定的賣方市場，不過隨著三星在智能型手機市場上失利，加上記憶體市佔率下滑，業界人士不排除，三星為自獲利危機中脫身，可能在半導體市場上發動第叁次割喉式殺價戰。

目前記憶體芯片呈現寡占的格局，由三星、SK海力士、美光分庭抗禮。韓國商業網站BusinessKorea報導，三星去年佔全球記憶體產業的毛利率份額下滑至55.1%，較2012年的98.2%大幅衰退了38.1%，這意味著其它競爭者已逐漸趕上三星的腳步。

由於上季開始DRAM沒有新增產能與2Xnm製程轉進不易，加上服務器、智能型手機等中短需求邁入旺季，DRAM價格一路攀升，其中現貨主流顆粒DDR3 1600MHz 4Gb價格最高曾在7月18日飆上4.6美元。根據全球市場研究機構TrendForce旗下存儲器儲存事業處DRAMeXchange報價顯示，近期現貨價格明顯呈現漲多格局，以7月下旬合約價格為例，DDR3 4Gb均價為3.69美元，而7月31日的現貨均價為4.35美元，兩者出現18%的價差。

雖然現貨需求依然強勁，但市場不確定性的雜音陸續浮現，部分PC-OEM廠筆電出貨七月起開始衰退，中國智能型手機的需求也出現下滑，即使蘋果新款iPhone出貨在即，但單機搭載容量仍維持LPDDR3 1GB，對實質位元需求量貢獻有限，因此7月25日DDR3 1600MHz 4Gb價格開始反轉，一路緩跌至今，均價也從4.425美元來到8月15日的4.199美元，跌幅已達5.1%。

全球最大記憶體晶片業者三星電子，和規模較小的SK海力士（SK Hynix），在第2季共占有全球動態隨機存取記憶體（DRAM）市場的68%。2014年DRAM 市場預估將成長36%。

據市場研究業者DRAMexchange的數據，兩家南韓大廠第2季市占率合計比前季提高3個百分點，遙遙領先美國業者占有的25.7%，和台灣業者的6.3%。

2014年第二季DRAM廠商營收排名

全球市場研究機構TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新報價顯示，第三季合約價格多數於七月下旬議定完成，4GB均價來到32美元，月成長4.92%，其中高價更來到33美元，漲幅達6.45%。DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，時序進入傳統旺季，蘋果新款手機出貨在即，原先略顯吃緊DRAM產能還需要保留行動式記憶體的生產，導致第三季價格仍維持上漲格局。 

吳雅婷表示，Windows XP停止更新帶動企業換機需求，PC-OEM廠在五、六月都維持高標的筆記型電腦出貨量，然而PC-OEM廠本身DRAM庫存水位普遍處於低檔，必須用較高的價格取得穩定的供貨，讓標準型記憶體價格持續上漲，也帶動伺服器用、繪圖用及利基型記憶體價格在近期皆出現小幅上漲的現象。