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三星電子(Samsung Electronics Co.)9日宣布，中國西安記憶體晶片製造廠正式啟用、旗下先進NAND型快閃記憶體「3D V-NAND(見圖)」將在該廠投產。三星並且表示，西安封裝測試廠預計在今年底以前也將會完工。3D V-NAND將應用於固態硬碟(SSD)等消費、企業應用產品。

三星自2012年9月為西安廠(廠房面積達23萬平方公尺)舉行動土儀式以來、僅僅花20個月時間就完成興建工作。三星電子執行長暨裝置解決方案部門(包括記憶體、系統LSI、LED)負責人權五鉉(Oh-Hyun Kwon)9日主持西安廠啟用儀式。

美國三星記憶體部門行銷副總Jim Elliott去年10月透過官網部落格發表專文指出，根據IHS iSuppli的預估，2017年3D NAND技術將佔整體快閃記憶體出貨量的65.7%。

IHS並且預估，全球NAND flash記憶體市場規模將自2013年的236億美元擴增至2016年底的308億美元、平均複合年增率達11%。三星電子2014年第1季資本支出金額達5.4兆韓圜，記憶體晶片事業體就佔了3.3兆韓圜。

三星在花費將近10年時間研發3D V-NAND技術後、已於全球各地提出逾300項3D記憶體技術專利申請。