南韓媒體中央日報日文版報導，根據市場研究機構TrendForce旗下內存儲存事業處DRAMeXchange於22日公佈的報告書顯示，2014年第2季(4-6月)三星電子(Samsung Electronics)NAND型快閃記憶體(Flash Memory)銷售額較第1季(1-3月)成長8.2%至23.53億美元，銷售市佔率自第一季的30.0%上揚至30.8%、穩居龍頭位置。
另外，第2季東芝(Toshiba)NAND Flash銷售額僅較第1季成長1.2%，銷售市佔率則自第1季的21.4%下滑至20.5%，與三星之間的差距自第一季的8.6個百分點擴大至10.3個百分點，且也僅以0.8個百分點的差距領先美國SanDisk；第2季SanDisk銷售市佔率為19.7%、位居第3位，其次分別為美光科技(Micron Technology)的12.9%和SK Hynix的9.5%。
據南韓聯合通訊社(Yonhap)報導，三星斥資70億美元在大陸西安設置的V-NAND Flash廠已在5月開始投產，而為了追趕三星，東芝(Toshiba)最近也宣布了60億美元V-NAND Flash的擴廠計劃。
韓國時報(Korea Times)8月6日引述某三星不具名決策主管訊息報導指出，三星集團今年投資總額上看50兆韓圜，其中三星電子佔八成來到40兆韓圜。
另一位三星官員進一步補充表示，三星電子今年75%的投資都將放在記憶體晶片事業上，因為三星相信，半導體事業可以適時補足智慧型手機市佔率下滑在獲利上所造成的缺口。
資料來源:精實新聞
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