TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange指出，中國大陸於2014年10月宣布成立國家積體電路產業投資基金(中國簡稱為大基金)成立，進軍DRAM領域成為中國半導體計畫的第一步。在經過六大地方政府競逐DRAM 生產基地後，近日由大陸工信部電子信息司司長丁文武所主導的半導體小組，屬意武漢新芯成為中國DRAM產業發展計畫的首要重點區域，未來可能由上海中芯國際營運長趙海軍領軍、並以武漢新芯做為增資平台。
DRAMeXchange認為，除了大基金外，中芯國際、湖北省科技投資集團、湖北基金、華芯投資等都會投資，遠期計畫要募集到240億美元的規模，長期產能目標達每月30萬片，正式展開中國DRAM產業發展的計畫；未來武漢新芯將匯集DRAM、3D NAND與NOR三大技術成為未來中國重要的記憶體晶片產業基地。
DRAMeXchange指出，武漢新芯成立於2006年，是湖北省與武漢市的重大戰略投資項目，2008年12吋正式完工並開始投片，原為中芯國際旗下的一座工廠，後來2013年中芯國際退出營運，武漢新芯正式獨立成單一公司，由武漢市政府負責，經營團隊多在國際半導體公司都有歷練，具有相當的技術根基。
DRAMeXchange進一步指出，武漢新芯位處東湖開發區，佔地達531畝，目前有一座12吋晶圓廠運作中，現有工廠初期產品以NOR為主，2015年年初正式與Spansion合作，展開3D NAND的技術開發。從目前工廠規模來看，武漢新芯一廠投片已接近滿載水位，倘若再加上DRAM產能，勢必將再興建另一座12吋晶圓廠來滿足未來產能的需求。
DRAMeXchange預估，未來武漢新芯將匯集DRAM、3D NAND與NOR技術成為中國半導體產業的技術領頭羊，並且將成為至少擁有二座12吋晶圓廠的中國記憶體晶片基地。
Source:DRAMeXchange
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