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固態硬碟(SSD)成為半導體市場的新成長動能，三星電子(Samsung Electronics)為加強SSD市場主導權，將採取雙軌策略。個人電腦(PC)等消費性產品將提升價格競爭力，同時具高附加價值的企業及伺服器用SSD則將以技術競爭力領導市場。

全球NAND Flash(儲存型快閃記憶體)供給成長持續大於需求，預估NAND Flash今年底報價將較去年跌掉三成，且跌勢恐將一直延續至2018年。

市調機構IHS iSuppli最新報告預測，NAND Flash今年底報價將跌至0.49美元每GB，遠低於去年的0.71美元，預估2018年將進一步跌至0.14美元，其間年復合成長率為負的28 %。

在NAND Flash晶片市場各據一方的東芝與三星電子，為了在新一代3D記憶體晶片市場搶得先機，近日正加緊研發腳步，盼能搶先對手一步突破48層技術門檻並開始量產。

NAND Flash晶片是目前普遍應用於智慧型手機與PC的記憶體晶片，由三星主導全球市場，其次是市佔率第2的東芝。

第三季行動記憶體價格

三星電子(Samsung Electronics)第2季(4-6月)財報令人失望，不但智慧型手機出貨量因歐洲需求疲軟、中國大陸價格競爭加劇而下滑，平板電腦總體需求也同步走低。高盛認為，這項消息對美國記憶體大廠美光(Micron Technology Inc.)恐怕相當不利。
barron`s.com引述StreetInsider.com報導，高盛分析師Mark Delaney發表研究報告指出，三星已連續第2季上修DRAM位元供應量成長預估值，目前併計劃在2015年為「Line 17」生產線安裝DRAM設備。三星今(2014)年第2季的DRAM位元出貨量季增約20%，高於該公司原先預估的約15%季增率。
展望本季(Q3)，三星預估業界的DRAM位元出貨量將季增6-9%，而三星自身的成長率更將高於整體產業的平均值。更重要的是，三星還調高了今(2014)年DRAM產業的位元供應量預估值，由原先的26-29%年增率上修至30-34%，而三星對自身今年的位元出貨量成長率預估值也從原先的36-39%上修至46-49%。三星一開始預估的DRAM產業的位元出貨量成長率僅約25%，這是該公司連續第二季上修DRAM供 ​​應展望。另外，三星也開始對Line 17投入資金、準備生產DRAM，雖然新的產能將依據市況變化作調整，但該公司目前仍預估Line 17到了明年年中就能開始生產DRAM。依據上述理由，高盛認為今年供應量增加、加上明年新產能上線，對美光將愈來愈不利。

日經新聞報導，3D記憶體晶片將是全球半導體市場的新戰場。在開發新一代3D記憶體晶片與推進商品化上，全球前二大NAND快閃記憶體廠－日本東芝與南韓三星電子，彼此之間正展開一場激烈的生死鬥。

據報導，東芝計畫在2019財年生產容量高達1TB（terabyte）的NAND快閃記憶體晶片，是目前NAND晶片容量的16倍之大。

固態硬碟(SSD)作為次世代電腦儲存裝置備受矚目，近來固態硬碟成熱門產品，三星電子(Samsung Electronics)及半導體業者均陸續調降SSD價格。企業大部分推出新產品時，會調降已上市產品價格，以提升價格競爭力。南韓半導體業界認為，NAND Flash市場未來也將以受矚目的SSD為中心，由各主要業者主導帶動削價競爭。

來源： DIGITIMES

利用了GST化合物的光學調變器架構

  Source:SanDisk

3D NAND Flash Development Expected to Heat Up in 2H 2015: TrendForce

2014年下半年需求持續增溫，智慧型手機成長強勁，帶動整體記憶儲存產業向上成長。全球市場研究機構TrendForce旗下記憶儲存研究部門DRAMeXchange表示，標準型記憶體產能吃緊，短期緩解不易，下半年將維持漲勢，帶動伺服器、行動式記憶體同步走揚，DRAM廠商獲利將再創新高；至於NAND Flash市場則因OEM與模組客戶訂單需求轉強，可望從上半年明顯供過於求轉為下半年供需平衡，呈現價格穩健上漲的格局。 

DRAM產能吃緊，帶動價格將持續上揚 

2014年下半年需求持續增溫，智慧型手機成長強勁，帶動整體記憶儲存產業向上成長。全球市場研究機構TrendForce旗下記憶儲存研究部門DRAMeXchange表示，標準型記憶體產能吃緊，短期緩解不易，下半年將維持漲勢，帶動伺服器、行動式記憶體同步走揚，DRAM廠商獲利將再創新高；至於NAND Flash市場則因OEM與模組客戶訂單需求轉強，可望從上半年明顯供過於求轉為下半年供需平衡，呈現價格穩健上漲的格局。 

DRAM產能吃緊，帶動價格將持續上揚 

繼 NeoBit 矽智財(SIP)展現強大量產動能，力旺電子(eMemory Technology)宣佈 NeoFuse SIP已跨越量產門檻，量產規模持續累積中。目前， NeoFuse 技術已建置在全球超過20項製程平台上，並順利協助力旺客戶的影像感測晶片(CIS)及顯示器驅動晶片(DDI)應用產品進入規模量產階段，逐步提高對營收的貢獻。
NeoFuse SIP 可廣為使用在智慧型手機、行動裝置、穿戴式裝置以及物聯網、智慧家庭、醫療電子等熱門應用領域，並強化力旺電子在 CIS 、藍牙晶片、STB晶片與無線通訊晶片等領域的滲透與佈局，擴張力旺電子產品線量產效益。

可穿戴式裝置在當紅的物聯網(IoT)領域是最大的一個產品類別，這類裝置有很大一部分是用以監測人體健康情況與生理活動；而雖然其中有不少應用是鎖定希望追蹤健身進度以及其他自我量化數據的消費者，也有特別針對更集中在某種數據、也更複雜的醫療應用。
包括NOR與SPI等類別的快閃記憶體目前有應用在可攜式醫療裝置，例如心律監測器、血液分析儀、數位溫度計以及可攜式心臟電擊器(defibrillator)等；一個很大的考量重點是在於記憶體的外型與功耗──你如何在一個小型裝置中提供足夠的運算性能，同時又延長電池壽命？而安全性也是醫療應用的重要考量，特別是那些接近甚至被植入人體的智慧型裝置。

富士通半導體(Fujitsu Semiconductor)宣佈攜手康淇科技(Comtek Technology)推出富士通鐵電記憶體(FRAM)免費樣品申請活動，期望讓更多的使用者了解並體驗鐵電記憶體系列產品，以及其在智慧生活的相關應用。

隨著物聯網(IoT)產業的發展與商機崛起，以感測網路為基礎的智慧與自動化相關應用，已成為各主導企業搶攻的大餅。近年來，富士通半導體 FRAM 系列產品在工業自動化設備、智慧電錶、監控、智慧家庭醫療與 RFID 等領域的解決方案與應用中受到業界矚目。 FRAM 是一種使用鐵電材料來保存資料的非揮發性記憶體。這種記憶體融合了 RAM 和 ROM 的雙重優點，能夠隨寫隨讀，在停止供應電力的狀況下，其內部儲存的資料也能夠永久保存。