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意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）擴大採用第六代STripFET技術的高效功率電晶體産品系列，爲設計人員在提高各種應用的節能省電性能帶來更多選擇。

最新的STripFET VI DeepGATE 功率MOSFET可承受高達80V的電壓，可用於太陽能發電應用（如微型逆變器）、電信設備、網路設備以及伺服器電源。高額定電壓可准許電晶體在48V電信應用中穩定工作，高能效並可有效降低營運業者的網路成本。此外，這項技術不僅可降低消費性電子的電源能耗，更可使其在更低的溫度下工作，從而提高用戶的使用體驗，並延長電池壽命。

首批推出的5款産品分別為60V 的STP260N6F6和STH260N6F6-2、75V的 STP210N75F6 和STH210N75F6-2以及80V的STL75N8LF6。由於採用了意法半導體最新的DeepGATE™通道MOSFET架構，這五款産品擁有業界同類産品最低的每單位面積導通電阻。這些低損耗元件採用多種不同的微型工業標準封裝，使客戶能夠提高系統能效，同時降低印刷電路板的尺寸和總體元件數量/成本。

主要特性：

1. 60V和80V崩潰電壓（breakdown voltage）
2. 0.0016Ω導通電阻 (STH260N6F6-2)
3. 180A額定電流 (STx260F6N6)
4. 100%突波耐受測試（Avalanche rated）

採用TO-220封裝的STP260N6F6、STP210N75F6與採用H2PAK-2表面貼裝的STH210N75F6-2、STH260N6F6-2 目前已上市。

採用PowerFLAT 5×6封裝的STL75N8LF6預計於2011年第三季推出樣品。PowerFLAT封裝可減少晶片的占板空間，同時最佳化輸出電流。