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量產NAND flash和DRAM發展藍圖。
（來源：IC Insights）

隨著 DRAM 和 NAND 技術持續邁向更先進幾何製程與多層次記憶體的道路，IC Insights密切觀察有關 DRAM 和 NAND 供應商的最新動態，期望能提供更清楚的 DRAM / NAND發展藍圖。

在2014年中期，製造 NAND 快閃記憶體元件的最先進製程技術採用的是20nm以及更小的特徵尺寸，而 DRAM 採用的製造技術還不到30nm。根據圖1所示的製程技術藍圖顯示，在2017年以前，最小特徵尺寸為2D (平面)的NAND flash將會過渡到10-12nm，而 DRAM 則將遷移至20nm或更小的 DRAM 。

不過，IC Insights坦承，這樣的發展態勢還無加以定論，因為製造製程節點的定義並不明確，尤其是在企業試圖在競爭中取得某種優勢時，就很容易受到行銷「遊戲數字」的影響。

為了製造 NAND Flash ，2014年時已經加速量產15nm和16nm NAND 晶片了。三星(Samsung)是第一家最先量產 3D NAND 晶片的公司。該公司在2014年5月宣佈開始量產採用32層記憶體單元的 V-NAND Flash 晶片。此外，在2013年，該公司已針對資料中心客戶出貨基於其第一代24層 V-NAND 技術的固態硬碟(SSD)。

從 2D 到3D NAND 記憶體全面轉型的時機，將視 3D 成為更具成本效益選項之際而定，但這樣的情況將會持續一段時間。甚至當達到成本的交叉點時， 2D 和 3D NAND 還可能共存好些年。

目前業界主要的 DRAM 製造商正以20nm級特徵尺寸(20-29nm之間)進行量產製造。

如同 NAND flash 一樣， DRAM 技術也正朝向以垂直方向整合電路的趨勢發展。 3D DRAM 解決方案的例子之一是由HMC聯盟開發的混合記憶體立方(HMC)。HMC聯盟是由美光(Micron)和三星，以及包括Altera、ARM、IBM、Open-Silicon、海力士(SK Hynix)和賽靈思(Xilinx)等開發商共同組成。

編譯：Susan Hong

(參考原文： NAND, DRAM 3D-Transition Roadmaps，by Peter Clarke)

（來源：IC Insights）

資料來源:電子工程專輯