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NRAM存儲的優勢

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美國記憶體技術開發商Nantero最近宣佈進行新一輪融資,並準備「浮出水面」──因為該公司認為其獨家的非揮發性隨機存取記憶體(non-volatile random access memory,NRAM;或稱Nano-RAM),已經準備好取代企業應用或消費性應用市場上的儲存級記憶體。

Nantero已經向新、舊投資人募得3,150萬美元資金,可用以加速NRAM的研發;該公司執行長Greg Schmergel在接受EE Times 美國版編輯電話訪問時表示,NRAM是以碳奈米管為基礎,也就是碳原子組成的圓柱體。那些直徑僅1~2奈米的奈米管比鋼更強韌,而且導電特性比其他已知的晶片製造材料更好。 

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隨著行動裝置、穿戴式裝置(Wearable)及物聯網(IoT)崛起,各種裝置越做越小,然對儲存空間及記憶體的規格需求卻越來越高。專門從事奈米碳管(Carbon Nanotube)技術研究開發的Nantero日前宣布,對非揮發性記憶體NRAM的開發已告一段落,準備邁入下個階段。

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 【日經BP社報導】在可變電阻式記憶體(ReRAM)、相變記憶體(PRAM)、磁記憶體(MRAM)等眾多新一代記憶體的主角爭奪戰中,又有一個勢均力敵的對手參與進來。這就是美國Nantero公司開發的、使用碳奈米管(CNT)的非揮發性記憶體「NRAM」(圖1)注1)。NRAM不僅工作與DRAM一樣高速,而且在單位bit的成本方面也蘊藏著比DRAM出色的可能性。 
 

圖1:具備萬能記憶體特性
Nantero公司的非揮發性記憶體「NRAM」在擦寫速度及數據保存時間等多項性能指標上表現出色(a、b)。擦寫次數超過1012次(c)。(本圖由《日經電子》根據Nantero公司的資料製成)

 

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比利時微電子研究中心 IMEC 宣佈,將與 Nantero 公司合作開發臨界尺寸小於20nm的碳奈米管非揮發性記憶體。

IMEC 一直積極研究基於金屬氧化物的電阻式 RAM ,該組織希望能成功研發出碳奈米管(carbon nanotube, CNT)記憶體,以作為 DRAM 的替代產品。

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