記憶體大廠整軍經武，準備展開新一波大戰！據傳三星電子和SK 海力士(SK Hynix )將大買設備，積極投資3D NAND Flash；另外DRAM也將轉進新製程，拉高戰力。
韓媒etnews 6日報導，記憶體大廠爭相量產3D NAND Flash，新製程和傳統NAND Flash相比，差別在於從平面改為立體，能層層堆疊，提高效能。據了解，由2D轉進3D NAND Flash，顯影製程不變，但是金屬化和刻蝕步驟將分別增加50~60%、30~40%，需要採購不少新設備。據了解，三星最早量產3D NAND Flash，目前正在擴充西安3D NAND Flash廠產線，盼將堆疊層數從32層提高到48層。與此同時，SK海力士也增加投資，預定今年下半量產3D NAND Flash，將打造36層的3D NAND Flash產線。
DRAM方面，今年下半，三星擬把20 奈米DRAM製程比重提高到20%，SK海力士則要將25奈米DRAM製程比重提高至60%。為了轉進新製程，兩家公司都將大肆採購。
南韓媒體中央日報日文版甫於6月19日報導，因固態硬碟(SSD)需求提振3D架構的NAND型快閃記憶體(Flash Memory)需求呈現急速增長，故三星計畫把生產3D NAND的中國西安半導體工廠產量較現行擴增50%。報導指出，據熟知三星事務的關係人士透露，目前三星西安工廠晶圓月產量為4-5萬片，而三星計畫於今(2015)年底前將其產量提高5成(增加2萬片)至6-7萬片。
雖然美光與英特爾(Intel Corp.)已在3月發表最新3D NAND技術，還宣稱廠房已開始投產、預計今年底就會產能全開，但瑞士信貸分析師Keon Han與團隊發表研究報告指出，三星在3D NAND領域擁有獨特優勢，因為該公司可將3D NAND直接賣回給自己，而在客戶需求前景較為穩定下，三星能夠直接打造全新的3D NAND廠房，不需要像競爭對手那樣把舊有廠房升級來節省成本。瑞信認為，三星未來2年在3D NAND市場都不會面臨太多競爭。
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