松下在正於日本京都舉行的國際學會“2015 Symposium on VLSI Techology”上宣布，與比利時微電子研究中心（IMEC）共同開發出了存儲單元尺寸為28nm的可變電阻式存儲器（ReRAM）。松下表示，“即使存儲單元尺寸為20nm，性能也不會大幅降低”。並且，此次還以相關技術為基礎，製造了存儲單元尺寸為40nm的ReRAM和記錄容量為2Mbit的芯片。松下從2013年8月開始銷售180nm的ReRAM，此次的技術使其大幅微細化為原來的1/4～1/6。
新開發的40nm及28nm的ReRAM可實現10萬次擦寫，在85℃的環境下數據保持時間也可達到10年。
用途方面，180nm ReRAM用於火災報警器等較大型設備的數據存儲，而40nm ReRAM則瞄準可穿戴設備、智能卡及便攜終端等產品，28nm ReRAM的目標則是替代嵌入式閃存（eFlash）。
此次試制的40nm ReRAM利用的原理是，氧原子缺陷成串連接的“細絲”在存儲單元中產生，從而使電阻值改變。內存單元封裝在芯片中的M2與M3銅佈線層之間。材料方面，從佈線的高層一側起依次為Ir、Ta2O25、TaOx、TaN。
從180nm微細化至40nm及28nm時面臨兩個課題，一是蝕刻時氯等侵入存儲單元，產生帶電氧原子，對存儲單元造成損傷；二是細絲未必會在存儲單元的中心產生。
松下和IMEC為解決上述課題採取了以下手段：（1）利用溴氣（Br）來防止氯的侵入；（2）對存儲單元的側面實施比以前略厚的氧化，限定細絲的產生部位； （3）在存儲單元的側面採用較厚的Si3N4密封層，從而防止產生的氧原子再次侵入。 （記者：野澤 哲生） 72281,69695,67323
資料來源:技術在線
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