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日本科學家發現可提升固態硬碟(SSD)讀寫速度3倍的新技術，由於各界預期NAND Flash在未來幾年內效能提升將有限，因此這項新技術格外引人注目。

據Extremetech網站報導，日本中央大學(Chuo University)科學家在2014年IEEE國際存儲器研討會上正式發表這項研究成果，也替固態硬碟注入一股新活力。

目前在NAND寫入資料時，數據不能以覆蓋方式寫入，文件只能寫到SSD的空白區域中，在NAND執行寫入時不僅會消耗電力，而且寫入資料時，會在每個頁面( page)上執行(每頁約2~4KB)。

每次執行抹除(erasure)動作時，須動用到整個區塊(block)，且因為資料可能被儲存在同一區塊(每區塊約128~512KB) 的不同頁面或不同區塊上，當執行刪除資料時，就會產生廢棄項目收集(garbage collection)動作。

日本科學家發現的新技術，則是將數據寫入預計被廢棄項目收集的區塊當中，讓廢棄項目收集的周期加快。

其原理大致就像清理某大樓樓層的垃圾，與其要逐一從分散在各個角落小垃圾桶去收集垃圾，倒不如將垃圾集中在一個大型垃圾桶中，等於在垃圾量並未增加條件上，收集垃圾的速度及效率卻獲得提升。

科學家認為，該方法可讓執行廢棄項目收集次數減少，代表寫入區塊的次數也降低，因此可提升硬碟壽命，預估可提升讀寫速度高達300%，從工作量(workload)來看，其速度較傳統廢棄項目收集快了10~20%。

目前NAND Flash效能近期內要獲得提升已出現瓶頸，讓廠商開始轉移注意力到更微細的製程上。換言之，控制技術(controller technology)、新匯流排界面以及類似目前這種提升管理架構效率的方法，或者由三星電子(Samsung Electronics)推出的搭載TLC芯片的840 EVO SSD，會成為下一波性能改良的重點領域。

IBM也正積極尋找替代NAND Flash的存儲器技術，種種消息讓NAND Flash目前似乎只能在原地踏步，而日本科學家推出的上述方法仍屬於理論性質，短期內要應用在產品上的機率雖然不高，但其後續發展仍引人關注。

來源： DIGITIMES