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被視為下一代非揮發性記憶體的「可變電阻式記憶體」(Resistive Random Access Memory、ReRAM)發展出現突破，韓國研究人員利用單層石墨烯(graphene)電極，研發出電阻轉換測量科技，或許有望解決ReRAM量產的最大障礙。

南韓媒體ETNews報導，仁荷大學(Inha University)材料科學工程系教授Jeon Hyeong-tak和Seoh Hyeong-tak 25日宣布開發出新科技，用和碳原子相同厚度的單層石墨烯，取代上層電阻，石墨烯極為輕薄，使得測量電極的信號變化成為可能。

ReRAM靠著絕緣體的電阻變化，區別0和1，外界認為或許能取代NAND型快閃記憶體(NAND Flash)，但是ReRAM商業化的最大障礙在於運作原理不明，難以測量。新科技或許有望突破此一限制，但是仍需更多研究才能擴大運用。

Market Realist 4月28日報導，美光科技(Micron Technology)和Sony在國際固態電路研討會(International Solid-State Circuits Conference)上表示，正透過27奈米製程，開發16-Gbit的ReRAM；Sony預定2015年量產ReRAM晶片。專家表示，三星(Samsung)應該也在研發包括ReRAM的次世代儲存科技。另外，SK Hynix、Crossbar、Panasonic、HP也在開發替代的非揮發性記憶體，如ReRAM、相變化記憶體(Phase Change Memory、PCM)、磁電阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory、MRAM)。

日經新聞1月1日報導，東芝(Toshiba)將攜手南韓SK Hynix於2016年度量產可大幅提高智慧手機效能的次世代記憶體「磁電阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory；MRAM)」，量產時間將比美國美光科技(Micron Technology Inc.)所計畫的2018年提前了約2年時間。

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