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富士通、恩益禧(NEC)、瑞薩電子(Renesas)等半導體相關公司所組成的LEAP(Low-power Electronics Association & Project)，成功研發出能控制住磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)的失真，進而將性能提高40%的技術。

估計在數年內可應用於IC上，屆時可望將IC的耗電量減到現在的10分之1。本技術將於16日發表在京都舉辦的國際半導體研討會(Symposium on VLSI Technology)。

目前IC上安裝的記憶體多為SRAM和DRAM，隨著記憶體容量需求的增加，光記憶體便會佔據電路板上整個IC面積一半以上空間，出現空間不夠以及耗電量增加的問題。如果改用MRAM，便可用3分之1耗電量，也就是0.4伏特以下的電量，達到一樣的效果。

這個技術主要為透過維拉里效應(Villari effect)，也就是應用對磁性材料施加壓力而改變其磁化強度的效應在MRAM上，達到抑制失真並將非揮發性的儲存力提高的效果。穩定下來的非揮發性保存能力，比起以往增加超過1,000倍，形態最佳化後更能發揮超過87%性能。維拉里效應可在不增加製作流程的情況下導入。