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JEDEC固態技術協會(Solid State Technology Association)日前公布新一代行動記憶體規格 JESD209-4 LPDDR4，號稱其速度是前一代LPDDR3的兩倍。

根據該協會發布的新聞稿， LPDDR4 由 LPDDR3 的單通道架構升級為雙通道、每通道16位元，總位元寬度達到32位元； LPDDR4 的I/O資料傳輸速率為3200 MT/s，總運作速率為4266 MT/s ，是LPDDR3運作速率2133 MT/s的兩倍。

而因為採用雙通道架構，降低了記憶體陣列到I/O接合墊(bond pads)之間資料訊號傳遞距離，因此新規格也能達到更低的功耗。

JEDEC理事會主席Mian Quddus 在新聞稿中表示，LPDDR4規格在性能上有大幅的提升：「是為了迎合全球最先進行動系統對功耗、頻寬、封裝、成本以及相容性方面的需求。」

新規格重點如下：

˙雙通道架構；

˙提供CA與DQ的內部參考電壓(Internal Vref)；

˙資料匯流反轉(Data Bus Inversion，DBI-DC)；

˙CA與DQ內部終端電阻(ODT)；

˙I/O吞吐量3200 MT/s、最大可達4266 MT/s；

˙信令電壓(Signaling voltage)：367mV~440mV；

˙運作電壓：1.1V；

˙預先擷取(Pre-fetch)容量：每通道32B；

˙拓樸：點對點、PoP、MCP；

˙最大I/O電容：1.3pF；

˙寫入均衡(Write leveling)；

˙6接腳(雙通道12接腳) SDR CA匯流排，具備調馴功能(CA training)；

˙與前幾代低功耗DRAM規格相同，LPDDR4不需要DLL與PLL。

其他詳細資訊請參考JDEC官網：http://www.jedec.org。

編譯：Judith Cheng

(參考原文： JEDEC Unveils Low-Power Memory Standard)

資料來源:電子工程專輯

資料來源:http://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1323659&