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日本爾必達公司近日宣布成功開發出了DRAM業界首款使用HKMG技術的2Gbit密度LPDDR2 40nm製程級別DRAM芯片產品。HKMG技術即指晶體管的柵極絕緣層採用高介電常數（縮寫為high-k即HK）材料，柵電極採用金屬材料（Metalgate即MG）。採用這種技術的晶體管可減小柵漏電流並提升晶體管的新能。

　　此前一些邏輯集成電路廠商如Intel，三星等已經開始使用HKMG技術的晶體管，不過存儲集成電路方面由於HKMG柵極成型後還需要經歷高溫處理過程（容易導致金屬材料性質變異），加上DRAM電路結構的複雜性（相比邏輯電路用晶體管還需增加電容單元），使HKMG技術在DRAM產品上很難得以應用。而爾必達則宣稱成功解決了這兩個問題。

　　應用HKMG技術之後，爾必達的LPDDR2產品晶體管的柵絕緣層厚度相比常規的SiO2絕緣層降低了30%，晶體管的驅動電流值則增加了1.7倍，待機狀態電流則降低到了現有水平的1/100，因此極大地減小了LPDDR2產品待機狀態的能耗。

　　爾必達還計劃在其更多的高速/節能型移動內存芯片產品上推廣HKMG技術。

　　另外，爾必達還將繼續評估將HKMG技術應用到其30/25nm節點製程的可能性。有關的樣品則將在2011財年開始對外發貨，產品的量產則會隨後很快跟進。