真乄科技業的頂尖投資團隊

工研院(ITRI)宣佈，與合晶科技、廣鎵光電、台灣半導體、同欣電子、穩懋半導體等20家磊晶、元件設計、製造、封測、驗證及系統業者，共同組成了「寬能隙電力電子研發聯盟」，將攜手開發寬能隙的化合物半導體元件技術產品，為台灣建立上游自主的電力電子產業鏈，為電動車、智慧電網(Smart Grid)等綠能產業奠基。
隨著能源科技的日新月異，動力與電力需求愈來愈大，改善電能使用效率的電子電力技術已成為全球半導體矚目的新興科技！

傳統的矽晶半導體元件正面臨效率提升困境，高效率的寬能隙(Wide Bandgap)碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)化合物半導體元件正崛起成為發展主流。

在各種電力電子技術中，功率半導體元件扮演著非常關鍵的角色，其效能直接影響了整個系統的功率轉換效率。目前大多使用傳統矽(Si)為材料製作電力電子元件，為窄能隙的電力電子元件，往往無法達到高效率使用。碳化矽具有寬能隙特點，可耐高壓、承受大電流，同時也具有高導熱特性，散熱快，可大幅減少散熱裝置，元件體積小；高融點，能承受400℃以上高溫，適合應用在高溫操作的功率元件領域，是目前新興的高效率電力電子技術。
工研院詹益仁所長表示，電力電子技術具有整合特質，產品應用範圍廣泛，更與日常生活息息相關，如電動車輛、磁浮車、再生能源系統、智慧電網等分散式能源系統，及智慧家電如變頻空調、洗衣機等之應用，具有廣大的市場發展機會。目前市面上產品多採用矽材料製作電力電子元件，但碳化矽具有高電壓、高電流、體積小等特點，被視為是電力電子技術元件的明日之星，非常適合高功率的應用。近年來隨著應用產品多樣，價格降低等因素影響，需求也隨之大幅增加，依據工研院IEK預測，2019年碳化矽材料的電力電子元件將達到18.3億元美元市場規模，呈現陡直快速成長曲線，是一極具發展潛力的技術。

寬能隙電力電子研發聯盟目前已有合晶科技'、茂達電子、廣鎵光電、富鼎先進、茂矽、尼克森微電子、穩懋半導體、矽英科技、車王電子、嘉聯益、光磊科技、漢民科技、璟茂科技、台灣半導體、台灣威科、同欣電子、晶電、中科院、台灣大學、世界先進等20家廠商率先加入，目前仍積極邀請磊晶、元件設計、製造、封測、模組驗證及系統應用產業共同投入，以推動碳化矽材料的電力電子技術應用為主，開啟碳化矽技術的上中下相關產業合作關係，共同開創台灣在電力電子產業新紀元。
寬能隙電力電子研發聯盟初期將由工研院主導，建置碳化矽實驗室，與會員廠商針對特定技術，進行碳化矽技術的高功率基板材料、磊晶、元件製程、模組與驗證等技術開發。預計3年後達到應用模組階段，投入電動車、太陽光電、分散式能源與變頻空調等功率元件產品應用開發，期望透過聯盟運作，帶動電力電子產業資源整合，建立自主關鍵技術，建構完整產業鏈，提升台灣電力電子產業國際競爭力。
工研院指出，目前市面上產品的電力電子多採用氮化鎵之類的矽材料製作，工研院因長期投注LED技術研發，具有深厚的矽基氮化鎵技術(GaN on Si)磊晶技術基礎，在成立寬能隙電力電子研發聯盟同時，也將同步透過政府業界科技專案輔助，利用現階段產業廣泛使用的矽晶片製程設備，邀集廠商投入相關氮化鎵技術開發，建立台灣矽基氮化鎵之自主技術，率先搶佔在電動車輛、LED及太陽能市場上。