DRAM和NAND Flash微縮製程逼近極限，業界認為次世代記憶體「磁電阻式隨機存取記憶體」(MRAM)、「可變電阻式記憶體」(ReRAM)可能即將現身，要以更快的存取速度橫掃市場。
韓媒BusinessKorea 16日報導，南韓半導體業者指出，16奈米將是DRAM微縮製程的最後極限，10奈米以下製程需要縮小電晶體體積，但是薄膜厚度卻無法縮減，也可能不適合採用高介電常數(High-K)材料和電極。MRAM和ReRAM因此備受期待，認為可以取代DRAM和NAND Flash，業者正全力研發。
兩種新記憶體都是非揮發性記憶體，切斷電源後資料也不會消失，速度比現行記憶體快上數十倍到數百倍之多，由於內部構造較為簡單，理論上未來微縮製程也有較大發展空間。其中MRAM採用磁阻效應(Magnetoresistance)技術，研發業者有SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)。ReRAM則靠著絕緣體的電阻變化，區別0和1，外界認為或許能取代NAND型快閃記憶體(NAND Flash)。
日經新聞2014年1月1日報導，東芝（Toshiba）將攜手南韓海力士（SK Hynix）預定2016年度量產大幅提高智慧型手機性能的次世代記憶體「磁電阻式隨機存取記憶體（Magnetoresistive Random Access Memory；MRAM）」，量產時間將比美國美光科技（Micron Technology）所計畫的 2018 年提前了約2年時間。
MRAM研發可分為三大陣營，除了上述的東芝/SK海力士之外，三星電子也正進行研發，而美光則和東京威力科創（Tokyo Electron）等20家以上日美半導體相關企業進行合作，希望於2016年度確立MRAM的量產技術、之後並計劃 2018年透過美光子公司爾必達（Elpida）的廣島工廠進行量產。
Market Realist去年4月28日報導，美光科技(Micron Technology)和Sony在國際固態電路研討會(International Solid-State Circuits Conference)上表示，正透過27奈米製程，開發16-Gbit的ReRAM；Sony預定2015年量產ReRAM晶片。
資料來源:Google
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