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儘管目前全球存儲器四強競局維持平衡狀態，然近期各廠投資動作頻頻，包括三星電子（Samsung Electronics）、美光（Micron）與東芝（Toshiba）為量產3D NAND Flash，紛投資建廠或以既有生產線進行轉換，SK海力士（SK Hynix）亦可能利用M10廠生產3D NAND Flash，業界預期未來3~4年內存儲器產業既有平衡競局恐將被打破。

半導體業者表示，3D NAND技術是未來存儲器產品主流，然技術層次及難度十分高，目前在製程良率上仍面臨許多挑戰，預計2016年真正順利量產的存儲器大廠只有三星，其他業者仍在全力追趕中，全球3D NAND賽局甫揭開序幕。

值得注意的是，3D NAND技術帶來突破性的成本降低，將攸關固態硬碟（SSD）市場發展，未來雲端伺服器及企業SSD應用，亟需成本降低的存儲器解決方案來驅動市場快速成長，目前看來3D NAND技術能做到大量取代傳統硬碟，讓SSD市場滲透率飛躍前進。

現階段全球存儲器產業維持四強寡占的平衡競局，但各廠檯面下投資動作暗潮洶湧，三星與SK海力士在2015年初宣布大規模的長期設備投資計劃，美光與東芝亦致力發展NAND Flash新技術，建廠計劃如火如荼進行中，業界預期存儲器產業平衡狀態可能在未來3~4年內被打破。

根據韓媒D-Daily報導，SK海力士最近宣布未來10年內將投資46兆韓元（約396億美元），興建包含利川M14在內的3個新廠，若加計維護及建物設備投資，總投資額高達75兆韓元（約645億美元）。

目前SK海力士擁有的12吋生產線有利川M10、忠北清州M11、M12及大陸無錫HC2，其中，利川與無錫廠生產DRAM，清州廠生產NAND Flash，原本M10廠負責的DRAM會移轉到M14新廠生產，M10廠20納米級DRAM產能為13萬片12吋晶圓，M14新廠產能為20萬片，未來將可視需求快速擴產，至於M10廠未來可能用來生產系統芯片、NAND Flash或做為研發設施。

三星正在京畿道平澤建設新廠，預定2017年上半啟用，第一期投資額15.6兆韓元（約134億美元），估計12吋晶圓產量可達20萬片，但生產項目仍未定；原本打算做為系統LSI廠的華城17產線，先改為生產DRAM；至於三星大陸西安NAND Flash廠首期生產規模為每月10萬片​​12吋晶圓。

美光在購併爾必達（Elpida）之後，將新加坡DRAM廠轉為生產NAND Flash，且致力發展3D NAND Flash，新加坡10X廠第1季開始進行量產3D NAND Flash的設備轉換，預定2016年中投入量產。至於美光與英特爾（Intel）合資公司IM Flash，則陸續購併美國與新加坡NAND Flash工廠投入營運。

另外，日廠東芝與美國SanDisk合資的3家大型NAND Flash製造廠亦陸續啟動，其中，屬於超大型工廠的晶圓五廠已完成第二階段投資開始啟動，改建為尖端生產線的晶圓二廠最近在進行測試，預估2016年完工後將擴大供應量。